摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設計方法,并完成了設計和仿真
2023-08-25 16:36:38325 BAP(BIST Access Port),即內(nèi)建自測試訪問接口,主要用于In System Test,它要求芯片在已經(jīng)部署到產(chǎn)品中,甚至芯片正在運行中,可對芯片的memory進行在線、實時地進行測試和診斷。
2023-09-15 11:43:421348 思維再縝密的程序員也不可能編寫完全無缺陷的C語言程序,測試的目的正是盡可能多的發(fā)現(xiàn)這些缺陷并改正。這里說的測試,是指程序員的自測試。前期的自測試能夠更早的發(fā)現(xiàn)錯誤,相應的修復成本也會很低,如果你不徹底測試自己的代碼,恐怕你開發(fā)的就不只是代碼,可能還會聲名狼藉。
2023-09-19 16:24:41270 在集成電路設計和生產(chǎn)過程中,對芯片內(nèi)部電源的瞬態(tài)響應進行準確測試是至關重要的。
2023-11-07 11:04:45463 現(xiàn)在,隨著FinFET存儲器的出現(xiàn),需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書涵蓋:FinFET存儲器帶來的新的設計復雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn);怎樣綜合測試算法以檢測和診斷FinFET存儲器具體缺陷;如何通過內(nèi)建自測試(BIST)基礎架構與高效測試和維修能力的結合來幫助保證FinFET存儲器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 在嵌入式開發(fā)中,如果芯片內(nèi)部有Flash,應用程序通常保存在芯片內(nèi)部FLASH中,比如Cortex-M系列的單片機;如果芯片內(nèi)部沒有Flash,則應用程序通常保存于外部的NAND FLASH中,比如
2022-02-16 06:05:57
AMBA測試接口控制器(TIC)是一個ASB總線主設備,它接受來自外部測試總線(32位外部數(shù)據(jù)總線,如果可用)的測試向量,并啟動總線傳輸。
TIC鎖存來自測試總線的地址向量并驅動ASB地址總線
2023-08-22 08:10:20
系統(tǒng)外部的一個模塊,它驅動測試接口線以訪問ASB總線,然后施加來自測試輸入文件的測試矢量(參見圖1-1)。
此測試輸入文件是運行用TICTalk命令語言編寫的C程序的輸出。
2023-08-21 06:43:36
請教關于CCS 程序時間統(tǒng)計的問題:
能否指導simulator和emulator下各自測試代碼運行時間的具體方法(程序實例或文檔),所給的方法能客觀地度量程序運行時間。
謝謝
2018-06-24 02:07:28
發(fā)現(xiàn)問題客戶反饋說我們的硬件關機漏電流很大,但是拔掉電池之后再上電(仍處于關機狀態(tài))就會恢復為 16~20uA 左右。這讓我也訝異,因為親自測試過,漏電流只有 MCU 的休眠電流20uA左右(包含一些電子元器件),遠遠低于項目要求的
2022-02-11 06:30:42
蜂鳥E203自測試用例失敗,不顯示pass與fail怎么回事,.log里什么都沒有,還沒報錯
2024-01-10 07:56:55
自己做的板子,現(xiàn)在用F28069調(diào)試CAN通信,應用controlsuite例程自測試功能,可以運行,收發(fā)正常,將自測試改成正常模式,就無法正常工作
2018-09-07 11:24:11
芯片的設計中加入一些額外的自測試電路,測試時只需要從外部施加必要的控制信號,通過運行內(nèi)建的自測試硬件和軟件,檢查被測電路的缺陷或故障。和掃描設計不同的是,內(nèi)建自測試的測試向量一般是內(nèi)部生成的,而不是
2011-12-15 09:35:34
8章中提到的寄存器都沒有引用這個自測試位。能否指出這個自測試位在哪個寄存器中。#lsm330dlc自檢以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Hello, For a project we
2019-02-20 06:41:24
應用程序: 此示例代碼是MA35D1系列微處理器的實時處理器( RTP) 的自測試庫。 此庫執(zhí)行芯片的自測試功能, 以滿足市場要求的安全要求。 當芯片出現(xiàn)錯誤時, 可以實時檢測, 系統(tǒng)可以保持功能
