氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用

報(bào)告主題：GaN功率晶體管：器件、技術(shù)和可靠性

報(bào)告作者：Matteo Meneghini等

參考來(lái)源：GaN POWER TRANSISTORS:DEVICES,TECHNOLOGY AND RELIABILITY報(bào)告作者：Matteo Meneghini, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni

編輯：黃飛

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晶體管(134506) 晶體管(134506)
氮化鎵(114707) 氮化鎵(114707)

評(píng)論

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8英寸！第四代半導(dǎo)體再突破，我國(guó)氧化鎵研究取得系列進(jìn)展，產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

方案。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。研究人員表示，這兩項(xiàng)工作為氧化鎵晶體管找到了新的技術(shù)路線和結(jié)構(gòu)方案。氧化鎵：第四代半導(dǎo)體材料的佼佼者

2023-03-15 11:09:59

氮化鎵(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用

2023-06-19 12:05:19

氮化鎵: 歷史與未來(lái)

，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯

2023-06-15 15:50:54

氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)

和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開(kāi)發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開(kāi)關(guān)設(shè)備。因此，開(kāi)始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！　D-GIT的概述和優(yōu)勢(shì)　　松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT

2023-02-27 15:53:50

氮化鎵GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快

被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快

2020-03-18 22:34:23

的選擇?！　∩罡h(huán)?！　榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于

2018-11-20 10:56:25

氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化鎵價(jià)格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式

2022-06-14 11:11:16

氮化鎵充電器

是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化

2021-09-14 08:35:58

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊

2021-03-09 06:33:26

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好？

轉(zhuǎn)換器，將性能與兩種可比場(chǎng)景進(jìn)行了比較：第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作，第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級(jí)

2023-02-27 09:37:29

氮化鎵功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率？

氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。氮化鎵電源 IC 在

2023-06-15 15:35:02

氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢(shì)

更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常

2023-06-15 15:32:41

氮化鎵發(fā)展評(píng)估

晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢(shì)，針對(duì) 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過(guò) 70

2017-08-15 17:47:34

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤，不看肯定后悔

本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。

2021-04-13 06:01:46

氮化鎵技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置？

從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。

2019-08-01 07:38:40

氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景的選擇。生活更環(huán)保為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)

2019-03-14 06:45:11

氮化鎵激光器的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展過(guò)程

　　激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料

2020-11-27 16:32:53

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si

2018-08-17 09:49:42

氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？

2021-06-17 10:56:45

氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎？

2000 年代初就已開(kāi)始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。毫無(wú)疑問(wèn)，它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。 Keep Tops氮化鎵有什么好處？氮化鎵的出現(xiàn)

2023-08-21 17:06:18

CG2H80015D-GP4 氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）

` 本帖最后由射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括

2021-04-07 14:31:00

CGH40010F氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN

2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化鎵高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格

2020-02-25 09:37:45

CGHV40030氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格

2020-02-24 10:48:00

CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵

2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。氮化鎵與硅或砷化

2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度

2020-12-03 11:46:10

ETA80G25氮化鎵合封芯片支持90-264V輸入，支持27W功率輸出

數(shù)量，實(shí)現(xiàn)了高度集成的充電器設(shè)計(jì)。鈺泰半導(dǎo)體ETA80G25采用SSOP10封裝，內(nèi)置650V耐壓，850mΩ D-mode氮化鎵開(kāi)關(guān)管。內(nèi)部開(kāi)關(guān)管漏極連接大面積銅箔散熱，可實(shí)現(xiàn)良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求

2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)

2023-06-19 09:28:46

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。

2019-06-25 07:41:00

IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)

所需的功率模塊和各種控制單元模塊。與功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來(lái)的電流變化率和電壓變化率

2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)

2018-02-12 15:11:38

MACOM展示“射頻能量工具包”：將高性能、高成本效益的硅基氮化鎵射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用

，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合

2017-08-03 10:11:14

MACOM：GaN在無(wú)線基站中的應(yīng)用

用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對(duì)無(wú)線

2017-08-30 10:51:37

MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)

`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年

2017-09-04 15:02:41

MACOM：適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵（GaN）

（GaN）那么，問(wèn)題來(lái)了，怎么解決高昂的價(jià)格？首先，先了解下什么是硅基氮化鎵，與硅器件相比，由于氮化鎵的晶體具備更強(qiáng)的化學(xué)鍵，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場(chǎng)而不會(huì)崩潰。這意味我們可以把晶體管

2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化鎵GaN半橋上管測(cè)試

測(cè)試背景地點(diǎn)：國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭：麥科信OIP

2023-01-12 09:54:23

QPD1004氮化鎵晶體管

QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配

2018-07-30 15:25:55

QPD1018氮化鎵晶體管

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2018-07-27 09:06:34

QPD1018氮化鎵晶體管

`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC

2019-07-17 13:58:50

SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管

）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管

2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管

）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管

2021-03-30 11:24:16

TGF2040砷化鎵晶體管

功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級(jí)別。產(chǎn)品型號(hào)：TGF2040產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管

