mos晶體管,金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路。
MOS晶體管的應(yīng)用
mos管是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點(diǎn),在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。
場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的,雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管,但稍不注意,也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中,當(dāng)晶體管關(guān)閉的時(shí)候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是,現(xiàn)實(shí)中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方面嚴(yán)重減小了低功耗設(shè)備的電池使用
發(fā)表于 11-19 09:14
?495次閱讀
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
?3090次閱讀
對(duì)于從事芯片行業(yè)的人員來說,還是有必要了解數(shù)字電路中的一些基本概念,例如用作邏輯開關(guān)的 MOS 晶體管。當(dāng)然,我們的目的是了解現(xiàn)代芯片中的行為本質(zhì),而不需要陷入半導(dǎo)體物理方程。
發(fā)表于 07-29 10:02
?719次閱讀
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,晶體管是實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大、開關(guān)控制等功能的關(guān)鍵元件。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,晶體管的尺寸不斷縮小,性能不斷提升。3MOS和4MOS作為兩種典型的
發(fā)表于 07-25 09:30
?1020次閱讀
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛應(yīng)用于電子器件的半導(dǎo)體材料,其開啟電壓(Threshold Voltage,簡稱Vth)是指使MOS晶體管從
發(fā)表于 07-14 11:30
?1367次閱讀
,T3Ster用來測(cè)量封裝半導(dǎo)體器件以及其他電子設(shè)備的瞬態(tài)熱特性,測(cè)量的器件包括分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見的三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管,各種封裝類型的器件和微機(jī)
發(fā)表于 04-25 09:12
?729次閱讀
保護(hù)器件半導(dǎo)體元器件
薩瑞微電子
發(fā)布于 :2024年04月15日 16:05:26
保護(hù)器件半導(dǎo)體元器件
薩瑞微電子
發(fā)布于 :2024年04月15日 16:03:32
保護(hù)器件半導(dǎo)體元器件
薩瑞微電子
發(fā)布于 :2024年04月15日 16:01:44
在柵極電荷方法中,將固定測(cè)試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測(cè)量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
發(fā)表于 04-10 14:22
?1719次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管BSH201數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-22 17:19
?0次下載
MOS管晶體管
微碧半導(dǎo)體VBsemi
發(fā)布于 :2024年03月13日 17:27:00
達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達(dá)林頓對(duì)(Darlington Pair),是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu),第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流
發(fā)表于 02-27 15:50
?5300次閱讀
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
發(fā)表于 02-26 10:40
?1918次閱讀
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來控制機(jī)械開關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOS管)是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
發(fā)表于 02-18 10:16
?4775次閱讀
評(píng)論