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在低輸入電壓下,同步升壓型轉(zhuǎn)換器也能為大電流LED供電

模擬對話 ? 來源:NL ? 2019-04-16 15:57 ? 次閱讀

高功率LED在現(xiàn)代照明系統(tǒng)中的應用數(shù)量不斷激增,涵蓋汽車前照燈、工業(yè)/商業(yè)標識、建筑照明以及各種消費電子等應用。行業(yè)之所以轉(zhuǎn)向LED技術,是因為固態(tài)照明與傳統(tǒng)光源相比具有明顯的優(yōu)勢:電能轉(zhuǎn)換為光輸出不僅效率高,而且使用壽命長。

隨著越來越多的應用采用LED照明,為了提高光輸出,對LED更高電流的需求也日益增長。驅(qū)動大電流LED串的最大挑戰(zhàn)之一是在功率轉(zhuǎn)換器級保持高效率,從而提供穩(wěn)定調(diào)節(jié)的LED電流。功率轉(zhuǎn)換器效率不高體現(xiàn)為電流調(diào)節(jié)器電路的開關元件引起的發(fā)熱現(xiàn)象。

LT3762 是一款同步升壓型LED控制器,旨在減少高功率升壓型LED驅(qū)動器系統(tǒng)中常見的效率損耗源。該器件的同步運行可最大限度地減少異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會產(chǎn)生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅(qū)動器更高的輸出電流,特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能,通過配置一個板載DC-DC穩(wěn)壓器,即使輸入電壓降至7.5 V以下,也能為柵極驅(qū)動電路提供7.5 V的電壓。在低輸入電壓條件下提供強大的柵極驅(qū)動電壓源,使得MOSFET在輸入電壓降低時產(chǎn)生較少的熱量,從而使工作電壓輸入范圍最低達3 V。

該款升壓型LED控制器可配置為在100 kHz至1 MHz固定開關頻率之間工作,提供?30% × fSW展頻調(diào)制選項,以降低與開關相關的EMI能量峰值。LT3762可采用升壓、降壓或升壓/降壓拓撲驅(qū)動LED。高端PMOS斷開開關有助于PWM調(diào)光,并在LED處于開路/短路狀態(tài)時保護器件免受潛在損害。

LT3762采用內(nèi)部PWM發(fā)生器,利用單個電容和一個直流電壓來設置頻率和脈沖寬度,以實現(xiàn)高達250:1的PWM調(diào)光比,也可使用外部PWM信號實現(xiàn)高達3000:1的調(diào)光比。圖2中的原理圖顯示使用LT3762的演示電路應用(DC2342A),其中LT3762配置為在4 V至28 V的輸入電壓范圍內(nèi)以2 A(最高32 V)驅(qū)動LED。LT3762同步升壓型LED控制器采用4 mm × 5 mm QFN封裝和28引腳TSSOP封裝。

同步開關

在異步DC-DC轉(zhuǎn)換器拓撲中,肖特基箝位二極管用作無源開關,以簡化轉(zhuǎn)換器對單個MOSFET進行脈沖寬度調(diào)制的控制方案。雖然這確實簡化了控制,但它限制了輸出電流的大小。肖特基二極管與PN結(jié)器件一樣,在任何電流通過器件之前都會具有正向壓降。由于肖特基二極管的功耗是其正向壓降與電流的乘積,因此輸出電流水平過高將產(chǎn)生數(shù)瓦的導通功耗,從而使肖特基二極管升溫,最終導致轉(zhuǎn)換器效率降低。

LT3762同步開關轉(zhuǎn)換器與異步轉(zhuǎn)換器不同,不會有輸出電流受限的情況,這是因為同步轉(zhuǎn)換器采用第二MOSFET代替肖特基二極管。MOSFET與肖特基二極管不同,它沒有正向壓降。相反,當MOSFET處于完全增強狀態(tài)時,其漏極到源極間的電阻非常小。在大電流下,MOSFET產(chǎn)生的導通損耗遠低于肖特基二極管,因為功耗與漏源電阻的平方和通過器件的電流的乘積成正比。即使在最低7 V的全功率輸入電壓下,MOSFET也只會面臨大約30°C的溫升(如圖3所示)。

