三相橋式功率逆變器采用全控型器件MOSFET，理論上需要依靠四路獨立的驅動電路來驅動，四路驅動供電電源要彼此隔離，這無疑增加了輔助驅動電源的路數和系統(tǒng)成本，同時也使驅動電路變得復雜，降低了逆變器的可靠性。美國國際整流器（IR） 公司生產的專用驅動芯片IR2130，只需一路直流（ 10~20V） 供電電源即可驅動3 三相橋式逆變電路的六個MOSFET功率開關器件，可以使整個驅動電路簡單、可靠。

　　IR2130可用來驅動母電壓不高于600V的三相橋式逆變電路中的MOSFET功率器件，其最大正/反向峰值驅動電流Io+）=200/420mA，邏輯控制電平電壓范圍較寬（5~ 15V），輸入信號可與TTL及COMS電平兼容。其頻響高，開通/關斷時間tor/tofF-675/425ns。該芯片采用負邏輯控制，還可對同一橋臂上下兩個功率器件的門極驅動信號產生2.5US的互鎖延時時間，其可靠性高。其內部巧妙的運用下橋臂導通時間，對上橋臂功率器件實現自舉供電，使其可用于高壓系統(tǒng)。在它的內部還設計有與被驅動的功率器件所通過的電流成線性關系的電流放大器，電路設計還保證了內部的3個通道的高壓側驅動器和低壓側驅動器可單獨使用，亦可只用其內部的3個低壓側驅動器。

　　采用IR2130芯片驅動逆變器功率管時，其基本主電路結構不需要改變，仍可用典型的三相電壓型逆變器電路，為便于表示，圖中畫出了IR2130驅動其中1個橋臂的電路示意圖，圖中C1是自舉電容，為上橋臂功率管驅動的懸浮電源存儲能量，D1的作用防止上橋臂導通時的直流電壓母線電壓到IR2130的電源上而使器件損壞，因此D1應有足夠的反向耐壓，當然由于D1與C1串聯(lián)，為了滿足主電路功率管開關頻率的要求，D1應選快速恢復二極管。R1和R2是IGBT的門極驅動電阻，一般可采用10到幾十歐。R3和R4組成過流檢測電路，其中R3是過流取樣電阻，R4是作為分壓用的可調電阻。IR2130的HIN1～HIN3、LIN1～LIN3作為功率管的輸入驅動信號與單片機連接，由單片機控制產生PWM控制信號的輸入，FAULT與單片機外部中斷引腳連接，由單片機中斷程序來處理故障。

　　ir2130與功率管的連接方式

　　其容量取決于被驅動功率器件的開關頻率、占空比以及充電回路電阻，必須保證電容充電到足夠的電壓，而放電時其兩端電壓不低于欠壓保護動作值，當被驅動的開關頻率大于5kHz時，該電容值應不小于0.1μF，且以瓷片電容為好。