DDR3是2007年推出的,預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56148 以MT41J128M型號為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3,每個bank的大小為16Mbit,一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09265 DDR的拓撲結(jié)構(gòu)選擇也是一個老生常談的話題了,從最初只能采用T拓撲到支持讀寫平衡的Fly-by拓撲,設(shè)計似乎變得越來越簡單了。大家來看這樣一種情況,一個驅(qū)動拖動兩片DDR顆粒,芯片支持讀寫平衡,您
2023-09-07 09:31:15170 前面的文章有分別介紹過T型拓撲及Fly_by拓撲結(jié)構(gòu),這兩種拓撲結(jié)構(gòu)應用最多的應該是在DDR3里面,說到這里,小編又想開始聊聊DDR3的設(shè)計了,我想很多人都比較有興趣。因為DDR3的設(shè)計還是比較復雜,而且應用也比較廣泛,如下圖是常見的T型及Fly_by型的拓撲應用。
2023-09-05 14:12:05442 本文介紹一個FPGA開源項目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19251 本文開源一個FPGA項目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測試》,如果在某些項目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:37533 ,其實就是stub較短的菊花鏈,之所以采用此種結(jié)構(gòu)是因為DDR3多了讀寫平衡的新技能,即使你們不同時到達,我也能把你調(diào)過來。所以采用何種拓撲結(jié)構(gòu)首先要看時序要求。
2023-08-04 12:22:311020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對應的時延差異較大,必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38184 和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸。 圖1. DDR3結(jié)構(gòu) 二、地址的概念及容量計算 2.1地址的概念 ? ? ? ? DDR3的內(nèi)部是一個存儲陣列,將數(shù)據(jù)“填
2022-12-21 18:30:051246 并不會注意一些數(shù)字上的差異,如DDR3和DDr2,或許大多數(shù)人都會追求時髦選擇DDR3,但是你真的了解DDR2與DDR3的區(qū)別嗎?作為消費者,其實我們可主宰自己的命運,用知識的武器捍衛(wèi)自己的選擇。下面
2011-12-13 11:29:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Gowin DDR3 Memory Interface IP用戶指南.pdf》資料免費下載
2022-09-15 14:39:090 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試例程,Vivado也提供了一個DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡單的程序就可以進行DDR3的測試。
2022-08-16 10:28:581003 ? 2022年4月20日,中國蘇州訊?—— 全球半導體存儲解決方案領(lǐng)導廠商華邦電子今日宣布,將持續(xù)供應DDR3產(chǎn)品,為客戶帶來超高速的性能表現(xiàn)。 ? 華邦的?1.35V DDR3 產(chǎn)品在?x8
2022-04-20 16:04:032380 日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長達15年,因為其不再泛用于主流平臺,即便退出市場也不會
2022-04-06 12:22:564191 本申請說明中提供的設(shè)計指南適用于利用DDR3 SDRAM IP核的產(chǎn)品,它們基于內(nèi)部平臺的匯編由飛思卡爾半導體公司設(shè)計這些指導方針旨在最大限度地減少與董事會相關(guān)的問題多內(nèi)存拓撲,同時允許最大董事會設(shè)計師的靈活性。
2022-03-31 15:28:582 DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)的讀取寫入是按時鐘同步的;所謂動態(tài)
2022-02-21 17:51:452700 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者:AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03149 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點相比DDR3,DDR4存在諸多變更點,其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點主要有:? 增加Vpp電源;? VREFDQ刪除;? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028 該DDR3主控為國外知名公司的芯片,功能強大而且比較成熟了,該設(shè)計為32位系統(tǒng),一個主控芯片拖了4片DDR3顆粒,采用6層板,空間比較緊張。
2021-06-26 11:33:112920 這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試例程,Vivado也提供了一個DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡單的程序就可以進行DDR3的測試。
2021-05-02 09:05:002683 DDR的歷史,就是一個SI技術(shù)變革的過程,說白了就是拓撲與端接之爭。DDR2使用的是T拓撲,發(fā)展到DDR3,引入了全新的菊花鏈—fly-by結(jié)構(gòu)。使用fly-by并不完全因為現(xiàn)在的線路板越來越高
2021-04-11 10:04:054898 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標準
2021-03-19 08:44:5013 2021 年,DDR3內(nèi)存價格受缺貨影響預上漲 40%-50%,春節(jié)之后的價格就已經(jīng)上漲至3.3美元以上;三星2Gb DDR3價格再創(chuàng)歷史新高,從0.95美元漲至3美元左右。
2021-03-15 15:18:142412 為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性,并提供一種簡便的、帶寬效率高的自動化方式來初始化和使用內(nèi)存,我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:009299 本實驗為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實驗做鋪墊,通過循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存,了解其工作原理和DDR3控制器的寫法,由于DDR3控制復雜,控制器的編寫難度高,這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的應用,是后續(xù)音頻、視頻等需要用到DDR3實驗的基礎(chǔ)。
2021-02-05 13:27:007734 講解xilinx FPGA 使用mig IP對DDR3的讀寫控制,旨在讓大家更快的學習和應用DDR3。 本實驗和工程基于Digilent的Arty Artix-35T FPGA開發(fā)板完成。 軟件
2021-01-01 10:09:003411 從成本的角度來看,DDR3也許的確要比DDR4低一些,所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:233863 近日,安捷倫科技公司推出目標應用為板級或嵌入式存儲器應用的DDR3協(xié)議調(diào)試和測試套件,由硬件和軟件的組成。據(jù)說該套件是業(yè)界首個功能最齊全的DDR3測試工具,包含業(yè)界最快的(2.0-Gtransfer
