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SK海力士第一季營(yíng)益慘摔近70% 估計(jì)今年NAND晶圓投片量將年減10%以上

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-04-28 16:26 ? 次閱讀

存儲(chǔ)器循環(huán)暴起暴落,價(jià)格重挫和需求降溫,讓 SK 海力士(SK Hynix)第一季營(yíng)益慘摔近 70%,為 2016 年第三季以來最糟表現(xiàn)。

SK 海力士 25 日新聞稿稱,今年第一季營(yíng)收為 6.77 兆韓圓,季減 32%、年減 22%。營(yíng)益為 1.37 兆韓圓(約 12 億美元),季減和年減幅度均為 69%。凈利為 1.10 兆韓圓,季減 68%、年減 65%。

SK海力士第一季營(yíng)益慘摔近70% 估計(jì)今年NAND晶圓投片量將年減10%以上

Source:SK 海力士

Pulse 報(bào)導(dǎo),市場(chǎng)原本估計(jì)營(yíng)益為 1.6 兆韓圓。

DRAM 部分,受到季節(jié)趨勢(shì)和服務(wù)器采購(gòu)保守影響,DRAM 位元出貨量季 減8%、平均售價(jià)下滑 27%。NAND Flash 部分,由于庫(kù)存水位仍高,供應(yīng)商競(jìng)爭(zhēng)加劇,位元出貨量季減 6%,平均售價(jià)減少 32%。

SK海力士將加強(qiáng)研發(fā),因應(yīng)頹靡市況。今年下半,該公司會(huì)逐步提高 1Xnm 比重,并開始出售 1Ynm 產(chǎn)品。據(jù)悉,1Xnm 是指 16~19 納米產(chǎn)品,1Ynm 是 14~16 納米;另外,1Znm 是 12~14 納米。

SK 海力士將專注提高 NAND Flash 獲利,已停產(chǎn)成本相對(duì)較高的 36 層和 48 層 3DNAND,并將提高 72 層 NAND 的生產(chǎn)比重。下半年要以 96 層 4D NAND,強(qiáng)化在 SSD(固態(tài)硬盤)和行動(dòng)市場(chǎng)地位。

考量到需求,SK 海力士的南韓清州 M15 廠,增產(chǎn)速度將低于預(yù)期,估計(jì)今年 NAND 晶圓投片量將年減 10% 以上。

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