2018-07-18 12:00:19

TGF2977-SM氮化鎵晶體管

TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2977-SM是5

2018-07-25 10:06:15

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)

書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)

2021-07-06 09:38:20

【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動(dòng)汽車市場(chǎng)

增加了半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品的數(shù)量以及所需的電池功率。理論上，這意味著更多的重量和更高的成本。一般而言，隨著總線電壓的增加，硅晶體管開(kāi)關(guān)的成本會(huì)更高，這與汽車電氣化的要求是相反的。此外，一些新的車載系統(tǒng)的性能

2018-07-19 16:30:38

為什么氮化鎵(GaN)很重要？

的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40

2023-06-15 15:47:44

為什么氮化鎵比硅更好？

度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V

2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢？

民幣5220元）以下的晶圓才適用于功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)。成功獲得適用于量產(chǎn)功率半導(dǎo)體的、高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵晶圓氮化鎵晶片存在以上問(wèn)題的根源是其晶體生長(zhǎng)方式。目前批量生產(chǎn)的 Bulk氮化鎵晶片采用以下方式制造，利用

2023-02-23 15:46:22

什么是氮化鎵功率芯片？

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。納微半導(dǎo)體利用橫向650V

2023-06-15 14:17:56

什么是氮化鎵功率芯片？

通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out

2023-06-15 16:03:16

什么是氮化鎵技術(shù)

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)

2020-10-27 09:28:22

什么是氮化鎵（GaN）？

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜

2019-07-31 06:53:03

什么是氮化鎵（GaN）？

鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。

2023-06-15 15:41:16

什么是GaN透明晶體管？

地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)。為確保透明，我們可以調(diào)整這種設(shè)計(jì)，將這些不透明金屬改變?yōu)橥该鲗?dǎo)電材料如氧化銦錫，它廣泛應(yīng)用于透明

2020-11-27 16:30:52

什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展

半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，這使其更容易與其他半導(dǎo)體器件集成。比如有廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)IC和GaN開(kāi)關(guān)管的集成，進(jìn)一步降低用戶的使用門檻。[color=rgb(51, 51, 51) !important]正是

2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅

2021-09-23 15:02:11

供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

概述：NV6127是一款升級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號(hào)2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道

2021-01-13 17:46:43

光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問(wèn)題

客戶希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題，和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵

2023-02-01 14:52:03

國(guó)防威脅減除局尋求抗輻射高頻模擬和射頻半導(dǎo)體

類型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來(lái)軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。

2012-12-04 19:52:12

如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通?

的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過(guò)程中的諸多細(xì)節(jié)問(wèn)題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到

2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源？

如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。

2021-06-17 06:06:23

如何實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行

我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過(guò)共同努力，我們就能

2022-11-16 06:43:23

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵

2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)

2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？

2021-06-15 06:30:55

實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵器件

的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而

2023-06-25 13:58:54

將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路

帶半導(dǎo)體，相比常規(guī)的硅材料，開(kāi)關(guān)速度更快，具有更高的耐壓。在降低電阻的同時(shí)，還能提供更高的過(guò)電壓保護(hù)能力，防止過(guò)壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開(kāi)關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS，氮化鎵低阻抗優(yōu)勢(shì)可以

2023-02-21 16:13:41

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化鎵

這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過(guò)程相結(jié)合，以更低的成本進(jìn)行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從

2018-01-18 10:56:28

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化鎵設(shè)計(jì)有哪些步驟？

　　第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇　　驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅(qū)動(dòng)硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異。　　驅(qū)動(dòng)氮化鎵E-HEMT不會(huì)消除任何

2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹

。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過(guò)導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>

2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件

2023-06-25 14:17:47

求助，請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？

請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？

2024-01-11 07:23:47

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管

)。WBG 板載電動(dòng)汽車充電器示意圖此外，這兩種寬帶隙化合物半導(dǎo)體(如氮化鎵和碳化硅)的所用材料晶體管據(jù)說(shuō)具有很高的擊穿電壓，可以在高溫下工作?？紤]到這一點(diǎn)，本文打算研究 GaN 和 SiC 晶體管之間

2022-06-15 11:43:25

硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)？

2019-09-02 07:16:34

硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底

2014-01-24 16:08:55

納微集成氮化鎵電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用

2023-06-19 11:10:07

請(qǐng)問(wèn)氮化鎵GaN是什么？

氮化鎵GaN是什么？

2021-06-16 08:03:56

請(qǐng)問(wèn)candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？

2019-11-29 16:04:02

誰(shuí)發(fā)明了氮化鎵功率芯片？

雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人

2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化鎵器件

，因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法，精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對(duì)簡(jiǎn)單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性，甚至氮化鎵也不

2023-02-27 15:46:36

高壓氮化鎵的未來(lái)分析

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳

2022-11-16 07:42:26

高壓氮化鎵的未來(lái)是怎么樣的

會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說(shuō)，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí)，其原因在于流經(jīng)電路開(kāi)關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以

2018-08-30 15:05:50