很多人對(duì)于華為海思芯片非常感興趣，相關(guān)的討論爭(zhēng)論自然也不會(huì)少，在論壇上有時(shí)候也會(huì)看到。有人把它吹上天，也有人說(shuō)它毫無(wú)技術(shù)含量。我看完之后痛心疾首，覺(jué)得很多人說(shuō)的很多方面都是不對(duì)的。所以獻(xiàn)上此文，客觀介紹一下芯片的設(shè)計(jì)制造流程。

賣(mài)弄前先自我介紹順便聲明一下，本人海思新員工，但不從事芯片設(shè)計(jì)類(lèi)崗位，只是最近聽(tīng)過(guò)一個(gè)關(guān)于芯片的培訓(xùn)，再加上本人對(duì)芯片如何實(shí)現(xiàn)等問(wèn)題也比較好奇，所以搜集過(guò)一些非官方、不科學(xué)資料，發(fā)表一下淺鄙之見(jiàn)。

一、工藝制程并不是越小越好

OK，廢話不多說(shuō)，對(duì)于芯片，先說(shuō)一些自己感興趣的，可能涉及海思的不多。經(jīng)常能聽(tīng)到有人爭(zhēng)論40nm工藝、28nm工藝，14nm工藝，那么這個(gè)多少nm指得是什么呢?

它指的是mos管在硅片上的大小，mos管就是晶體管，它是組成芯片的最小單位，一個(gè)與非門(mén)需要4個(gè)mos管組成，一般一個(gè)ARM四核芯片上有5億個(gè)左右的mos管。世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)用個(gè)是真空管，效果和mos管一樣，但是真空管的大小有兩個(gè)拇指大，而現(xiàn)在最先進(jìn)工藝蝕刻的mos管只有7nm大。

說(shuō)到這里，大家一定和我一樣，非常好奇如何在一個(gè)15mm*15mm的正方形硅片上制作出5億個(gè)大小僅為40nm的mos管。如果要用機(jī)械的方法完成這一過(guò)程，世界上很難有這么精密的儀器，可以雕刻出nm級(jí)的mos管，就算有，要雕刻出5億個(gè)，所需要的成本、時(shí)間也是難以估計(jì)的。

借助光可以在硅片上蝕刻下痕跡，掩膜就可以控制硅片上哪些部分會(huì)被蝕刻。掩膜覆蓋的地方，光照不到，硅片不會(huì)被蝕刻。硅片被蝕刻后，再涂上氧化層和金屬層，再蝕刻，反復(fù)多次，硅片就制造好了。一般來(lái)說(shuō)，制作硅片需要蝕刻十幾次，每次用的工藝、掩膜都不一樣。幾次蝕刻之間，蝕刻的位置可能會(huì)有偏差，如果偏差過(guò)大，出來(lái)的芯片就不能用了，偏差需要控制在幾個(gè)nm以內(nèi)才能保證良品率，所以說(shuō)制作硅片用的技術(shù)是人類(lèi)目前發(fā)明的最精密的技術(shù)。

芯片可以靠掩膜蝕刻，批量生產(chǎn)，但是掩膜必須用更高精度的機(jī)器慢慢加工制作，成本非常高，一塊掩膜造價(jià)十萬(wàn)美元。制造一顆芯片需要十幾塊不同的掩膜，所以芯片制造初期投入非常大，動(dòng)輒幾百萬(wàn)美元。芯片試生產(chǎn)過(guò)程，叫做流片，流片也需要掩膜，投入很大，流片之前，誰(shuí)都不知道芯片設(shè)計(jì)是否成功，有可能流片多次不成功。所以國(guó)內(nèi)能做高端芯片的公司真沒(méi)幾家，光是掩膜成本就沒(méi)幾個(gè)公司支付得起。