低輸入電壓工作

高功率升壓型LED控制器的另一個挑戰(zhàn)發(fā)生在低輸入電壓工作期間。大多數(shù)升壓型DC-DC穩(wěn)壓器IC使用由器件輸入端供電的內(nèi)部LDO穩(wěn)壓器,為IC中的模擬和數(shù)字控制電路提供較低的電壓電源。在從內(nèi)部LDO穩(wěn)壓器獲取電源的電路中,柵極驅(qū)動器消耗的功率最大,并且它的性能受LDO穩(wěn)壓器輸出波動的影響。當輸入電壓降至LDO的輸出電壓以下時,LDO輸出開始驟降,這將限制柵極驅(qū)動器正常增強MOSFET的能力。當MOSFET處于未完全增強狀態(tài)時,它們工作于較高電阻狀態(tài),因此當電流通過器件時會以熱量形式耗散功率。

升壓轉(zhuǎn)換器拓撲中的低輸入電壓工作特性將導致輸入電流較高,當該電流必須流過電阻更大的MOSFET器件時,會加劇導通損耗。根據(jù)穩(wěn)壓器IC的柵極驅(qū)動電壓,這會嚴重限制器件可實現(xiàn)且不發(fā)生過熱的低輸入電壓范圍。

LT3762采用集成式降壓-升壓型DC-DC穩(wěn)壓器,而非LDO穩(wěn)壓器,即使輸入電壓很低時,也可為內(nèi)部電路提供7.5 V的電壓。該降壓-升壓型穩(wěn)壓器僅占用LT3762 IC的三個引腳,只需兩個額外元件。與具有4.5 V和6 V最小輸入電壓的內(nèi)部LDO控制器器件相比,LT3762能夠?qū)⑤斎腚妷汗ぷ鞣秶孪迶U展至3 V。降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器的7.5 V輸出可為柵極驅(qū)動器提供電源,并允許使用6 V/7 V柵極驅(qū)動MOSFET。MOSFET的柵極驅(qū)動電壓越高,往往漏源電阻就越低,并且與柵極驅(qū)動電壓較低的類似器件相比,(除開關損耗以外)工作效率更高。

靈活的拓撲

ADI公司大多數(shù)其他升壓型LED驅(qū)動器一樣,LT3762驅(qū)動LED的模式可重新配置,既可采用升壓配置,也可采用降壓、升壓-降壓和降壓-升壓模式。在這些升壓型轉(zhuǎn)換器的拓撲變體中,利用ADI公司獲得專利的升壓-降壓模式配置可作為升壓/降壓型轉(zhuǎn)換器工作,同時還具有低EMI工作的優(yōu)勢。該拓撲利用兩個電感,一個面向輸入,另一個則面向輸出,幫助濾除開關所產(chǎn)生的噪聲。這兩個電感有助于抑制耦合到輸入電源、可能連接的其他器件以及LED負載的EMI。

還可在升壓-降壓模式的拓撲中添加額外電路,以提供LED–節(jié)點到GND的短路保護。圖5中的原理圖顯示LT3762采用升壓-降壓模式配置,并增加了該保護電路。當LED–短路到GND時,會強制關閉M4,以阻斷經(jīng)過電感到輸入的導通路徑并防止過度消耗電流。強制關閉M4時,D3將EN/UVLO引腳拉至低電平,從而在消除短路前阻止轉(zhuǎn)換器開關。將這一額外保護電路與LT3762的內(nèi)置開路/短路檢測結(jié)合使用,就能獲得一個能夠應對惡劣環(huán)境中各種故障狀況的強健解決方案。

結(jié)論

異步升壓型轉(zhuǎn)換器正常工作時,通常很難避免在提供高輸出電流時,不會產(chǎn)生大量的功率損失并造成箝位二極管發(fā)熱。除了肖特基二極管產(chǎn)生的損耗之外,這些轉(zhuǎn)換器在輸入電壓降低時難以保持最大功率輸出能力,這限制了輸入范圍內(nèi)的功率輸出。異步DC-DC轉(zhuǎn)換器根本無法適用于更高功率水平,因此必須采用同步開關方案以滿足應用規(guī)格要求。LT3762升壓型LED控制器通過其同步開關解決了提供大電流輸出的問題,由于采用了板載DC-DC轉(zhuǎn)換器,它能夠在更低的輸入電壓下工作,并且可靈活采用各種電路拓撲。

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