2023-08-29 07:04:24
的Compact Flash。步驟7:給電路板供電 - 連接電源線并打開電路板。步驟8:我應該看到連接到主板的顯示器上顯示的Xilinx徽標。我沒有得到Xilinx標志。我有一個模糊的顏色的閃屏,上半部
2019-09-18 10:42:00
用官方提供的SPIM_DMA例程在仿真環(huán)境下跑是正常的,但燒到芯片上就跑不起來。我用的是IAR開發(fā)環(huán)境,有修改過link文件,但還是跑不起來。好像每次跑到spim_open后程序就死掉了。有誰讀寫過內(nèi)部Flash的?有沒有什么建議和方法。
2023-06-25 08:46:39
pads9.3為綠色漢化全功能版, 包含破解文件及破解方法。 解壓時,一定要全部選擇然后解壓當前文件即可。 我目前只能上傳20M以下的文件,就把整個包分割為9部分,所以一定全部下載,否則文件缺失無法解壓。 已經(jīng)親自測試使用,放心下載。
2016-07-06 19:30:10
到PICkit 3連接到PICkit 3……運行自測試……自測試完成,固件套件版本……01.28.90固件類型............................PIC18FPICkit 3
2019-09-17 10:02:39
STC8951單片機不斷電下載的方法(親自測試過)對于STC89C51系列單片機如果要下載程序,我們需要先斷電,點擊下載,再給單片機上電這時,他就會自動下載程序。這是因為單片機在冷啟動時,首先執(zhí)行
2013-04-30 01:04:20
STM32使用HAL庫讀寫內(nèi)部FLASH測試環(huán)境:STM32F103RB20KBytes RAM128KBytes FLASH頭文件://///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////** * @brief ...
2021-08-23 08:57:50
1、STM32對內(nèi)部Flash的保護措施所有STM32的芯片都提供對Flash的保護,防止對Flash的非法訪問 - 寫保護和讀保護。 1)、讀保護即大家通常說的“加密”,是作用于整個Flash存儲
2015-01-19 13:43:59
各位大俠,大家好! TIDSP 芯片大家有什么好的加密方法?DSP內(nèi)部FLASH是有密碼的,在固化FLASH的時候就可以設置密碼。如果DSP沒有內(nèi)部Flash,程序放在外部Flash,大家有什么好的加密方式?
2015-09-01 09:30:30
dft可測試性設計,前言可測試性設計方法之一:掃描設計方法可測試性設計方法之二:標準IEEE測試訪問方法可測試性設計方法之三:邏輯內(nèi)建自測試可測試性設計方法之四:通過MBIST測試寄存器總結...
2021-07-22 09:10:42
msp430x14x用TINERB產(chǎn)生6路PWM信號,親自測試可行
2016-07-19 21:52:22
新塘nuc505芯片的內(nèi)部FLASH的怎么用作保存參數(shù),有例程嗎
bsp包下 samplecode\\stdDriver\\SPIM_IO例程
2023-06-14 13:11:18
stm32內(nèi)部flash讀寫,stm32內(nèi)部flash主要用于存儲代碼,應用程序就是通過下載器sh燒錄到內(nèi)部flash的,flash掉電不會丟失,芯片ch重新商店內(nèi)核從flash中加載代碼運行
2021-08-05 07:23:19
本課程主要介紹HarmonyOS Connect認證流程,幫助合作伙伴順暢走完自測試等流程,快速獲得HarmonyOS Connect認證證書。產(chǎn)品認證指導可以參考網(wǎng)站介紹進行學習:https
2022-03-09 15:11:18
我修改了add.S文件,想讓make run_test SIM=iverilog后出現(xiàn)file.可是編譯不了,add.S文件也沒顯示更新。
可是我在測試自測試用例的時候,make compile
2023-08-12 06:50:38
我公司是國內(nèi)最大的內(nèi)存顆粒/FLASH芯片測試夾具生產(chǎn)廠家,專業(yè)生產(chǎn)各類內(nèi)存條顆粒,U盤FLASH芯片,LGA 測試座,TF卡等測試夾具,測試性能穩(wěn)定,效率高!是內(nèi)存條,TF卡,閃存,U盤商家其廠家最佳合作伙伴!可以訂制各種芯片的測試夾具!歡迎來廠參觀指導工作!
