硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡介 產(chǎn)業(yè)界以第一代標(biāo)準(zhǔn)肖特基結(jié)構(gòu)做成的肖特基二極管（SBD）漏電流大，反向耐壓低，產(chǎn)品競爭力差，商業(yè)應(yīng)用價值低。為了提升產(chǎn)品競爭力，碳化硅肖特基二極管的結(jié)構(gòu)也從標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
能對升壓二極管起保護(hù)作用。我的觀點(diǎn)是：1：PFC續(xù)流二極管碳化硅的應(yīng)用.2：雷擊浪涌實(shí)驗(yàn)而需要加旁路二極管。具體原因我在附件里面已經(jīng)描述了。
2021-01-28 14:10:17
，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點(diǎn)：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降
2017-05-22 14:07:53
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
最近比較熱門的
碳化硅二極管是用
碳化硅為原料的
二極管。目前常見的多為高壓的肖特基
碳化硅二極管，其優(yōu)點(diǎn)：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅
二極管。但是可以做高壓的
二極管。在
PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔?/div>
2014-04-26 13:42:10
：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受沖擊電流
2016-11-14 20:04:40
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
來制成發(fā)光二極管，在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能；常簡寫為LED。發(fā)光二極管
2012-07-12 15:40:31
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）?；景雽?dǎo)體的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術(shù)，與硅 FRD對比的主要優(yōu)點(diǎn)有： 圖9 二極管反向恢復(fù)
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
電路設(shè)計(jì)，利用傳統(tǒng)Ｈ橋電路設(shè)計(jì)高輸入電壓（大于600V）隔離變換電路，而不需要三電平等復(fù)雜電路，簡化電路和驅(qū)動設(shè)計(jì)。同時每個開關(guān)狀態(tài)導(dǎo)通損耗降低；碳化硅體二極管反向恢復(fù)時間和電荷遠(yuǎn)小于650V硅
2016-08-05 14:32:43
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
》 Gen3 02 電源效率對比 碳化硅肖特基二極管應(yīng)用在1500W電源的PFC電路中（位置如下圖）?！ y試條件： 輸入電壓 100V、220V 輸出電壓 48V 輸出電流30A 圖（3
2023-02-28 17:13:35
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用SiC肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因數(shù)校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著降低
2023-02-07 15:59:32
?快恢復(fù)二極管電路容易擊穿是常見的問題，當(dāng)快恢復(fù)二極管電路出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象的時候應(yīng)該怎么去做呢？ 快恢復(fù)二極管電路中，擊穿是因?yàn)槟蛪褐挡粔蚋咚?，燒毀是因?yàn)轭~定電流小所致。建議替換成耐壓值較高，額定電流
2021-01-27 14:11:38
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
可以看出，SiC二極管一般應(yīng)用于車載充電機(jī)產(chǎn)品中，作為PFC二極管和DC-DC次級整流二極管使用?！ ∏凹?b class="flag-6" style="color: red">PFC選擇： ■ 單相一般采用BOOST結(jié)構(gòu)，建議使用650V 10A、12A、15A
2023-02-27 14:35:13
新能源車載DC/DC電路中，由于輸入電壓范圍極寬，輸出低壓大電流，移相電路是一個好的選項(xiàng)。當(dāng)然，移相電路同樣可以用在直流快充的系統(tǒng)中來做到更寬輸出電壓范圍。碳化硅MOSFET由于高耐壓，低損耗和低體二極管
2016-08-25 14:39:53
μs以內(nèi)起作用。采用二極管或電阻串檢測短路，短路保護(hù)最短時間限制在1.5μs左右。 1）高dv/dt及di/dt對系統(tǒng)影響 在高壓大電流條件下進(jìn)行開關(guān)動作時，器件開關(guān)會產(chǎn)生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與 硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受
2020-09-18 17:00:12
C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:35:42
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:37:08
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:18:42
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 11:50:51
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 16:59:38
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 17:04:50
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 17:13:08
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 17:20:01
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 17:26:29
碳化硅肖特基
二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基
二極管結(jié)構(gòu)（
JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)
二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基
二極管具有理想的反向恢復(fù)特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:05
6028 高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591313 碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復(fù)時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:171730 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 ，碳化硅二極管封裝小型化成為趨勢。那么各個碳化硅二極管廠家推出了更小的封裝DFN5X6,DFN8X8,超薄型封裝。主要用于高功率密度電源和PD快充這樣子的應(yīng)用中。
2023-02-21 13:38:161795 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 7.4結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-15 11:20:412353 
替換為碳化硅肖特基二極管，可以減小損耗，減小了對周圍電路的電磁干擾，提高電源的可靠性，滿足嚴(yán)格的電源能效認(rèn)證要求。 一般來說，我們都希望在單相PFC
2022-07-25 13:47:17
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