IRFP4227PBF功率晶體管的特性及應用
此HEXFET功率MOSFET專門設計用于維持能量恢復和通過開關應用在等離子顯示面板中。此MOSFET利用最新處理技術實現(xiàn)對每個硅區(qū)域和低脈沖的電阻。此MOSFET的其他特性是175°共操作結(jié)溫度和高重復峰值電流能力。這些功能結(jié)合使此MOSFET A高效堅固可靠設備用于PDP駕駛應用。
特征
1、先進工藝技術
2、為PDP維持、能量回收和通過開關應用優(yōu)化的關鍵參數(shù)
3、在PDP維持、能量回收和通過開關應用中降低功耗的低脈沖額定值
4、QG低，反應快
5、高重復峰值電流能力，運行可靠
6、快速切換的短時下降和上升時間
7、175°C操作接頭溫度，提高耐用性
8、具有重復雪崩能力，堅固可靠。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
面板
+關注
關注
13文章
1675瀏覽量
53836 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9682瀏覽量
138080 -
MOSEFT
+關注
關注
0文章
35瀏覽量
4412
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
晶體管的結(jié)構(gòu)特性
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。
發(fā)表于 08-17 14:24
功率晶體管（GTR）的特性
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理
發(fā)表于 01-15 11:59
功率晶體管（GTR）的特性
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理
發(fā)表于 01-25 11:27
晶體管的分類與特征
，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數(shù)。世界上最早的晶體管是雙極晶體管
發(fā)表于 11-28 14:29
晶體管的分類與特征
不同的是，用于放大或?qū)?關斷的偏置電流會流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數(shù)。世
發(fā)表于 06-09 07:34
IRFP管簡介 電子資料
IRFP管是金屬氧化物半導體場效應晶體管的一種新型管子，廣泛應用在全固態(tài)中波廣播發(fā)射機中，常見有大功率IRFF240、IRFP250系列。這
發(fā)表于 04-20 06:27
什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關
發(fā)表于 02-03 09:36
什么是達林頓晶體管？
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器?！ ∵_林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
發(fā)表于 02-16 18:19
高頻晶體管的特性與使用技巧
高頻晶體管的特性與使用技巧目前已經(jīng)商品化的高頻晶體管，大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor，雙極性接點晶體管)Si—MOSFETS
發(fā)表于 10-04 09:31
?44次下載
IRFP4668PBF HEXFET功率MOSFET的規(guī)格數(shù)據(jù)手冊免費下載
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是IRFP4668PBF HEXFET功率MOSFET的規(guī)格數(shù)據(jù)手冊免費下載。
發(fā)表于 11-21 08:00
?33次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評論