2011-03-18 13:45:58
的編程器配上位機,又舍不得口袋里的銀子,而且不是TI官方出品,穩(wěn)定性和可靠性難以得到保證。本文給大家介紹一種利用芯片內(nèi)部Bootloader燒寫程序的方法,進入Boot模式,用普通的串行接口就可以進行
2022-11-11 07:08:24
的測試設計顯得尤為重要。對于單片或者數(shù)量很小的幾片嵌入式SRAM,常用的測試方法是通過存儲器內(nèi)建自測試MBIST來完成,實現(xiàn)時只需要通過EDA軟件選取相應的算法,并給每片SRAM生成MBIST控制邏輯
2019-10-25 06:28:55
概述本篇文章介紹如何使用STM32HAL庫,本案例只要介紹如何操作芯片內(nèi)部EEprom讀寫數(shù)據(jù),類似操作Flash寫法。(注:有些型號才有內(nèi)部EEprom,沒有的話,只能使用內(nèi)部FLASH模擬
2021-08-09 06:12:36
最近要學習, TMSF2812用到CCS可是不知道怎么下載,求?。?!
2015-05-17 20:30:01
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-14 10:25 編輯
eCan 自測試模式下可以產(chǎn)生中斷嗎? F2812
2018-06-14 01:20:48
工程師們好!我想問下怎么提高TMSF2812片上AD的精度?
2018-08-19 06:43:14
請問高手們STM32F105芯片的內(nèi)部flash能快速擦除嗎?因為要做個升級系統(tǒng)的程序,一頁一頁的擦除內(nèi)部flash有點耗費時間 請問內(nèi)部flash能不能快速擦除啊 ,一下擦N多頁
2015-04-13 15:25:47
一、簡介在STM32芯片內(nèi)部有一個 FLASH 存儲器,它主要用于存儲代碼,我們在電腦上編寫好應用程序后,使用下載器把編譯后的代碼文件燒錄到該內(nèi)部 FLASH 中,由于 FLASH 存儲器的內(nèi)容在
2021-07-23 09:41:29
繼電器來選擇所需的測試。圖 1 是整體測試電路。在圖 2 至圖 13 中,信號路徑以紅色顯示,以便與前兩篇文章中所介紹的方法進行比較。圖 1.該電路整合了用于測試運算放大器的自測試電路及雙運算放大器環(huán)路
2018-09-07 11:04:41
關于NUC505內(nèi)部Flash的咨詢
1. 需要NUC505內(nèi)部Flash塊/頁大小,擦除和寫入時間等技術參數(shù)
2. 通過Demo程序讀出內(nèi)部Flash的MFGID=0x1C 有對應的芯片嗎?
