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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術(shù)>嵌入式操作系統(tǒng)>DDR存儲器電氣特性驗證

DDR存儲器電氣特性驗證

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,其以每個比特相對較低的成本,提供了優(yōu)秀的速度和存儲容量組合。DDR或雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM已經(jīng)成為當前首選的存儲器技術(shù),隨著各個公司努力提高速度和容量,同時降低成本、能耗預(yù)算及存儲器設(shè)備的物理尺寸,這一技術(shù)也在不斷演進。 信號接入和探測 在存
2017-11-15 10:20:324

存儲器領(lǐng)域的現(xiàn)狀

賽靈思有90%的客戶在使用DDR存儲器。DDR4是倍受青睞的DDR存儲器系列的最后一代。眾多競爭者們正在虎視眈眈,意圖搶占更大的DDR4市場份額。 存儲器領(lǐng)域正在發(fā)生翻天覆地的變化,這一變化的根本原因在于倍受青睞的DDR存儲器系列將在DDR4戛然而止。
2017-11-18 04:19:451969

進軍電競市場 三星正式量產(chǎn)DDR4存儲器

三星電子 30 日宣布,已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組(SoDIMM)規(guī)格的電競筆電 DDR4 存儲器。而新的 SoDIMM 存儲器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造,可以用戶享受豐富的電競游戲之外,并具有更大的容量與更快的速度,而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:00655

簡談SDR、DDR、QDR存儲器的比較

大家好,又到了每日學(xué)習的時間了,今天咱們來聊一聊SDR、DDR、QDR存儲器。 首先先簡單的了解一下,然后在做一下比較。 SDR:Single Data Rate, 單倍速率 DDR:Dual
2018-05-30 13:53:0610646

Stratix III FPGA的特點及如何實現(xiàn)和高速DDR3存儲器的接口

DR3 在高頻時數(shù)據(jù)出現(xiàn)了交錯,因此,高速DDR3存儲器設(shè)計有一定的難度。如果FPGA I/O 結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能,那么連接DDR3 SDRAM DIMM的成本會非常高,而且耗時,并且需要
2018-06-22 02:04:003475

FPGA如何與DDR3存儲器進行正確的數(shù)據(jù)對接?

大家好,我叫Paul Evans,是Stratix III產(chǎn)品營銷經(jīng)理。到目前為止,我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器工作,今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯
2018-06-22 05:00:008250

如何實現(xiàn)DS34S132與DDR3存儲器的對接

DS34S132 32端口TDM - over –Packet IC采用外部DDR同步DRAM (DDR1)存儲器緩存數(shù)據(jù)。內(nèi)存空間需提供足夠的緩存區(qū)域,以支持256條偽線(PW)/綁定中每一偽線的256ms數(shù)據(jù)包延遲變化(PDV)。
2018-11-26 08:10:001966

DDR存儲器的信號完整性討論

當今電子產(chǎn)品一個很重要的區(qū)分元素是其所用的存儲器。服務(wù)器、計算機、智能手機、游戲機、GPS 以及幾乎所有類似產(chǎn)品使用的都是現(xiàn)代處理器和 FPGA。這些設(shè)備需要高速、高帶寬、雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器才能運行。
2019-12-11 13:52:134259

SK Hynix展示DDR5存儲器模組,支持DDR5的硬件預(yù)計明年推出

存儲行業(yè)近兩年的變化非常大,在內(nèi)存行業(yè)來看,包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠,已經(jīng)開始了首批DDR5存儲器新品的研發(fā)試驗。
2020-01-15 14:34:573056

新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比

目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584

15V、雙通道 3A 單片同步降壓型穩(wěn)壓器為 DDR1、DDR2 或 DDR3 存儲器供電

15V、雙通道 3A 單片同步降壓型穩(wěn)壓器為 DDR1、DDR2 或 DDR3 存儲器供電
2021-03-20 15:29:106

LTC3776:用于DDR/QDR存儲器終端的雙2相無RSENSE同步控制器產(chǎn)品手冊

LTC3776:用于DDR/QDR存儲器終端的雙2相無RSENSE同步控制器產(chǎn)品手冊
2021-04-18 13:31:572

存儲器以及DDR5技術(shù)及完整的測試方案

· 寄語 ·? 小伙伴們,我們又見面了,上一期?「IC手記 ? 點沙成金的半導(dǎo)體行業(yè)」給大家介紹了芯片簡史和PA測試的內(nèi)容,這一期,我們繼續(xù)為大家?guī)頂?shù)字芯片的重要分支:存儲器,以及DDR5技術(shù)
2021-05-17 09:31:084481

TPS53515低功耗DDR存儲器電源參考設(shè)計

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS53515低功耗DDR存儲器電源參考設(shè)計.zip》資料免費下載
2022-09-06 16:18:370

PowerLab 筆記: DDR 存儲器無處不在!

PowerLab 筆記: DDR 存儲器無處不在!
2022-11-07 08:07:250

存儲技術(shù)的新動向:DDR5與DDR4 DIMMs比較

JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲器架構(gòu),認為它的出現(xiàn)標志整個產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲器模塊(DIMM)過渡。
2022-12-05 11:59:262313

DDR存儲器端接電源靈活適用于2.5V和1.8V存儲器系統(tǒng)

本設(shè)計筆記展示了 DDR 存儲器端接電源如何供應(yīng)和吸收 6A 電流,同時保持 1.8V 或 2.5V 電源的穩(wěn)壓基準電壓。該電路為 DDR 同步 DRAM (SDRAM) IC 提供終止電壓。具有MAX1637降壓控制器。
2023-01-14 14:31:321980

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