Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)EFM8 8位MCU系列產(chǎn)品的用戶在開發(fā)產(chǎn)品時,需要進一步了解如何使用EFM8LB1 / EFM8BB3 I2C slave器件,使它看起來與SMBus的外設(shè)完全不同?對此,我們制作了一篇知識庫文章,引導(dǎo)工程師們加快設(shè)計流程。歡迎往下閱讀或點擊“閱讀原文”至Silicon Labs中文社區(qū)觀看完整文章。
M8LB1 /BB3包含一個I2CSLAVE外設(shè),它包含許多有助于高速傳輸?shù)墓δ?,但可能會使熟悉傳統(tǒng)SMBus操作的用戶感到困惑。在這里,我們簡要介紹I2CSLAVE器件,并附加I2C SLAVE器件引導(dǎo)加載器示例代碼以供參考。此代碼示例是為EFM8BB3編寫的,但如果需要,可以輕松移植到EFM8LB1。
I2C外設(shè)包含2字節(jié)FIFO和1字節(jié)移位寄存器,分別用于TX/ RX。I2C SLAVE器件支持自動ACK / NACK I2C master器件,由I2C0CN0寄存器的BUSY bit控制。默認情況下,BUSY為“1”,器件不響應(yīng)I2Cmaster器件。發(fā)送到器件的所有I2C數(shù)據(jù)都將被NACKed。我們應(yīng)將此BUSYbit設(shè)置為“0”,器件將確認I2Cmaster器件。 master設(shè)備持續(xù)向設(shè)備發(fā)送數(shù)據(jù),設(shè)備自動向master設(shè)備確認最多3個ACK,因為FIFO中有兩個字節(jié),移位寄存器中有1個字節(jié)。然后SCL保持低電平以表示設(shè)備無法接收更多數(shù)據(jù)。我們應(yīng)檢查I2C0FCN1寄存器的RXE位,以了解FIFO中是否有數(shù)據(jù),從I2C0DIN寄存器讀取接收數(shù)據(jù)。
自動ACK功能使流量控制變得困難,如上所述,當RX FIFO已滿時,SCL保持低電平,因此器件可以處理數(shù)據(jù)。 masster如何改變讀/寫方向呢?還有另一個功能可以幫助解決這種情況。 I2C0ADM寄存器的FACS位字段。默認值為“1”,表示FORCE_STRETCH。該位置為1時,時鐘拉伸始終發(fā)生在地址字節(jié)的ACK之后,直到固件清零I2C0INT位。通過這種時鐘拉伸功能,我們可以在讀/寫方向變化期間進行流量控制。
這里有一個基于AN945的I2C SLAVE引導(dǎo)加載程序示例代碼,請查看它并參考I2C SLAVE機狀態(tài)機的工作原理。 I2C Slave狀態(tài)機在參考手冊中的兩個流程圖(圖17.7和圖17.8)中可以看到,可以壓縮到此狀態(tài)解碼表(參考手冊中的表17.1 -
https://www.silabs.com/documents/public/reference-manuals/efm8bb3-rm.pdf)
I2C Bootloader的工作原理與SMBus Bootloader類似,詳見AN945 -
https://www.silabs.com/documents/public/application-notes/an945-efm8-factory-bootloader-user-guide.pdf。附件中的boot_I2C.c文件顯示了I2CSlave外設(shè)的使用方式 - 人們可能會注意到代碼中只定義了三種狀態(tài),而上面顯示的表描述了更多。有幾個原因?qū)е履承顟B(tài)未包含在Bootloader代碼中–
-
Bootloader代碼的編寫方式使得上述某些情況永遠不會發(fā)生,即使它們發(fā)生,它們也可以在默認情況下捆綁在一起。我們主要關(guān)注RD,WR和RD+ NACK狀態(tài)。
-
Bootloader的代碼受大小限制。我們嘗試將其放入一個Flash頁面,這反過來意味著我們包含的代碼只是Bootloader運行所必需的,而不是考慮永遠不會發(fā)生的情況。
-
嵌入式
+關(guān)注
關(guān)注
5082文章
19104瀏覽量
304784 -
Silicon Labs
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
328瀏覽量
62469 -
efm8lb1
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
2瀏覽量
3243
原文標題:【MCU知識庫】如何使用EFM8 8位MCU的I2C Slave外設(shè)
文章出處:【微信號:SiliconLabs,微信公眾號:Silicon Labs】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論