芯片量產(chǎn)后，成本相對(duì)來(lái)說(shuō)就比較低了，好的掩膜非常大，直徑30厘米，可以同時(shí)生產(chǎn)上百塊芯片。芯片如果出貨量很大，利潤(rùn)還是非常高的，像英特爾的芯片，賣(mài)1000多一塊，可能平均制造成本100不到。但如果出貨量很少，那芯片平均制造成本就高得嚇人，幾百萬(wàn)美元打水漂是很正常的。

海思芯片價(jià)格有沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力，還得看華為手機(jī)出貨量大不大?？吹接腥藛?wèn)20nm好還是40nm好，從大小上來(lái)看顯而易見(jiàn)20nm好。20nm意味著mos管大小只有40nm的1/4。mos管工作時(shí)是一個(gè)充電放電的過(guò)程，mos管越小，它充電需要的電量越小，所以功耗越小。而且mos管小之后，門(mén)電路密度就大，同樣大小芯片能放的mos管數(shù)就越多，性能空間越大。40nm工藝門(mén)電路密度是65nm的2.35倍。但以上都是在不考慮漏電和二級(jí)效應(yīng)的情況下的理論數(shù)據(jù)。

當(dāng)然，IC尺寸縮小也有其物理限制，當(dāng)我們將晶體管縮小到 20 奈米左右時(shí)，就會(huì)遇到量子物理中的問(wèn)題，讓晶體管有漏電的現(xiàn)象，抵銷(xiāo)縮小 L 時(shí)獲得的效益。作為改善方式，就是導(dǎo)入 FinFET（Tri-Gate）這個(gè)概念，如下圖。在 Intel 以前所做的解釋中，可以知道藉由導(dǎo)入這個(gè)技術(shù)，能減少因物理現(xiàn)象所導(dǎo)致的漏電現(xiàn)象。

為什么會(huì)有人會(huì)說(shuō)各大廠進(jìn)入 10 奈米制程將面臨相當(dāng)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，主因是 1 顆原子的大小大約為 0.1 奈米，在 10 奈米的情況下，一條線只有不到 100 顆原子，在制作上相當(dāng)困難，而且只要有一個(gè)原子的缺陷，像是在制作過(guò)程中有原子掉出或是有雜質(zhì)，就會(huì)產(chǎn)生不知名的現(xiàn)象，影響產(chǎn)品的良率。

如果無(wú)法想象這個(gè)難度，可以做個(gè)小實(shí)驗(yàn)。在桌上用 100 個(gè)小珠子排成一個(gè) 10×10 的正方形，并且剪裁一張紙蓋在珠子上，接著用小刷子把旁邊的的珠子刷掉，最后使他形成一個(gè) 10×5 的長(zhǎng)方形。這樣就可以知道各大廠所面臨到的困境，以及達(dá)成這個(gè)目標(biāo)究竟是多么艱巨。

再說(shuō)說(shuō)二級(jí)效應(yīng)吧，學(xué)過(guò)初中物理的都知道一個(gè)最簡(jiǎn)單電路的組成，包括電源、導(dǎo)線、電阻。接通電源，電流就瞬間流過(guò)電阻。如果把電阻換成電感，則電感會(huì)有一個(gè)逐漸充電的過(guò)程，這種情況下，電流就不是瞬間流過(guò)電感。

其實(shí)電阻也有感抗，只是非常微小，可以忽略不計(jì)。但如果接在電阻上的電壓非常微小，電流量非常微小，那此時(shí)，感抗就不能被忽略不計(jì)了。二級(jí)效應(yīng)在芯片制程非常小時(shí)(28nm以下)，非常明顯，mos管由于電壓低，電流小，充電受到感抗的影響比40nm大，充電速度慢。芯片想要達(dá)到高頻率，mos管要加載更高的電壓，這樣就增加了功耗。漏電也是低制程的一個(gè)副作用，也需要提供芯片的功耗才能克服。所以低制程帶來(lái)的功耗優(yōu)勢(shì)就被漏電和二級(jí)效應(yīng)扳回去了很多。

