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LPDDR5、UFS 3.0存儲技術(shù)有多厲害?

mqfo_kejimx ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-07-04 09:03 ? 次閱讀

相較于處理器芯片,存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開始逐漸凸顯。

據(jù)Android Authority總結(jié),LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROMSD Express存儲卡將會成為新一輪旗艦智能機將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點。

具體來說,LPDDR5的速度將達(dá)到6400Mbps,比LPDDR4翻番,比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的,LPDDR5將引入WCK差分時鐘,類似于GDDR5,從而在不增加引腳的情況下提升頻率。

此外,LPDDR5還將引入Link ECC,具備從傳輸錯誤中恢復(fù)數(shù)據(jù)的能力。

當(dāng)然,因為手機、Windows平板將主要采納,LPDD5在降低功耗方面也做了更細(xì)致的工作,雖然電壓相較于LPDDR4X未變,但是閑置狀態(tài)下的電流將減少40%。

有消息稱,三星可能會在今年下半年宣布LPDDR5開始制造的消息,拭目以待吧。

對比之下,UFS 3.0的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)由JDEC正式敲定,最大速度2900MB/s,對比UFS 2.1的1200MB/s提升了1倍。

三星已經(jīng)啟動了面向汽車領(lǐng)域的UFS 3.0閃存芯片生產(chǎn),智能機/平板有望在2019年開始逐漸普及,三星S10開始?

至于SD Express標(biāo)準(zhǔn)的存儲卡,最大容量(SDUC卡)提升到128TB,速度更是可達(dá)到 985MB/s。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:下一代存儲技術(shù)要來了?LPDDR5、UFS 3.0簡析

文章出處:【微信號:kejimx,微信公眾號:科技美學(xué)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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