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目標(biāo)2022年量產(chǎn)!臺(tái)積電3nm工廠邁出重要一步

章鷹觀察 ? 來(lái)源:臺(tái)灣聯(lián)合報(bào) ? 作者:聯(lián)合報(bào) ? 2018-08-16 10:52 ? 次閱讀

臺(tái)積電3nm建廠投資案跨出重要一步,環(huán)保署昨天初審?fù)ㄟ^(guò)「臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開(kāi)發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」,該案主要是科技部因應(yīng)臺(tái)積3nm廠投資計(jì)劃提出環(huán)境差異分析報(bào)告。臺(tái)積預(yù)計(jì)投資超過(guò)六千億元興建3nm廠,2020年動(dòng)工,最快2022年底量產(chǎn)。

臺(tái)積電資深處長(zhǎng)莊子壽會(huì)后表示,感謝支持,臺(tái)積電迎戰(zhàn)世界其他大廠深具信心,「臺(tái)積電沒(méi)在怕」。

攸關(guān)臺(tái)積3nm投資案的南科臺(tái)南基地環(huán)差案初審?fù)ㄟ^(guò)后,最慢三個(gè)月內(nèi),也就是十一月以前可望獲環(huán)評(píng)大會(huì)通過(guò),為國(guó)內(nèi)投資挹注動(dòng)能。

根據(jù)規(guī)劃,臺(tái)積3nm案預(yù)計(jì)使用南科廿八公頃用地,并緊臨臺(tái)積五奈米廠,科技部預(yù)訂在2020年中交地給臺(tái)積電蓋廠房。

因應(yīng)臺(tái)積3nm用地需求,南科管理局檢討南科土地使用分區(qū)規(guī)劃,將原本公園綠地調(diào)整為事業(yè)專用區(qū),將他處用地再變更為綠地,使得南科事業(yè)專用區(qū)及綠地用地皆增加。全案已通過(guò)臺(tái)南市都市計(jì)劃審查,將提報(bào)內(nèi)政部都市計(jì)劃審查。

南科管理局長(zhǎng)林威呈表示,由于園區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求,以確保世界先進(jìn)制程的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),因此提出「臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開(kāi)發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」,一方面檢討園區(qū)土地使用分區(qū)計(jì)劃,二方面因應(yīng)引進(jìn)先進(jìn)制程的需求,提出園區(qū)用水量、用電量、污水放流量、土方等變更。

南科管理局提出報(bào)告,因應(yīng)臺(tái)積3nm設(shè)廠需要,南科臺(tái)南基地,每日用水量將由25萬(wàn)噸增至32.5萬(wàn)噸,用電量則由222萬(wàn)瓦增至299.5萬(wàn)瓦;推估此次變更后,溫室氣體排放量一年增加427萬(wàn)噸。

為化解外界疑慮,南科管理局加強(qiáng)節(jié)能減碳外,臺(tái)積一開(kāi)始承諾,在市場(chǎng)供給機(jī)制完善下,3nm廠新增用電量將隨著量產(chǎn)時(shí)程,逐年取得百分之廿用電度數(shù)的再生能源,預(yù)估每年最高可減少約85.41萬(wàn)噸二氧化碳當(dāng)量。

莊子壽表示,臺(tái)積3nm廠總投資額尚未定案,初估將超過(guò)六千億元,2020年動(dòng)工,蓋廠房、裝機(jī)、試車等預(yù)計(jì)要十八個(gè)月,因此在2022年底、2023年初進(jìn)入量產(chǎn),3nm廠完成后預(yù)計(jì)雇用員工達(dá)四千人;他坦言,3nm制程技術(shù)難度高,是很大挑戰(zhàn)。

3nm將在2022年量產(chǎn)

臺(tái)積電作為世界級(jí)的處理器代工廠商,在近幾年的CPU工藝方面頗為激進(jìn),其10nm工藝正大規(guī)模量產(chǎn)中,并正加速推進(jìn)7nm以及5nm的研發(fā)力度。不過(guò)除了這些,更為高端的3nm制程工藝也已經(jīng)曝光,臺(tái)積電官方透露將暫定在2022年量產(chǎn)。

目前臺(tái)積電的工廠一直以***為大本營(yíng),其中10nm位于中科廠Fab 15五到六期;7nm位于七到九期,2018年量產(chǎn);5nm則位于南科廠Fab 14九期,2019年下半年量產(chǎn)。而3nm臺(tái)積電則考慮赴美投資建廠,投資額高達(dá)5000億臺(tái)幣,主要原因是南科方面從提出投資方案到通過(guò)環(huán)評(píng)審核,至少需要5年時(shí)間,而且空氣質(zhì)量、電力供應(yīng)都不夠達(dá)標(biāo)。

3nm技術(shù)可以說(shuō)已經(jīng)接近半導(dǎo)體工藝的物理極限,而其目前也處于實(shí)驗(yàn)室階段,臺(tái)積電透露其正與設(shè)備廠商、材料供應(yīng)商共同研究技術(shù)途徑。

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