1.通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是運(yùn)用二極管的單向?qū)щ娦詠硗杲Y(jié)防反接保護(hù)。如下圖1示:
圖1
這種接法簡略可靠,但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值抵達(dá)2A,如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管 MUR3020PT,額定管壓降為0.7V,那么功耗至少也要抵達(dá):Pd=2A×0.7V=1.4W,這樣功率低,發(fā)熱量大,要加散熱器。
2.其他還可以用二極管橋?qū)斎胱稣?,這樣電路就永久有正確的極性(圖2)。這些方案的缺點(diǎn)是,二極管上的壓降會(huì)消耗能量。輸入電流為2A時(shí),圖1中的電路功耗為1.4W,圖2中電路的功耗為2.8W。
圖1 一只串聯(lián)二極管保護(hù)系統(tǒng)不受反向極性影響,二極管有0.7V的壓降
圖2
圖2 是一個(gè)橋式整流器,不論什么極性都可以正常作業(yè),但是有兩個(gè)二極管導(dǎo)通,功耗是圖1的兩倍。
MOS管防反接,好處就是壓降小,小到幾乎可以忽略不計(jì)。現(xiàn)在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻,假設(shè)是6.5毫歐,通過的電流為1A(這個(gè)電流已經(jīng)很大了),在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來越便宜,所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。
NMOS管防止電源反接電路:
正確連接時(shí):剛上電,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,所以S的電位大概就是0.6V,而G極的電位,是VBAT,VBAT-0.6V大于UGS的閥值開啟電壓,MOS管的DS就會(huì)導(dǎo)通,由于內(nèi)阻很小,所以就把寄生二極管短路了,壓降幾乎為0。
電源接反時(shí):UGS=0,MOS管不會(huì)導(dǎo)通,和負(fù)載的回路就是斷的,從而保證電路安全。
PMOS管防止電源反接電路:
正確連接時(shí):剛上電,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,電源與負(fù)載形成回路,所以S極電位就是VBAT-0.6V,而G極電位是0V,PMOS管導(dǎo)通,從D流向S的電流把二極管短路。
電源接反時(shí):G極是高電平,PMOS管不導(dǎo)通。保護(hù)電路安全。
連接技巧
NMOS管DS串到負(fù)極,PMOS管DS串到正極,讓寄生二極管方向朝向正確連接的電流方向。
感覺DS流向是“反”的?
仔細(xì)的朋友會(huì)發(fā)現(xiàn),防反接電路中,DS的電流流向,和我們平時(shí)使用的電流方向是反的。
為什么要接成反的?
利用寄生二極管的導(dǎo)通作用,在剛上電時(shí),使得UGS滿足閥值要求。
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原文標(biāo)題:mos管防反接保護(hù)電路安全措施
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