4N60器件的特性分析
UTC 4N60是一個高電壓MOSFET ，并設計成有更好的特性，如快速開關時間，低門電荷，低通態(tài)電阻，并具有高耐用雪崩的特點。這個功率MOSFET通常用在高速開關電源中的應用， PWM馬達控制，高高效率的DC -DC轉換器和電橋電路。4n60一般有耗盡型和強化型兩種。
特征：
1、4A，600V， RDS（on）=2.5Ω@Vgs=10V
2、極低柵電荷，典型15nC
3、極低反向轉換電容；典型8pF
4、快速開關能力
5、增強的dV/di能力
6、100%雪崩擊穿測試
7、封裝型式：TO-220/TO-220F
8、最大結溫 150 ℃
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