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弘模半導體

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毫米波雷達在金屬和鋼鐵行業(yè)的應(yīng)用

近些年來,毫米波雷達在各行各業(yè)漸漸嶄露頭角,其中在金屬工業(yè)的各個領(lǐng)域,比如從高爐和連鑄廠的鋼、銅和鋁....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 11-22 10:55 ?225次閱讀

?毫米波雷達芯片120GHz 1發(fā)2收芯片介紹

最近合作伙伴發(fā)布了新款的120GHz 1發(fā)2收芯片,在這里給大家做一個簡單的介紹。
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 04-17 10:17 ?1785次閱讀
?毫米波雷達芯片120GHz 1發(fā)2收芯片介紹

基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用

最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片,在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標,針對應(yīng)....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 11-16 09:19 ?1298次閱讀
基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用

SiGe HBT芯片在成像方面的應(yīng)用簡析

基于計算機斷層掃描原理的三維太赫茲成像(太赫茲 CT)是可能探索的新興應(yīng)用之一,太赫茲輻射是非電離的....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 10-08 11:26 ?1550次閱讀
SiGe HBT芯片在成像方面的應(yīng)用簡析

基于偏置溫度不穩(wěn)定(BTI)的技術(shù)

最近,中科院微電子研究所劉明院士、李泠研究員團隊在先進邏輯工藝可靠性問題的緊湊模型取得最新研究成果,....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 07-28 09:14 ?9162次閱讀
基于偏置溫度不穩(wěn)定(BTI)的技術(shù)

開發(fā)一個基礎(chǔ)的毫米波雷達探測系統(tǒng)

毫米波雷達的應(yīng)用在不同的領(lǐng)域慢慢嶄露頭角,特別在工業(yè)4.0,機器人,自動化,生物檢測,安防等方面其重....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 05-23 14:35 ?2925次閱讀
開發(fā)一個基礎(chǔ)的毫米波雷達探測系統(tǒng)

關(guān)于中歐半導體產(chǎn)業(yè)平臺的發(fā)展分析

的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 10:57 ?1489次閱讀

關(guān)于芯片失效分析的重要性介紹和應(yīng)用

FA的專業(yè)服務(wù)能為XMOD 中歐半導體產(chǎn)業(yè)平臺服務(wù)上提供給設(shè)計公司更完善的配套服務(wù),因此, XMOD....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 10:48 ?3406次閱讀

關(guān)于高電壓界面的ESD解決方案的分析和介紹

對于很多客戶來講, 有些產(chǎn)品在系統(tǒng)級對IEC61000-4-2有要求, 一般大家都在OFF CHIP....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 10:37 ?3398次閱讀
關(guān)于高電壓界面的ESD解決方案的分析和介紹

關(guān)于器件模型和PDK二次開發(fā)和盜版的糾葛和分析介紹

半導體廠一般提供給設(shè)計公司-45度到125度之間的PDK用于電路仿真。如果超出這個溫度,比如超低溫(....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 10:19 ?6530次閱讀
關(guān)于器件模型和PDK二次開發(fā)和盜版的糾葛和分析介紹

關(guān)于On-chip ESD 公司的成功之路分析和介紹

俗話說,打鐵還需自身硬,在這個方面,Sofics 是個典型的例子。 他們從不吝嗇用每年收入的10%左....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 09:58 ?3434次閱讀
關(guān)于On-chip ESD 公司的成功之路分析和介紹

關(guān)于122GHz雷達套裝系統(tǒng)和芯片性能分析和介紹

接受機TRX_120_01 封裝里帶天線:此產(chǎn)品非常適合FMCW雷達,短距離,高精度距離和速度探測器....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 09:44 ?6355次閱讀
關(guān)于122GHz雷達套裝系統(tǒng)和芯片性能分析和介紹

關(guān)于122GHz雷達前端在無人機領(lǐng)域中的運用分析和介紹

各種無人機依靠先進的電子系統(tǒng)來收集周圍物體和障礙物信息。這個對傳感器系統(tǒng)有非常特殊的要求,比如: 小....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 09:36 ?4508次閱讀
關(guān)于122GHz雷達前端在無人機領(lǐng)域中的運用分析和介紹

關(guān)于硅光電應(yīng)用下的on-chip ESD的性能分析和介紹

最近公司接觸的項目中,因為所有其他功都能高度集成在一個CMOS芯片上,外部只需要激光二極管。為了讓C....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 09:27 ?2468次閱讀
關(guān)于硅光電應(yīng)用下的on-chip ESD的性能分析和介紹

關(guān)于超低功耗器件的模型問題分析和應(yīng)用

比如在Vg=0V時候, 器件的漏電流來自SUBTHRESHOLD 區(qū)域, 可以看出,這個區(qū)域, 漏電....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 09:18 ?3096次閱讀
關(guān)于超低功耗器件的模型問題分析和應(yīng)用

關(guān)于快速成像雷達系統(tǒng)的分析和應(yīng)用

通過OFDM-MIMO雷達架構(gòu)下的SiGe工藝技術(shù),充分實現(xiàn)了低成本的系統(tǒng)解決方案。相比原先傳統(tǒng)方法....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 09:10 ?3813次閱讀

