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巨量轉(zhuǎn)移制程簡(jiǎn)化!一種制造高性能Micro-LED顯示器的新方法

XcgB_CINNO_Crea ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-05-24 09:45 ? 次閱讀

在Display Week,來(lái)自CEA-Leti的研究人員發(fā)表了幾篇有關(guān)RGB Micro-LED像素制造及其向大尺寸驅(qū)動(dòng)面板轉(zhuǎn)移的論文。

第一篇論文《一種制造高性能Micro-LED顯示器的新方法》中,展示了該公司制造全彩色Micro-LED顯示器的新方法,該方法取消了多個(gè)存在于傳統(tǒng)制作方案中的工藝步驟。傳統(tǒng)工藝中,制作人員會(huì)先從原生晶圓上連續(xù)切割出藍(lán)色,綠色和紅色Micro-LED,然后將它們轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的TFT驅(qū)動(dòng)背板上,或者將它們與獨(dú)立的CMOS驅(qū)動(dòng)器鍵合為一個(gè)整體,最后再將這個(gè)整體單獨(dú)轉(zhuǎn)移到底板上(轉(zhuǎn)移過程涉及四個(gè)甚至更多的步驟)。但是在這篇論文中,研究人員首先將一片藍(lán)色Micro-LED外延片和一整片CMOS驅(qū)動(dòng)電路晶圓鍵結(jié)合在一起,然后他們直接在外延片上制作InGaN藍(lán)色Micro-LED,進(jìn)而在晶圓級(jí)工藝制程中制成單個(gè)的RGB Micro-LED像素,最后制作人員在該藍(lán)色Micro-LED上涂布足夠的轉(zhuǎn)換熒光粉,以獲得綠色和紅色發(fā)光像素。

上方為基于CMOS驅(qū)動(dòng)集成方案制造Micro-LED顯示器的簡(jiǎn)化轉(zhuǎn)移步驟;下方為該CMOS驅(qū)動(dòng)集成方案最小單元的細(xì)節(jié)圖,包括CMOS驅(qū)動(dòng)和R、G和B Micro-LED(圖片來(lái)源:eeNews)

這篇論文中,研究人員基于所提方案制成了一個(gè)完整的RGB Micro-LED晶圓,他們將它切割成數(shù)以萬(wàn)計(jì)的RGB Micro-LED,不過這里每一個(gè)RGB Micro-LED已經(jīng)與底層CMOS驅(qū)動(dòng)電路鍵合。更重要的是,晶圓級(jí)制程工藝讓Micro-LED同CMOS驅(qū)動(dòng)基板間的鍵合效果更好,這讓研究人員在轉(zhuǎn)移之前對(duì)單個(gè)RGB-LED-on-CMOS芯片的測(cè)試變得更加容易。

傳統(tǒng)復(fù)雜的轉(zhuǎn)移方案:先切割分離出藍(lán)色,紅色和紅色晶圓上相應(yīng)的Micro-LED,然后將它們和CMOS驅(qū)動(dòng)單元一個(gè)一個(gè)地轉(zhuǎn)移到接收基板上(圖片來(lái)源:eeNews)

接下來(lái),這些一體化RGB Micro-LED只需要再做一個(gè)步驟就可以轉(zhuǎn)移到接收背板(Receiving Substrate)上。這里的接收基板由行列導(dǎo)電線路構(gòu)成的無(wú)源柵格組成,它不需要TFT基板因而也不受相關(guān)的驅(qū)動(dòng)尺寸限制(與大尺寸CMOS驅(qū)動(dòng)基板相比,載流子遷移率較低低)。

“這一尚處于概念驗(yàn)證階段的新工藝將為商用高性能Micro-LED顯示器的生產(chǎn)制造鋪平道路,”CEA-Leti光子器件戰(zhàn)略營(yíng)銷經(jīng)理Fran?oisTemplier解釋說,他是該論文的第一作者。

實(shí)際上,制成高分辨率Micro-LED顯示器的最大挑戰(zhàn)之一是改善驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的性能,這需要更高的功率和更快的電子器件來(lái)為固定幀時(shí)間內(nèi)的數(shù)百萬(wàn)像素供電。目前,業(yè)界常用的TFT有源矩陣基板還無(wú)法提供Micro-LED工作所需的必要電流和速度。

采用這篇論文介紹的方法,這里的接收基板甚至可以用非光刻技術(shù)制造,例如噴墨或模版印刷,而且在幾乎任何種類的材料(如玻璃,塑料,金屬)上,無(wú)論是剛性還是柔性材料,都可以制作大于100英寸的顯示器。

在另外一篇題為“基于微管互連傳輸?shù)腗icro-LED顯示器”的論文中,該公司還提出了一種無(wú)焊接互連機(jī)制的解決方案。基于該方案,無(wú)論轉(zhuǎn)移過程涉及的像素間距如何,生產(chǎn)方都能在基板上實(shí)現(xiàn)成本效益。

作為一個(gè)例子,研究人員設(shè)想將使用晶圓級(jí)制造工藝制成的小間距Micro-LED以更大的像素間距(50至500μm)轉(zhuǎn)移到接收基板上。這意味著發(fā)光區(qū)域?qū)⒃诿總€(gè)像素內(nèi)留下足夠的自由空間,OEM可以使用它來(lái)提升顯示透明度或集成其他的顯示功能,例如光學(xué)傳感。

左圖為基于混合型Micro-LED的無(wú)源矩陣的SEM視圖,右圖為兩側(cè)設(shè)計(jì)中空微管的Micro-LED特寫示意圖(圖片來(lái)源:eeNews)

在這里,作者提出使用他們?cè)谥暗恼撐闹醒菔具^的微管互連技術(shù),它可以通過室溫下的一次壓配操作確保電氣機(jī)械連接效果。這里的微管直接生長(zhǎng)在基板上,由剛性鎢硅化物支撐結(jié)構(gòu)上構(gòu)建的微柱組成。這里的Micro-LED使用底發(fā)光結(jié)構(gòu),光朝向外延襯底發(fā)射。為了壓配連接,設(shè)計(jì)人員將N和P接觸焊盤都設(shè)計(jì)在了頂部(N觸點(diǎn)通過有源側(cè)連接到頂部),因此這些相對(duì)柔軟可變形的焊盤在最終被壓到硬微管上之后,就可以形成牢固的電氣和機(jī)械連接。

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原文標(biāo)題:Micro LED|巨量轉(zhuǎn)移制程簡(jiǎn)化!法國(guó)Leti開發(fā)出基于CMOS的新工藝

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