當(dāng)然，新的工藝、好的工藝可以部分解決上面兩個(gè)問(wèn)題，不同工藝用的物理、化學(xué)材料不同，工藝流程也不同。高通四核用的是老28nm工藝，目前來(lái)看，這個(gè)28nm工藝相比40nm工藝優(yōu)勢(shì)不大。

然后制程方面，目前聽(tīng)過(guò)的最先進(jìn)的制程是7nm，但這個(gè)制程只存在于實(shí)驗(yàn)室里，遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到大規(guī)模量產(chǎn)的需要。低制程有些困難是難以克服的，學(xué)過(guò)物理的都知道光的衍射，低制程意味著掩膜透孔會(huì)非常小，衍射會(huì)非常嚴(yán)重，這樣肯定是無(wú)法蝕刻硅片的。這個(gè)問(wèn)題也許可以通過(guò)使用電子射線或者其他粒子射線來(lái)蝕刻硅片解決，但這是那幫孫子去想的問(wèn)題了。

二、芯片設(shè)計(jì)考驗(yàn)公司技術(shù)水平

說(shuō)說(shuō)設(shè)計(jì)吧，芯片設(shè)計(jì)分為前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)。前端設(shè)計(jì)就像做建筑中的畫(huà)設(shè)計(jì)圖，芯片的邏輯、模塊、門(mén)電路關(guān)系都是前端設(shè)計(jì)完成的。后端設(shè)計(jì)則是布局布線，芯片做出來(lái)，最終是個(gè)實(shí)際的東西，那每個(gè)mos管擺放什么位置，每一條線怎么連，這個(gè)都是后端設(shè)計(jì)決定的。前端設(shè)計(jì)沒(méi)啥好說(shuō)的，雖然技術(shù)含量非常高。

我就說(shuō)說(shuō)后端設(shè)計(jì)吧，有趣一點(diǎn)。5億個(gè)mos管的布局布線，雖然很多用的是IP硬核，別的廠商已經(jīng)幫忙做好了，但這絕對(duì)不是一個(gè)輕松的活。拿導(dǎo)線來(lái)說(shuō)，兩條導(dǎo)線在一個(gè)硅平面上不能交叉，它們可不像我們家里的導(dǎo)線，包了一層塑料。如果把5億個(gè)mos管的導(dǎo)線放在一個(gè)平面上，還要讓某些連接、某些不連接，還不能交叉，這絕對(duì)是不可能的。

事實(shí)上，一個(gè)芯片布線，從上到下可能有十幾層。每一層都是蜘蛛網(wǎng)一樣的布線，如果我們化身成一個(gè)1nm的小人，進(jìn)入芯片的世界走一圈，那絕對(duì)會(huì)發(fā)現(xiàn)那是一個(gè)非常宏偉，非常不可思議的世界。后端設(shè)計(jì)除了要保證線路正確連接，還要使模塊占用面積小，功耗小，規(guī)避二級(jí)效應(yīng)，要求是很高的。名牌大學(xué)畢業(yè)搞后端，搞個(gè)兩年也才剛剛?cè)腴T(mén)。

再說(shuō)說(shuō)仿真，芯片在流片之前，誰(shuí)都不知道它長(zhǎng)什么樣子，更難以去揣測(cè)它設(shè)計(jì)是否成功、合理，流片成本又非常高，不可能為了驗(yàn)證設(shè)計(jì)是否成功去流片。這個(gè)時(shí)候就需要用到仿真，用計(jì)算機(jī)去模擬電路的運(yùn)行情況。仿真貫穿芯片設(shè)計(jì)的始末，有前端仿真、后端仿真、模擬仿真、數(shù)字仿真…仿真脫離不了計(jì)算機(jī)仿真軟件，像Sysnopys、Cadence它們是芯片設(shè)計(jì)、驗(yàn)證軟件領(lǐng)域的巨擘，海思每年付給他們的費(fèi)用我不知道，但起碼千萬(wàn)級(jí)別。