2023-06-13 08:04:18
電工技術(電工學I)典型題解析及自測試題是根據(jù)國家教育部(前國家教委)1995年修訂的“高等工業(yè)學校電工技術(電工學Ⅰ)課程教學基本要求“編寫的學習指導書,主要內(nèi)容是
2008-09-20 21:46:120 近幾年基于預定制模塊IP(Intellectual Property)核的SoC(片上系統(tǒng))技術得到快速發(fā)展,各種功能的IP 核可以集成在一塊芯片上,從而使得SoC 的測試、IP 核的
2009-09-09 08:33:4124 TPM 安全芯片測試中FLASH 數(shù)據(jù)下載方法張琳 劉煒 北京華大泰思特半導體檢測技術有限公司摘要: 本文概述了TPM(可信平臺模塊)安全芯片在信息安全建設中的重要作用,以及TPM
2009-12-19 14:58:2212 嵌入式存儲器內(nèi)建自測試的一種新型應用孫華義 鄭學仁 閭曉晨王頌輝吳焯焰 華南理工大學微電子研究所廣州 510640摘要:當今,嵌入式存儲器在SoC 芯片面積中所占的比例越來
2009-12-20 09:26:1138 本設計指南探討了信號調(diào)理、調(diào)整和校準電路,用于修正系統(tǒng)誤差,從而以合理的成本確保工業(yè)設備安全、精確。校準部分討論了利用最終測試補償元件誤差,通過上電自測試和連
2010-07-30 11:34:328 本文介紹了一款RISC_CPU的可測性設計,為了提高芯片的可測性,采用了掃描設計和存儲器內(nèi)建自測試,這些技術的使用為該芯片提供了方便可靠的測試方案。
2010-07-30 17:19:5120 芯片間的互連速率已經(jīng)達到GHz量級,相比較于低速互連,高速互連的測試遇到了新的挑戰(zhàn)。本文探討了高速互連測試的難點,傳統(tǒng)互連測試方法的不足,進而介紹了互連內(nèi)建自測試(I
2010-07-31 17:00:1615 內(nèi)建自測試是一種有效的測試存儲器的方法。分析了NOR型flash存儲器的故障模型和測試存儲器的測試算法,在此基礎上,設計了flash存儲器的內(nèi)建自測試控制器。控制器采用了一種23
2010-07-31 17:08:5435 介紹了用于IP核測試的內(nèi)建自測試方法(BIST)和面向測試的IP核設計方法,指出基于IP核的系統(tǒng)芯片(SOC) 的測試、驗證以及相關性測試具有較大難度,傳統(tǒng)的測試和驗證方法均難以滿足
2010-12-13 17:09:1110
±50g自測試電路圖
2009-07-03 12:03:06405
NAC-201具有自測試的電路圖
2009-07-03 13:09:10399
NAC-206具有自測試的電路圖
2009-07-03 13:09:35473 用C語言編程操作SPMC75系列單片機內(nèi)部Flash的方法
SPMC75系列單片機的內(nèi)部程序存儲器采用Flash,其中有一部分Flash在程序自由運行模式下可以由程序擦除、寫入,本文
2009-09-19 10:29:201135 本設計指南探討了信號調(diào)理、調(diào)整和校準電路,用于修正系統(tǒng)誤差,從而以合理的成本確保工業(yè)設備安全、精確。校準部分討論了利用最終測試補償元件誤差,通過上電自測試和連
2010-07-24 12:08:27608 1.引言
在工業(yè)現(xiàn)場、國防軍事、航空航天等領域需要利用電路自身資源進行快速的故障診斷,即要求電路具有自測試功能。為了使復雜的電路具有自測試功能
2010-11-17 10:34:481075 該公司最新推出基于FLASH芯片的TSOP48測試座,采用了國際通行的OPEN TOP的方式方便機械自動化燒錄和測試芯片,這款插座最顯著的特點是與芯片引腳接觸彈片采用雙觸點的方式,
2011-03-02 09:09:142641 本文章將介紹在芯片內(nèi)部糾錯的一些限制,以及一套結合兩種測試模式的替代方案,可整合芯片內(nèi)部與外部測試模式的深層采樣儲存技術
2011-04-19 11:55:19691 通常我們在設計芯片的同時,可以根據(jù)芯片本身的特征,額外地把可測性電路設計(Design For Testability)在芯片里。談到可測性的電路設計,內(nèi)建自測試(BIST)和基于掃描Scan—Based)的電路設計
