場效應(yīng)管作為電壓可控的電阻器電路圖
場效應(yīng)管作為電壓可控的電阻器電路圖
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2023-09-02 11:31:13939
場效應(yīng)管和可控硅有什么區(qū)別?
工作原理 場效應(yīng)管(FET)是一種三極管,可以通過改變柵極電壓調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電阻。場效應(yīng)管的原理是利用電場控制載流子濃度,其主要特點是輸入電阻大,高頻特性好。場效應(yīng)管可以分為N溝道和P溝道兩種結(jié)構(gòu)。 可控硅(SCR)是一種雙
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場效應(yīng)管的參數(shù)
場效應(yīng)管的參數(shù)場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù):1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓U GS=0時的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
場效應(yīng)管的作用
場效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常,場效應(yīng)管的主體與源極端子相連,從而形成三端器件,例如場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)管通常被認為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。
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場效應(yīng)管的工作原理和種類
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱 FET)是一種三端半導體器件,其特點是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快、功耗低等。FET分為兩種類型:JFET(結(jié)型場效應(yīng)管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)管)。
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2023-02-17 15:44:052285
場效應(yīng)管制作觸摸開關(guān)_場效應(yīng)管制作逆變器
場效應(yīng)管制作觸摸開關(guān)
1 材料:一個260Ω電阻、LED貼片燈、DG2N60場效應(yīng)管。
2 工具:電烙鐵、熱熔膠槍、鑷子。
3 電路圖。
2023-02-11 15:03:50979
場效應(yīng)管在電路中的應(yīng)用
場效應(yīng)管MOSFET 是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常,場效應(yīng)管MOSFET的主體與源極端子相連,從而形成三端器件,例如場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)管MOSFET 通常被認為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-01-08 10:00:591041
場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識
用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。從參與導電的載流子來劃分,它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來劃分,它有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管之分。
2022-09-20 10:52:132345
場效應(yīng)管/可控硅的典型驅(qū)動電路
場效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動電路是有本質(zhì)上的差異,首要場效應(yīng)管通常分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管,可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅(可控硅也叫晶閘管,可分單向晶閘管和雙向晶閘管),其間絕緣柵型
2020-09-26 10:55:3915243
場效應(yīng)管與晶體管的比較_場效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域
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場效應(yīng)管的識別與檢測
場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管的簡稱,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等?yōu)點,特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路。場效應(yīng)管和三極管都能實現(xiàn)信號的控制和放大,但由于它們的結(jié)構(gòu)和工作原理截然不同,所以二者的差別很大。三極管是一種電流控制元件,而場效應(yīng)管是一種電壓控制器件。
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場效應(yīng)管開關(guān)電路原理
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場效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小_場效應(yīng)管測量方法圖解
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場效應(yīng)管逆變器電路圖大全(六款場效應(yīng)管逆變器電路圖)
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場效應(yīng)管作用是什么_場效應(yīng)管到底好在哪
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場效應(yīng)管放大電路圖大全(五款場效應(yīng)晶體管放大電路原理圖詳解)
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場效應(yīng)管發(fā)熱嚴重的原因
本文主要介紹了場效應(yīng)管發(fā)熱嚴重的原因以及場效應(yīng)管的工作原理。場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導電,用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。由于電路設(shè)計、頻率太高、沒有做好足夠的散熱設(shè)計以及MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,都有可能造成場效應(yīng)管發(fā)熱嚴重。
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采用結(jié)型場效應(yīng)管加大輸入電壓范圍電路
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