仿真是一個(gè)需要超高性能計(jì)算機(jī)的任務(wù)，海思在IT中心有大量高性能計(jì)算機(jī)組成云計(jì)算資源，但在面對(duì)大型仿真時(shí)還是很吃力，跑幾個(gè)小時(shí)只能模擬出芯片幾秒鐘的運(yùn)行情況。因?yàn)橐芊抡?，這些計(jì)算機(jī)一天24小時(shí)都在跑。順便說(shuō)一下我們部門(mén)一個(gè)Linux服務(wù)器的配置，英特爾4核4GCPU，內(nèi)存16G。

這個(gè)只是一個(gè)打雜的服務(wù)器，放個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)，編譯幾個(gè)軟件。海思小網(wǎng)的Solaris接入服務(wù)器同時(shí)有上百人在上面辦公。從這點(diǎn)也可以看出，做芯片投入還是非常大的，就光這些軟件、硬件成本，每個(gè)人每年要花掉公司幾十萬(wàn)。

再說(shuō)說(shuō)海思目前的水平，我也不想吹牛，確實(shí)和美國(guó)那些公司比起來(lái)有很大差距。畢竟80年代，人家芯片設(shè)計(jì)、制作都已經(jīng)非常成熟的時(shí)候，我們才有第一臺(tái)計(jì)算機(jī)。比如K3V2，它上面很多模塊都是別人的，公司花了大筆錢(qián)買(mǎi)了版權(quán)，這個(gè)叫IP核。

IP核分軟核和硬核，現(xiàn)在貌似也有軟硬結(jié)合的核…它是什么東西呢?比如ARM指令授權(quán)，它就是軟核，它只規(guī)定了CPU的指令集，好比建橋，它只告訴你橋應(yīng)該建多長(zhǎng)、多寬、大概長(zhǎng)什么樣，但是具體細(xì)節(jié)沒(méi)有，不告訴你電路在芯片上怎么擺放，怎么連線。軟核的好處是給了很大的發(fā)揮空間，模仿、抄襲也簡(jiǎn)單，以后做類(lèi)似東西可以參考。硬核就是它只告訴你電路在芯片上具體長(zhǎng)什么樣子，把它擺上去用就行了。硬核的好處是它一般都是經(jīng)過(guò)其它芯片驗(yàn)證的，很容易了解它的具體性能。但你幾乎不可能修改它，也很難了解它的實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，畢竟有幾千萬(wàn)個(gè)mos管，人怎么分析。

海思自主IP核不多，主要集中在基帶方面和數(shù)字電視機(jī)頂盒方面，這兩塊還是比較牛的，海思機(jī)頂盒芯片占世界份額90%以上(聽(tīng)老大說(shuō))。像K3V2大部分還是在搭積木，搭個(gè)USB核，搭一個(gè)音頻解碼核…但客觀地說(shuō)，現(xiàn)在芯片設(shè)計(jì)分工越來(lái)越細(xì)，每個(gè)公司只是完成其中一小部分，就算是高通，也用了很多其他公司的IP核。

一個(gè)公司想把所有活都干了，那絕對(duì)是不可能的，就算做到了，它的芯片也不會(huì)有競(jìng)爭(zhēng)力。其實(shí)玩搭積木也是很有技術(shù)含量的，海思肯定是國(guó)內(nèi)玩得最好的公司。目前公司的一個(gè)目標(biāo)也是把越來(lái)越多的模塊自主化，但是需要時(shí)間。

先從最底層芯片說(shuō)起，開(kāi)頭說(shuō)了mos管，現(xiàn)在說(shuō)說(shuō)與非門(mén)。上面說(shuō)了mos管是芯片的最小單位，但這是對(duì)于芯片制造廠而言的。芯片設(shè)計(jì)時(shí)不會(huì)直接畫(huà)mos管，在數(shù)字電路中，使用的最小單位是門(mén)電路，與非門(mén)就是用得最廣泛的一種。一個(gè)與非門(mén)大概要4個(gè)mos管組成，與非門(mén)大家應(yīng)該都非常熟悉。如下圖：