2011-06-10 10:13:452119 在集成電路內(nèi)建自測試的過程中,電路的測試功耗通常顯著高于正常模式產(chǎn)生的功耗,因此低功耗內(nèi)建自測試技術已成為當前的一個研究熱點。為了減少被測電路內(nèi)部節(jié)點的開關翻轉活
2012-02-01 14:00:3621 針對原有的自測試軟件在分區(qū)操作系統(tǒng)下不能被分區(qū)內(nèi)應直接使用的問題,本文提出了一種分層的BIT軟件的實現(xiàn)方法解決該問題。分區(qū)操作系統(tǒng)是新一代綜合化航電系統(tǒng)的基礎,提供時
2013-07-26 11:07:480 usb口轉串口的驅動,本人親自測試通過,請放心使用
2015-11-10 17:06:5624 本人親自測試的Jlink刷機教程,很有含量哦
2015-11-06 16:56:3815 XDS100V3原理圖,是按照官方的原理圖重新畫的,親自測試通過。
2015-12-02 10:22:11157 F240X系列DSP內(nèi)部資源介紹,喜歡的朋友下載來學習學習。
2016-01-06 14:41:3521 LPC2200_flash內(nèi)部Flash和外部Flash分散加載示例。
2016-05-20 16:08:5816 溫度控制系統(tǒng),親自測試,可以使用,十分強大,感興趣的可以看看。
2016-07-22 16:53:460 一種基于包的邏輯內(nèi)置自測試電路設計方法
2017-02-07 16:14:5612 在本系列的第 1 部分中,我們?yōu)榇蠹医榻B了三種運算放大器測試電路:自測試電路、雙運算放大器環(huán)路以及三運算放大器環(huán)路。這些電路有助于測試失調(diào)電壓 (VOS)、共模抑制比 (CMRR)、電源抑制
2017-04-08 06:06:344796 TMS570LS系列微控制器與可編程內(nèi)置自測試(pbist)實現(xiàn)建筑。的pbist架構提供了一種存儲器BIST引擎不同的覆蓋水平在許多嵌入式內(nèi)存實例中。TMS570LS系列微控制器可分為兩類:130
2018-04-16 16:03:3812 隨著集成電路復雜度越來越高,測試開銷在電路和系統(tǒng)總開銷中所占的比例不斷上升,測試方法的研究顯得非常突出。目前在測試源的劃分上可以采用內(nèi)建自測試或片外測試。
2019-04-26 09:12:00977 據(jù)外媒報道,當?shù)貢r間2月19日,日本瑞薩電子株式會社(Renesas Electronics Corporation)宣布研發(fā),并成功運行驗證了一款汽車測試芯片,可實現(xiàn)采用29納米(nm)低功耗工藝的下一代汽車控制閃存微控制器(MCU)。瑞薩電子是全球領先的先進半導體解決方案供應商。
2019-02-24 10:01:281978 仿真結果:為了評價BIC監(jiān)測儀用于新型并行模擬自測試的可行性,進行了故障仿真。全差分電流傳送器被用作被測器件。在監(jiān)視通過/失敗輸出(圖2)的同時,將每個典型的MOS晶體管的終端故障(短路和開路)分別
2019-11-26 16:36:300 STM32F750 和 STM32F730 在 STM32F7 系列中具有極高的性價比。因為他們內(nèi)部的 Flash 只有 64KB,經(jīng)常需要擴展 QSPI Flash,所以在 STM32CubeF7
2020-07-13 08:00:0013 、生產(chǎn)、應用企業(yè)。為保證芯片長期可靠的工作,這些企業(yè)需要在產(chǎn)品出廠前對FLASH存儲器進行高速和細致地測試,因此,高效FLASH存儲器測試算法的研究就顯得十分必要。
2020-08-13 14:37:296064 相信不少電子工程師都有拆焊芯片的經(jīng)歷,本文將介紹如何拆焊Flash芯片,設計及制作相應的分線板。
2020-09-19 11:08:006251 VLSI測試技術導論, 可測試性設計, 邏輯與故障模擬,測試生成,邏輯自測試,測試壓縮,邏輯電路故障診斷,存儲器測試與BIST,存儲器診斷與BISR,邊界掃描與SOC測試,納米電路測試技術,復習及習題
2020-10-09 08:00:001 STM32F4內(nèi)部Flash實驗例程(嵌入式開發(fā)版哪個好)-STM32F4內(nèi)部Flash實驗例程,有需要的可以參考!