關(guān)于減少LCD Driver IC芯片制造成本的方法分析和指南

移植到客戶的過程和第一產(chǎn)品驗證也在一個硅周期內(nèi)完成,從項目開始,總共只有6個月。緊接著第一個新的使用....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 09:03 ?3474次閱讀
關(guān)于減少LCD Driver IC芯片制造成本的方法分析和指南

關(guān)于IEC 61000-4-2下的ESD的性能分析和應(yīng)用

在第一個硅產(chǎn)品實現(xiàn)通過其性能規(guī)格后,但CORNER(邊際)分析表明,還是存在大規(guī)模生產(chǎn)失敗的風險。使....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 08:53 ?4894次閱讀

關(guān)于靜電保護(ESD) 中的CDM需求的發(fā)和應(yīng)用

特別重要的是,first-time-right IC release對設(shè)計公司來說,越來越迫切,在這....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 08:46 ?22545次閱讀
關(guān)于靜電保護(ESD) 中的CDM需求的發(fā)和應(yīng)用

關(guān)于歐盟SUCCESS研發(fā)項目的方案設(shè)計分析

SUCCESS項目成功匯集了有特色的技術(shù)公司和優(yōu)秀的學術(shù)機構(gòu),涵蓋了電子系統(tǒng)開發(fā)鏈的所有步驟。 這包....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-09 08:40 ?3144次閱讀
關(guān)于歐盟SUCCESS研發(fā)項目的方案設(shè)計分析

關(guān)于MOS-AK hangzhou Agenda的分析和介紹

模型對很多半導體從業(yè)人員比較陌生,作為半導體產(chǎn)業(yè)核心價值的模型產(chǎn)業(yè)在國內(nèi)也是比較弱小的,其主要原因是....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:56 ?1495次閱讀
關(guān)于MOS-AK hangzhou Agenda的分析和介紹

回顧關(guān)于MOS-AK hangzhou 器件模型的介紹和分析

隨著工藝節(jié)點的減小,F(xiàn)inFET的新結(jié)構(gòu)也越來越受人關(guān)注,不僅在數(shù)字應(yīng)用方面,RF也有應(yīng)用。 由于器....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:51 ?2644次閱讀
回顧關(guān)于MOS-AK hangzhou 器件模型的介紹和分析

關(guān)于調(diào)頻連續(xù)波雷達芯片的性能分析和介紹

FMCW雷達系統(tǒng)信號泄漏校正方法包括在信號鏈路中加入高通或帶通濾波器,硬件去斜,直流消除的軟件去斜,....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:47 ?4651次閱讀
關(guān)于調(diào)頻連續(xù)波雷達芯片的性能分析和介紹

關(guān)于122GHz雷達芯片設(shè)計中的信號泄漏的性能分析和介紹

雷達整體芯片的設(shè)計是一個眾關(guān)全局的事情,除了注意信號的泄漏這個關(guān)鍵節(jié)點外,小型化,芯片模塊的設(shè)計,指....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:42 ?3481次閱讀
關(guān)于122GHz雷達芯片設(shè)計中的信號泄漏的性能分析和介紹

關(guān)于太赫茲應(yīng)用下的高頻器件的性能分析和介紹

傳統(tǒng)基于長短線的TRL校準件,引起的測試問題還存在于由于Line太長,通常需要把探針間距拉到和線匹配....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:31 ?4526次閱讀
關(guān)于太赫茲應(yīng)用下的高頻器件的性能分析和介紹

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

從上面的應(yīng)用來看,原子仿真的優(yōu)勢是明顯的,對于材料,器件特性有非常深入和準確的描述,特別針對于目前熱....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:25 ?3819次閱讀
關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

關(guān)于光鏈路需要定制的ESD靜電保護的應(yīng)用和介紹

在過去的10年中,國際上很多設(shè)計硅光子學產(chǎn)品的公司 (LUXTERA, RocklyPhotonic....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:19 ?2538次閱讀
關(guān)于光鏈路需要定制的ESD靜電保護的應(yīng)用和介紹

關(guān)于On-chip ESD 在物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展和介紹

許多創(chuàng)新系統(tǒng)都是低成本和移動的,這也與ESD有關(guān)。為了減少尺寸和物料清單(BOM),系統(tǒng)設(shè)計人員從小....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:12 ?2733次閱讀

關(guān)于On-chip ESD在物聯(lián)網(wǎng)中的應(yīng)用和介紹

針對于上述的問題, 作為在on-chip ESD 領(lǐng)域耕耘了近20年的Sofics, 提出了很多Si....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:07 ?2245次閱讀
關(guān)于On-chip ESD在物聯(lián)網(wǎng)中的應(yīng)用和介紹

關(guān)于On-chip ESD 資源的介紹和分析

很多朋友會疑問,采用SOFICS的ESD解決方案有什么優(yōu)點嗎,總的來說,因為有很多項目經(jīng)驗,成熟的解....
的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 11:03 ?3451次閱讀
關(guān)于On-chip ESD 資源的介紹和分析
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