固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy Gap），禁帶寬度反映了被束縛價電子要成為自由電子所必須獲得的額外能量。作為現(xiàn)代電子技術(shù)基石的硅材料，其禁帶寬度僅為1.12eV，寬禁帶半導(dǎo)體材枓是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料制成的器件稱為寬禁帶器件。典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料有碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、金剛石等，已制成成熟器件的有SiC器件和GaN器件。

圖一 硅基器件與寬禁帶器件的對比

寬禁帶材料具有比硅高得多的臨界雪崩電場強度和載流子飽和漂移速度；具有更高的熔點，與不擅長導(dǎo)熱的硅相比，寬禁帶材料SiC有較高的熱導(dǎo)率，因此，寬禁帶器件比硅器件有更高的耐受高電壓能力，有更好的導(dǎo)熱性能和熱穩(wěn)定性，有更強的耐受高溫和射線輻射能力，有低得多的通態(tài)電阻，有更出色高頻特性。

SiC有多種晶型，能隙、擊穿電壓等半導(dǎo)體特性各不相同，圖二列出了4H-SiC材料特性和器件性能（與Si對比），可以看出其器件性能全面優(yōu)于硅器件。

圖二 材料特性與器件性能對應(yīng)關(guān)系

碳化硅晶體材料分為半絕緣型襯底(Substrate)和導(dǎo)電型襯底，與硅基器件不同，碳化硅器件不可直接制作于襯底上，須用化學(xué)氣相沉積法在襯底表面生成所需薄膜，即形成外延片，再進一步制成器件。在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層，可制得碳化硅外延片，就可進一步制成碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等電力電子器件，這些器件能適應(yīng)高溫、高頻、高電壓工作狀態(tài)，能滿足結(jié)構(gòu)緊湊的高功率密度產(chǎn)品要求，主要用于電動汽車、航空航天等領(lǐng)域。

氮化鎵器件比碳化硅器件具有更好的高頻特性，但目前只可以在其他材料襯底的基礎(chǔ)上實施加工工藝制造相應(yīng)的器件，主要有Si基和SiC基兩種。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，可制得碳化硅基氮化鎵外延片，進而制成微波射頻器件，以適應(yīng)高頻、高溫、高輻射工作環(huán)境。主要用在雷達、5G基站、航天通信等環(huán)境惡劣、又要高可靠性的領(lǐng)域。

硅基GaN晶體管主要用作電能變換的功率開關(guān)，允許其工作于極高的開關(guān)頻率，這樣就可以減小開關(guān)電源變壓器、電感及電容的容量和體積，近來手機充電器和筆記本電腦的電源適配器也多采用GaN器件，實現(xiàn)了配件的小型化和高效率。

SiC和GaN一般稱為第三代半導(dǎo)體，而將氧化鎵稱為第四代半導(dǎo)體，氧化鎵是金屬鎵的氧化物，其禁帶寬度達4.9eV，屬超寬禁帶半導(dǎo)體，臨界擊穿電場強度更高，氧化鎵基電力電子器件具有高耐壓、小尺寸、低損耗等突出優(yōu)點。

半導(dǎo)體材料日新月異，迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好半導(dǎo)體材料是立方砷化硼，其對電子和空穴的遷移率都很高(硅的空穴遷移率較差)，更讓人驚喜的是，其熱導(dǎo)率幾乎是硅的10倍，目前熱門的SiC功率器件的熱導(dǎo)率僅是硅的3倍，研究表明，立方砷化硼也具有非常好的禁帶，兼?zhèn)淅硐氚雽?dǎo)體所有主要品質(zhì)，克服了硅材料的主要缺陷?！　?/p>