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　　1 引 言

　　鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā)存儲(chǔ)器，它結(jié)合了高性能和低功耗操作，能在沒(méi)有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)低的缺點(diǎn)，其價(jià)格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電SRAM低很多，已在地鐵系統(tǒng)、抄表系統(tǒng)及IT工業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。

　　TMS320VC5402(以下簡(jiǎn)稱C5402)是美國(guó)德州儀器公司(TI)推出的一款性價(jià)比極高的16bit定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)，操作速率可達(dá)100MIPS，它豐富的內(nèi)部資源配置為用戶構(gòu)造系統(tǒng)提供了很大便利，已經(jīng)在通信、電子、圖象處理等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。但是，C5402是RAM型器件，掉電后不能保持任何用戶信息，所以需要用戶把程序代碼放在不揮發(fā)的存儲(chǔ)器內(nèi)，在系統(tǒng)上電時(shí)，通過(guò)執(zhí)行自行引導(dǎo)裝載(Bootloader)程序?qū)⒋鎯?chǔ)在外部媒介中的代碼裝載到C5402高速的片內(nèi)存儲(chǔ)器或系統(tǒng)中的擴(kuò)展存儲(chǔ)器內(nèi)，裝載成功后自動(dòng)去執(zhí)行代碼，完成自啟動(dòng)。基于實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，本文介紹了一種并行接口鐵電存儲(chǔ)器FM18L08的特點(diǎn)，同時(shí)還分析了C5402 并行引導(dǎo)裝載模式的特點(diǎn)，給出了一種基于鐵電存儲(chǔ)器FM18L08和C5402接口的設(shè)計(jì)方案, 實(shí)現(xiàn)了基于并行引導(dǎo)裝載模式的DSP脫機(jī)獨(dú)立運(yùn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并且該設(shè)計(jì)方案已成功的應(yīng)用到一種語(yǔ)音門鎖系統(tǒng)中。

　　2 FM18L08

　　FRAM的特點(diǎn) Ramtron’s FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)的核心是微小的鐵電晶體集成到記憶體單元，以至于它能象快速的不揮發(fā)RAM一樣操作。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體，中心原子順著電場(chǎng)的方向移動(dòng)。 移去電場(chǎng)，中心原子保持不動(dòng)，保存記憶體的狀態(tài)， FRAM 記憶體不需要定期刷新，掉電后立即保存數(shù)據(jù)。 FM18L08是Ramtron公司近年推出的一款存儲(chǔ)容量為32k╳8bits FRAM，其主要特點(diǎn)如下：3.0-3.65V單電源供電;并行接口;提供SOIC和DIP兩種封裝;功耗低，靜態(tài)電流小于15uA，讀寫(xiě)電流小于10mA;非揮發(fā)性，掉電后數(shù)據(jù)能保存10年;讀寫(xiě)無(wú)限次。 FM18L08引腳結(jié)構(gòu)如圖1： /CE：片選 /WE：寫(xiě)使能 /OE：輸出使能 A0-A14：地址端 DQ0-DQ7：數(shù)據(jù)端 VDD：電源 VSS：地

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