2021-07-30 15:58:0136 C8051F35X單片機內(nèi)部Flash存儲器的擦寫方法總結(stm32嵌入式開發(fā)實例)-該文檔為C8051F35X單片機內(nèi)部Flash存儲器的擦寫方法總結文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 10:41:0211 關于如何在華大單片機HC32F460 USB msc功能下使用內(nèi)部Flash制作成小U盤,方法如下。
2021-10-12 11:37:164001 大家好,今天和大家分享一下STM32F103C8T6讀寫內(nèi)部flash,關于103系列的單片機大家可以參考選項手冊查看flash的容量。 一、芯片FLASH容量分類: 可以看到我們今天介紹的這款芯片
2021-09-30 15:48:1822528 作者:Martin Rowe — 2011 年 11 月 16 日
在本系列的第 1 部分中,我們?yōu)榇蠹医榻B了三種運算放大器測試電路:自測試電路、雙運算放大器環(huán)路以及三運算放大器環(huán)路。這些電路
2021-11-23 17:41:501409 ,參數(shù)存儲在內(nèi)部flash中,畢竟就算每片減少一塊錢,量大后還是非??捎^的。02選擇參數(shù)存儲位置stm32的flash地址起始于0x08000000,結束地址是0x08000000加上芯片實際的flash大小,不同的芯片flash大小不同。我們可以在KEIL項目工程的Target也看到ROM的起始地址
2021-11-16 18:21:0018 STM32讀寫內(nèi)部flash注意點先說注意點怎么寫怎么讀的總結先說注意點1、寫之前的第一步是要先解鎖flash,解鎖后最好清除下所有的flag,然后是擦除操作,然后是寫,最后寫完加鎖保護flash
2021-12-02 11:21:417 的內(nèi)部Flash模擬EEPROM,實現(xiàn)可以多次擦寫,掉電又可以保存數(shù)據(jù)的功能。二、原理1. STM32F103系列芯片按內(nèi)部Flash的容量大小,分類如下:型號容量(字節(jié))頁(字節(jié))啟動程序stm32f103X6(小容量)32K1Kstartup_stm32f10x_l.
2021-12-02 11:36:2131 之前的文章中介紹過STM32F0列的內(nèi)部Flash讀寫《STM32CubeMX之內(nèi)部Flash讀寫》,F(xiàn)1系列的也是一樣的。而F4系列的單片機與F0和F1略有不同,HAL庫對應的函數(shù)也不...
2021-12-02 11:36:2529 LBIST (Logic build-in-self test), 邏輯內(nèi)建自測試。和MBIST同理,在關鍵邏輯上加上自測試電路,看看邏輯cell有沒有工作正常。BIST總歸會在芯片里加入自測試邏輯,都是成本。
2022-08-29 15:33:302169 在QSPI flash上運行毫米波芯片的測試代碼
2022-10-28 12:00:230 UM2986 STM32U5系列IEC 60730自測試庫用戶指南
2022-11-22 08:21:450 芯片功能測試常用5種方法有板級測試、晶圓CP測試、封裝后成品FT測試、系統(tǒng)級SLT測試、可靠性測試。
2023-06-09 15:46:581666 本例程主要講解如何對芯片自帶Flash進行讀寫,用芯片內(nèi)部Flash可以對一些需要斷電保存的數(shù)據(jù)進行保存,無需加外部得存儲芯片,本例程采用的是STM32F103RBT6,128K大小的Flash。
2023-07-27 09:24:48899 本例程主要講解如何對芯片自帶Flash進行讀寫,用芯片內(nèi)部Flash可以對一些需要斷電保存的數(shù)據(jù)進行保存,無需加外部得存儲芯片,本例程采用的是GD32F303ZET6主控,512K大小的Flash。 最近在弄ST和GD的課程,需要GD樣片的可以加群申請:615061293 。
2023-07-27 09:40:391284 寫flash芯片時為什么需要先擦除? 在講解為什么需要先擦除Flash芯片之前,先來了解一下Flash芯片的基本概念和組成部分。 Flash芯片是非易失性存儲器,內(nèi)部由多個塊組成,每個塊都是一定
2023-10-29 17:24:372320
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