當(dāng)前,
第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件
產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是
第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?/div>
發(fā)表于 12-16 14:19
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? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
發(fā)表于 12-05 09:37
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快速發(fā)展與創(chuàng)新實(shí)力在2024全國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)上,江西薩瑞微電子科技有限公司榮獲"2024全國第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"稱號(hào)。
發(fā)表于 10-31 08:09
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隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
發(fā)表于 10-30 11:24
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芯微電子有限公司攜“碳化硅模塊器件共性問題及產(chǎn)業(yè)協(xié)同解決思路”出席,并榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎(jiǎng)。本次大會(huì)核心圍繞著第三代半導(dǎo)體
發(fā)表于 10-28 11:46
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半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一
發(fā)表于 10-17 15:26
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火熱的7月,火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)!2024年7月8日至9日,備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇"在上海新國際博覽中心與慕尼黑
發(fā)表于 08-21 09:48
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光電子、高端軟件等核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破,這大大提高了對(duì)第三代半導(dǎo)體的需求。 ? 預(yù)計(jì)未來,隨著互聯(lián)網(wǎng)與信息技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,對(duì)第三代半導(dǎo)體的需
發(fā)表于 05-23 14:59
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第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體技術(shù)研究和新的產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn),具有戰(zhàn)略性和市場性雙重特征,是推動(dòng)移動(dòng)通信、新能源汽車、高速列車、智能電網(wǎng)、新型顯示、通信傳感等
發(fā)表于 05-20 10:15
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2月27日,深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌儀式在寶安石巖街道舉行。
發(fā)表于 03-07 16:48
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據(jù)悉,新華錦集團(tuán)計(jì)劃將該公司在山東平度市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)內(nèi)投入的20億元資金用于建立新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園區(qū),該項(xiàng)目將涵蓋年產(chǎn)量達(dá)5000噸的半導(dǎo)
發(fā)表于 02-22 13:52
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在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢下,近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注,市場以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度,擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過去的2023年,全球
發(fā)表于 02-18 00:03
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為首的第三代半導(dǎo)體材料在這一趨勢下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化,并成為替代部分硅基功率器件的明確趨勢。然而,目前行業(yè)仍存在一些挑戰(zhàn)和改進(jìn)的空間。未來需要對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)進(jìn)行
發(fā)表于 01-19 08:30
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第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢,在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月,第三代
發(fā)表于 01-04 16:13
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芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場,自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍,器件性能與國際頂級(jí)企業(yè)齊肩,并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/
發(fā)表于 12-26 10:02
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評(píng)論