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基于R2000芯片的讀寫(xiě)器架構(gòu)分析 淺談R2000芯片之架構(gòu)

ss ? 作者:工程師譚軍 ? 2018-08-13 16:02 ? 次閱讀

本文主要介紹的是關(guān)于R2000芯片的架構(gòu)分析,并著重對(duì)R2000芯片進(jìn)行了描述。

R2000芯片

R2000芯片是一款高性能UHF頻段的超高頻讀寫(xiě)器芯片,它集成了混頻器、增益濾波器、壓控振蕩器、鎖相環(huán)、模數(shù)/數(shù)模轉(zhuǎn)換器模擬前端,并且內(nèi)置了ISO/IEC 18000 6C的完整協(xié)議處理系統(tǒng)。外部控制器僅需通過(guò)8位并口或者SPI口即可實(shí)現(xiàn)對(duì)R2000芯片的所有通信和控制。

超高頻載波信號(hào)的通信頻率為840 MHz~960 MHz,R2000芯片集成了VCO、預(yù)分頻器、主除法器、參考除法器、鑒相器和電荷泵,外圍電路只要提供一個(gè)環(huán)路濾波器即可組成一個(gè)完整的鎖相環(huán)(PLL)電路。PLL的輸出頻率由參考除法器的設(shè)定值和主除法器的乘積決定。電荷泵(CP)的主要作用是將數(shù)字邏輯脈沖轉(zhuǎn)換為模擬電流。CP信號(hào)經(jīng)過(guò)低通濾波器反饋到VCO引腳用來(lái)調(diào)整振蕩器頻率精度。為了獲得穩(wěn)定的VCO調(diào)諧電壓,外部的環(huán)路濾波電路特別重要,它起到了維持環(huán)路穩(wěn)定性、控制環(huán)路帶內(nèi)外噪聲、防止VCO調(diào)諧電壓控制線上電壓突變、抑制參考邊帶雜散干擾等重要作用。

為了增加超高頻讀寫(xiě)器的最遠(yuǎn)距離讀取,還需要對(duì)其發(fā)射功率進(jìn)行檢測(cè)。發(fā)射功率太大不僅會(huì)引起失真,還容易泄露到接收端形成干擾,所以一旦功率檢測(cè)器件監(jiān)控到大于設(shè)定功率時(shí),通過(guò)主控制器數(shù)字PID和DAC把微調(diào)量加載到功率芯片SKY65111的二三級(jí)電壓控制端,使得發(fā)射功率可控。

基于超UHF頻段的遠(yuǎn)距離超高頻讀寫(xiě)器,隨著數(shù)據(jù)傳輸和分辨率的要求提高,MCU主控制器可以不斷升級(jí),以適應(yīng)事務(wù)控制的擴(kuò)充和處理速度的提高。

基于R2000芯片的讀寫(xiě)器架構(gòu)分析

1 讀寫(xiě)器系統(tǒng)框圖
基于R2000的讀寫(xiě)器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中控制器采用ARM7內(nèi)核處理器,除了R2000的一些必要外圍元件,系統(tǒng)和天線之間必須加環(huán)行器以滿足單天線應(yīng)用,TX口還必須加功放模塊。根據(jù)讀寫(xiě)器的系統(tǒng)框圖,主要器件選型如下:

基于R2000芯片的讀寫(xiě)器架構(gòu)分析 淺談R2000芯片之架構(gòu)

1.1 RFID寬頻環(huán)行器HYG504XX

作為單天線應(yīng)用的收發(fā)隔離,環(huán)形器一般用亞鐵磁性復(fù)合材料制成,這種材料具有各向異性的特點(diǎn),環(huán)形器為三端口器件,端口1為輸入,端口2為輸出,端口3為隔離端口,能量幾乎不能穿過(guò),以此類推,一般UHF讀寫(xiě)器上用環(huán)形器使信號(hào)按順時(shí)針?lè)较蛄魍ǎ?dāng)端口1為TX輸出時(shí),RF信號(hào)會(huì)從端口2流過(guò),而端口3即RX端口為隔離端,具體隔離度需參考器件參數(shù)和LAYOUT效果;相反,當(dāng)端口2作為收發(fā)復(fù)用端接收信號(hào)時(shí),信號(hào)會(huì)按順時(shí)針?lè)较蜻M(jìn)入端口3,此時(shí)泄露到TX端口的能量非常小,可以忽略,而TX泄露到RX端口的能量很大程度上影響著接收機(jī)靈敏度即實(shí)際識(shí)別效果,因此需根據(jù)接收端LNA參數(shù),在RX端加衰減器對(duì)TX泄露信號(hào)進(jìn)行有效隔離,但由此產(chǎn)生一個(gè)問(wèn)題,因?yàn)镽X接收的有用信號(hào)本身就很少,在進(jìn)行TX端泄露信號(hào)衰減的同時(shí),RX端有用信號(hào)也被進(jìn)一步削弱,因此也會(huì)影響到LNA的接收,因此,用環(huán)形器做收發(fā)隔離只能在一定程度上產(chǎn)生效果,對(duì)于TX輸出功率給定且:ERP不超過(guò)相關(guān)規(guī)定的情況下,要提高接收機(jī)靈敏度,必須考慮增大收發(fā)兩路的隔離度,視具體需求而定。