2020-08-30 10:06:01688 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)包括了:一、DDR的布線分析與設(shè)計,二、DDR電路的信號完整性,三、DDR Layout Guide,四、DDR設(shè)計建議,六、DDR design checklist,七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:0049 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計,與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:0044 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分,都采用源同步時序,即選通信號(時鐘)不是獨立的時鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率,最高可達1866Mbps;DDR3還采用8位預取技術(shù),明顯提高了存儲帶寬;其工作電壓為1.5V,保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231663 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量,封裝,速度等級等信息。
2019-03-03 11:04:151756 DR3 在高頻時數(shù)據(jù)出現(xiàn)了交錯,因此,高速DDR3存儲器設(shè)計有一定的難度。如果FPGA I/O 結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能,那么連接DDR3 SDRAM DIMM的成本會非常高,而且耗時,并且需要
2018-06-22 02:04:003226 突發(fā)長度,由于DDR3的預期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定位8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個
2018-06-21 09:20:5414051 Cyclone 10 GX DDR3 示例設(shè)計的步驟
2018-06-20 00:12:005483 菊花鏈拓撲結(jié)構(gòu)主要在DDR3中使用,菊花鏈拓撲結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)勢是支路走線短,一般認為菊花鏈支路走線長度小于信號上升沿傳播長度的1/10,可以有效削弱支路信號反射對主干信號的干擾,不同的書本上說法也
2018-04-28 11:31:2115461 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲沖突,設(shè)計并實現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲管理系統(tǒng)。DDR3存儲器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器,只需通過用戶接口信號就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:255968 DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4924748 菊花鏈一詞最基本的概念指的是一種由許多菊花串接在一起形成的花環(huán),早期也叫手牽手鏈接方式,一個人最多只能通過兩條手臂牽著另外兩個人(相當于一個芯片最多只能通過兩段傳輸線連接到另外的兩個芯片上),后來衍變到電子電器工程中菊花鏈又代表一種配線方案
2017-11-10 13:19:39103814 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變:
2017-11-08 15:42:2330614 菊花鏈指的是一種由許多菊花串接在一起形成的花環(huán),這通常是作為小孩的游戲,菊花鏈一詞還廣泛的用來表示一些社會“鏈”和技術(shù)“鏈”,這些名詞很可能都起源于這項游戲。
2017-11-08 12:24:2331520 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計,各個Bank
2017-11-07 10:48:5152043 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝,管腳露在芯片兩側(cè)的,測試起來相當方便;但是,DDRII和III就不一樣了,
2017-11-06 13:44:108240 華芯半導體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:127 針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計,要認證看
2016-12-16 21:23:4118 Xilinx FPGA工程例子源碼:Xilinx DDR3最新VHDL代碼(通過調(diào)試)
2016-06-07 14:54:5776 DDR3_菊花鏈連接,高速PCB設(shè)計理論基礎(chǔ),菊花鏈設(shè)計的要求與規(guī)范。
2016-05-25 10:01:1325 針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計
2016-02-23 11:37:2317 內(nèi)存顆粒廠家提供的,DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39466 用ise工具調(diào)用DDR3 IP核教程,內(nèi)容非常的詳細
2015-11-20 11:56:2069 總結(jié)了DDR和DDR2,DDR3三者的區(qū)別,對于初學者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺,設(shè)計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。##每片
2015-04-07 15:52:1012049 本文主要使用了Cadence公司的時域分析工具對DDR3設(shè)計進行量化分析,介紹了影響信號完整性的主要因素對DDR3進行時序分析,通過分析結(jié)果進行改進及優(yōu)化設(shè)計,提升信號質(zhì)量使其可靠性和安全性大大提高。##時序分析。##PCB設(shè)計。
2014-07-24 11:11:214204 從那時起,采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今,DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前,設(shè)計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:144876 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會,微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領(lǐng)導制定機構(gòu),今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:503338 本文介紹了DDR3 SDRAM 的基本特點和主要操作時序,給出了一種基于ALTMEMPHY宏功能的DDR3 SDRAM控制器的設(shè)計方法。詳述了控制器基本結(jié)構(gòu)和設(shè)計思想,分析了各模塊功能與設(shè)計注意事項,并
2010-07-30 17:13:5530 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114108 金士頓:DDR2/DDR3價格可能會繼續(xù)上漲
據(jù)報道,存儲大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示,雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價格已經(jīng)超過了3美元大關(guān),
2010-04-09 09:11:05637 DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3
報道,威剛主席Simon Chen今天表示,隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上,DDR2芯片的出貨量將開始減少,其價格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:18919 臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標準從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道,由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑,多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13558 DDR3將是2010年最有前景市場
2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli 公司認為,它即將成為世
2009-12-15 10:28:14738
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