大家都知道，家里的開(kāi)關(guān)有兩種狀態(tài)嘛，打開(kāi)和關(guān)閉。當(dāng)上圖中的開(kāi)關(guān)1和開(kāi)關(guān)2兩個(gè)開(kāi)關(guān)中只有1個(gè)開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)，經(jīng)過(guò)與非門(mén)處理，開(kāi)關(guān)3就打開(kāi)了。如果開(kāi)關(guān)1和開(kāi)關(guān)2兩個(gè)開(kāi)關(guān)都關(guān)閉或者兩個(gè)開(kāi)關(guān)都打開(kāi)，經(jīng)過(guò)與非門(mén)處理，開(kāi)關(guān)3就關(guān)閉了。 其實(shí)和與非門(mén)類(lèi)似的東西生活中隨處可見(jiàn)。比如說(shuō)有的人家里有一個(gè)燈，這個(gè)燈在家門(mén)口設(shè)了一個(gè)開(kāi)關(guān)，方便進(jìn)出家門(mén)時(shí)開(kāi)關(guān)燈。在床邊也設(shè)了個(gè)開(kāi)關(guān)，方便晚上睡覺(jué)時(shí)關(guān)燈。這個(gè)其實(shí)就是一個(gè)與非門(mén)，兩個(gè)開(kāi)關(guān)控制同一個(gè)燈。一個(gè)開(kāi)關(guān)打開(kāi)，燈就亮了，兩個(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)打開(kāi)或者關(guān)閉，燈就滅了。

這樣的話，用一個(gè)與非門(mén)和一個(gè)與門(mén)就模擬了最簡(jiǎn)單的一個(gè)加法器，最大只能計(jì)算1+1。計(jì)算機(jī)中有幾億個(gè)這樣的門(mén)電路，它們組合起來(lái)就能做非常復(fù)雜的運(yùn)算。現(xiàn)在的大部分CPU都是64位的，這種CPU肯定會(huì)有64位加法器甚至128位加法器。拿64位加法器來(lái)說(shuō)，它最大可以計(jì)算出18446744073709551616 + 18446744073709551616。

說(shuō)到這里，不得不說(shuō)說(shuō)芯片頻率。K3V2年初時(shí)號(hào)稱1.5G四核，到發(fā)布密派時(shí)，又改口1.2G，到D1四核，又改成1.4G…可謂坑爹至極，這件事也引發(fā)了不少爭(zhēng)論。但估計(jì)大部分人和我原來(lái)一樣，只知道爭(zhēng)論多少G，不知道這個(gè)芯片頻率意味著什么。先說(shuō)說(shuō)1G是什么概念吧，就是每秒鐘10億(1,000,000,000)次。為什么會(huì)有這個(gè)東西呢?剛才我說(shuō)了與非門(mén)，開(kāi)關(guān)3是隨著開(kāi)關(guān)1和開(kāi)關(guān)2的變化而變化的，對(duì)人類(lèi)來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)3的變化速度很快，是瞬間的，但這個(gè)變化總是需要一點(diǎn)時(shí)間的。開(kāi)關(guān)3可能是另外一個(gè)門(mén)電路的輸入開(kāi)關(guān)，如果變化到一半，它的下一個(gè)門(mén)電路就接受開(kāi)關(guān)3的輸入，可能會(huì)產(chǎn)生很?chē)?yán)重的問(wèn)題。

一般來(lái)說(shuō)，一層門(mén)電路需要等它的上一層門(mén)電路完全變化完畢，輸出穩(wěn)定之后，它才接收上一層的輸入，開(kāi)始變化。這個(gè)時(shí)候就需要有一個(gè)指揮家來(lái)指揮這些門(mén)電路什么時(shí)候開(kāi)始變化，這個(gè)指揮家就是芯片頻率，指揮家會(huì)定時(shí)發(fā)出脈沖，1G就是每秒1一次脈沖。門(mén)電路等脈沖到來(lái)的時(shí)候就開(kāi)始做這個(gè)變化。