1.2 射頻開(kāi)關(guān)HMC174

用來(lái)控制射頻輸出的通斷。在900 MHz頻段內(nèi),輸入的1 dB壓縮點(diǎn)可以達(dá)到39 dBm,充分保證了HMC174可以承受輸入很高的射頻功率。輸入3階截取點(diǎn)可達(dá)到60 dBm,而前一級(jí)頻率合成器的輸出功率在3 dBm以內(nèi),因而保證了信號(hào)通過(guò)射頻開(kāi)關(guān)后的高線性度,最大限度地減少了射頻信號(hào)的失真。

1.3 射頻功率放大器PF01411B

PF01411B用做放大R2000的TX端輸出信號(hào),使其滿足最大功率的輸出要求。PF01411B的主要特性為:高增益:三級(jí)放大,輸入功率0 dBm;高效率:輸出功率在35.5dBm時(shí)可達(dá)45%;增益控制范圍寬:典型值可達(dá)70dB。

1.4 射頻數(shù)控衰減器HMC273
HMC273用做衰減R2000的TX端輸出信號(hào),功率校正用。

1.5 Impinj Indy R2000 UHF RFID讀寫(xiě)器芯片

R2000是新一代UHF頻段RFID讀寫(xiě)器SoC芯片,符合EPC global UHF Class 1 Gen 2/ISO 18000-6C國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)部集成ASK調(diào)制解調(diào)器、濾波器、功放、FPGA等模塊。

1.6 微處理單元AT91SAM7S256

該器件是32位微控制器,大大提升了微控制器的實(shí)時(shí)性能,整合了全套安全運(yùn)行功能,包括由片上RC振蕩器計(jì)時(shí)的監(jiān)視器、電源以及閃存的硬件保護(hù)等。此外,該器件在最差條件下可以30 MHz的速度進(jìn)行單時(shí)鐘周期訪問(wèn)。

2 電源模塊和外設(shè)

電源模塊提供5 V,3.3 V,1.8 V的電壓,和外設(shè)做在同一塊底板上。適配器輸出的12 V直流電壓通過(guò)單片開(kāi)關(guān)電源LM2676轉(zhuǎn)換成5 V,如圖2所示,其他所需電壓值通過(guò)LM1117系列LDO產(chǎn)生,如圖3所示。外設(shè)只提供以太網(wǎng)口、USB口、串口。

基于R2000芯片的讀寫(xiě)器架構(gòu)分析 淺談R2000芯片之架構(gòu)

基于R2000芯片的讀寫(xiě)器架構(gòu)分析 淺談R2000芯片之架構(gòu)

T91SAM7S256自帶以太網(wǎng)MAC,只需選用一片PHY,這里選DM9161AEP,電路如圖4所示。
PHY和MAC的接口采用RMII接口,以太網(wǎng)接口采用集成了網(wǎng)絡(luò)變壓器的HR911105A,增加信號(hào)傳輸?shù)目煽啃?。USB的接口電路如圖5所示,由于AT91SAM7S256芯片自帶USB控制器,這部分電路相對(duì)簡(jiǎn)單,只需按照ATMEL的參考電路進(jìn)行設(shè)計(jì)即可。串口電路如圖6所示,其中一個(gè)用做調(diào)試,在沒(méi)有顯示設(shè)備的情況下,啟動(dòng)信息等可以從這個(gè)串口打印輸出到Windows中的超級(jí)終端上,方便設(shè)計(jì)前期的調(diào)試過(guò)程。

基于R2000芯片的讀寫(xiě)器架構(gòu)分析 淺談R2000芯片之架構(gòu)

3 系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)主程序
讀寫(xiě)器在主機(jī)監(jiān)控下進(jìn)行工作,該系統(tǒng)與主機(jī)之間形成主從通信模式。主控模塊上電完成正常初始化過(guò)程后,就進(jìn)入等待狀態(tài),等主機(jī)發(fā)來(lái)指令,當(dāng)接收到主機(jī)指令后,按照主控程序進(jìn)行相應(yīng)的工作。處理完畢后,將所得信息送往主機(jī)。主程序流程如框圖7所示。

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4 小結(jié)

本文采用Impinj最新的R2000進(jìn)行UHF RFID設(shè)計(jì),可支持多協(xié)議兼容,標(biāo)簽處理速度高達(dá)每秒400多張,此超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)尤其適用于物流、供應(yīng)鏈領(lǐng)域。實(shí)驗(yàn)表明,以此為核心的讀寫(xiě)器防碰撞性能好、高級(jí)DRM算法支持每秒處理400個(gè)標(biāo)簽。這些特性減小了設(shè)備的開(kāi)發(fā)復(fù)雜度,縮短了設(shè)備的研發(fā)周期,提高了系統(tǒng)性能,加快了設(shè)備的上市時(shí)間。

結(jié)語(yǔ)

關(guān)于R2000芯片的相關(guān)介紹就到這了,希望通過(guò)本文能讓你對(duì)R2000芯片有更深的認(rèn)識(shí),如有不足之處歡迎指正。

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