從上面可以看出，指揮家指揮得越快，芯片運(yùn)算速度越快。但要說(shuō)明一點(diǎn)，兩倍的頻率并不代表兩倍的性能。因?yàn)镃PU和內(nèi)存、外設(shè)頻率不同步，它們之間的頻率相差越多，CPU空轉(zhuǎn)的次數(shù)越多。另外再說(shuō)一點(diǎn)，門(mén)電路變化的過(guò)程其實(shí)就是mos充電放電的過(guò)程，mos管充電放電越快，芯片的頻率可以做到越高，而二級(jí)效應(yīng)會(huì)減慢mos充電放電的速度。如果mos管想要充電放電快一點(diǎn)，要提高mos管電壓，這樣就提高了芯片的功耗。

大家對(duì)海思比較好奇的，可能都有這么幾點(diǎn)疑問(wèn)：

1、海思用了ARM的IP核，是不是閉著眼睛就能把K3V2(海思4核A9架構(gòu)處理器)整出來(lái)？

2、ARM核究竟是怎么回事？

3、開(kāi)發(fā)K3V2的團(tuán)隊(duì)實(shí)力如何，在海思地位怎么樣？

4、海思究竟有沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力，核心技術(shù)在哪里，和國(guó)外比相差多少？

先說(shuō)說(shuō)ARM的IP核吧，ARM授權(quán)包括指令集和CPU核心架構(gòu)。據(jù)我了解，除了高通外，其它芯片廠商都使用了ARM的CPU核心架構(gòu)，也就是經(jīng)?？梢月?tīng)到的A9 A15。高通比較高端，CPU核心架構(gòu)自己搞，如果搞得比A9 A15好的話確實(shí)可以提高CPU性能，但由于ARM收取高昂的核心架構(gòu)修改費(fèi)用，所以要付更多的錢(qián)給ARM。指令集是CPU與上層的編譯器、操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的接口，使用ARM指令集意味著你做的CPU可以兼容安卓系統(tǒng)、安裝應(yīng)用、C編譯器。

如果哪個(gè)公司自己整一套全新的指令集，那它做出來(lái)的CPU一點(diǎn)用處沒(méi)有，既沒(méi)有操作系統(tǒng)也沒(méi)用應(yīng)用。此前聯(lián)想出了個(gè)K800，用的是英特爾Atom CPU，這款CPU非常特別，使用X86指令集，結(jié)果是一出悲劇，很多游戲兼容不了。不過(guò)英特爾還得感謝谷歌，否則這個(gè)CPU連安卓都兼容不了。目前來(lái)看，CPU不用ARM指令集很難玩轉(zhuǎn)，而且隨著越來(lái)越多應(yīng)用只支持ARM，ARM的地位會(huì)越來(lái)越鞏固，就像電腦CPU，如果不用X86指令集，連Windows都很難安裝,這是一個(gè)壟斷的帝國(guó)。

下面說(shuō)說(shuō)CPU核心架構(gòu)，說(shuō)之前不得不先談?wù)凱DK。PDK是ProcessDesign Kit 工藝設(shè)計(jì)包，它和晶圓廠的制作工藝緊密相關(guān)。PDK是什么呢，它描述了一個(gè)具體工藝基本元器件的電器特性。比如臺(tái)積電28nm工藝和40nm工藝做出來(lái)的mos管電器特性肯定不一樣。28nm工藝和40nm工藝做出來(lái)的mos管額定電流范圍、電壓范圍肯定不同，在相同外界輸入下，輸出曲線也肯定不一樣。芯片公司如果沒(méi)有PDK，根本不知道設(shè)計(jì)出來(lái)的電路性能如何，也沒(méi)辦法跑仿真。簡(jiǎn)單一點(diǎn)說(shuō)，你拿40nm PDK設(shè)計(jì)電路，用28nm工藝生產(chǎn)，生產(chǎn)出來(lái)的芯片絕對(duì)一點(diǎn)用處沒(méi)有。所以說(shuō)芯片設(shè)計(jì)非?？啾?，搞編程的，代碼可以重用，搞芯片設(shè)計(jì)的，如果換了生產(chǎn)工藝，很多東西得要從頭再來(lái)。

ARM給華為的CPU核心架構(gòu)只是FPGA代碼，它不是工藝相關(guān)的，數(shù)字前端設(shè)計(jì)的工作會(huì)少不少，但后端設(shè)計(jì)有大量的工作要做。但ARM提供的僅僅是一個(gè)計(jì)算核心，外圍一個(gè)都沒(méi)有。外圍包括一些什么呢?比如USB IP核，沒(méi)有這個(gè)，手機(jī)就沒(méi)有USB功能;比如GPU，這個(gè)不用我多說(shuō)吧;比如音頻IP核，杜比音效就是這么來(lái)的;比如視頻解碼IP核，沒(méi)有這個(gè)，看視頻只能軟解;還有CPU功耗控制IP核，K3V2功耗低，說(shuō)明海思這一塊做得不錯(cuò)。這些外圍的IP核海思很多都是外購(gòu)的，海思也自主了一部分。所以說(shuō)看CPU真心不能只看頻率，外圍IP有好有壞，有些比較高端的IP核授權(quán)費(fèi)用非常高。即使買(mǎi)了很多IP核，但芯片也絕不是閉著眼睛就能整出來(lái)的。

順便說(shuō)一下，高通芯片外圍的IP核很多也是外購(gòu)的。再說(shuō)說(shuō)開(kāi)發(fā)K3V2的海思圖靈團(tuán)隊(duì)，這個(gè)團(tuán)隊(duì)的前身是海思平臺(tái)的數(shù)字什么開(kāi)發(fā)部，具體叫什么我忘了，做K3V2之前，也沒(méi)什么名聲。這個(gè)團(tuán)隊(duì)的技術(shù)實(shí)力和海思其它開(kāi)發(fā)部的技術(shù)實(shí)力差不多，因?yàn)樽鯧3V2的時(shí)候圖靈也沒(méi)有說(shuō)去別的部門(mén)抓厲害的壯丁進(jìn)去。另外，K3V2完全不能說(shuō)是海思做的最有技術(shù)含量的產(chǎn)品。海思成立七、八年了，做K3V2之前核心技術(shù)都在路由器芯片和安防芯片那塊。

大家可以去百度一下華為最新的高性能路由器，吞吐量是思科高性能路由器的好幾倍，至少領(lǐng)先思科一年。這是怎么做到的呢?因?yàn)槟切┞酚善饔玫氖呛Ｋ紝?zhuān)門(mén)定制的芯片，這些芯片也是ARM架構(gòu)的，只是外圍IP核變成了處理網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)的IP核，這些IP核都是有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的。把程序?qū)戇M(jìn)芯片是目前的一個(gè)趨勢(shì)，典型的例子就是原來(lái)播放rmvb都是用播放器軟解，軟解的時(shí)候CPU占用率非常高，稍微清晰一點(diǎn)的容易卡，而現(xiàn)在的CPU或顯卡基本都有硬解rmvb的的功能。把程序?qū)戇M(jìn)芯片可以讓程序跑得更快，所以華為的路由器在性能上可以超過(guò)思科。

所以說(shuō)海思絕對(duì)不是第一次做ARM，能做出四核K3V2也是有原因的，另外八核、十六核目前都在研發(fā)過(guò)程中。海思在做手機(jī)芯片時(shí)和國(guó)外廠商比，幾乎沒(méi)有任何優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槌薑3，原來(lái)基本沒(méi)有做過(guò)手機(jī)芯片，IP核自主化程度還比較低，優(yōu)勢(shì)還得靠積累，這個(gè)要慢慢來(lái)。另外，海思也有自己的核心技術(shù)，其它廠商來(lái)做路由芯片，不見(jiàn)得能比海思做得好。