2012年10月10日，德國(guó)紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產(chǎn)品陣容。
2012-10-10 13:37:10
1190 `肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱 SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右
2020-07-23 14:45:20
、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷擴(kuò)展，現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）在大功率應(yīng)用方面的最大優(yōu)勢(shì)在于近乎理想的動(dòng)態(tài)特性。在反向恢復(fù)瞬態(tài)，當(dāng)二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r(shí)，有很低的反向恢復(fù)時(shí)間，而且在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)保持
2020-09-24 16:22:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。trr是二極管開(kāi)關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點(diǎn)在SiC肖特基勢(shì)壘二極管一文中也已說(shuō)明過(guò)。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開(kāi)始
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
中國(guó)上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
同時(shí)放在腦里?？梢岳斫鉃榛镜墓δ芗由细鞣N各樣的形狀來(lái)補(bǔ)充。1. 按頻率分類最基本的分類方法。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開(kāi)關(guān)二極管、肖特基勢(shì)壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為
2019-04-12 00:31:05
。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開(kāi)關(guān)二極管、肖特基勢(shì)壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為保護(hù)元件一般使用齊納二極管，但隨著周邊電路的精密化、應(yīng)用微細(xì)化，被要求使用更高性能的保護(hù)元件
2019-05-06 09:15:49
。相關(guān)文章 來(lái)自工程師的聲音第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管：SCS3系列 Part 1 SiC肖特基勢(shì)壘二極管更新?lián)Q代步履不停＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC特殊的網(wǎng)站SiC支持網(wǎng)頁(yè)（評(píng)估板）SiC
2018-12-03 15:11:25
肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）是利用金屬與半導(dǎo)體的接合產(chǎn)生肖特基障壁的二極管。與普通PN結(jié)二極管相比，具有正向電壓（VF）更低，開(kāi)關(guān)更快的特征。但是，有反向漏電流（IR）較大的缺點(diǎn)，其耐壓在200V以下，與其
2018-12-04 10:10:19
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2019-10-22 09:12:18
凌訊MBR系列肖特基勢(shì)壘整流器（標(biāo)準(zhǔn)肖特基）是基于硅肖特基二極管技術(shù)的最新器件。肖特基勢(shì)壘整流器是非常受設(shè)計(jì)人員歡迎的器件，因?yàn)槠渚哂袠O快的開(kāi)關(guān)速度、非常低的正向壓降、低泄漏和高結(jié)溫能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二極管、穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)二極管之間的區(qū)別和理解1、肖特基二極管肖特基二極管是以貴金屬為正極，N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性制成的金屬-半導(dǎo)體器件。肖特基整流管的結(jié)構(gòu)
2021-11-15 06:47:36
`肖特基二極管又被稱為肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間極短，正向?qū)▔航祪H為0.4V左右。下面小編為大家介紹一款PFC的肖特基
2018-09-06 10:17:48
`肖特基勢(shì)壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡(jiǎn)稱肖特基二極管）是近年來(lái)間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V
2018-09-11 10:11:02
肖特基勢(shì)壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡(jiǎn)稱肖特基二極管）是近年來(lái)間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V
2020-10-28 09:13:12
，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱為肖特基二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來(lái)，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管是什么？ 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間可小到幾個(gè)納秒（2-10ns納秒），正向壓降
2016-04-19 14:29:35
小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。 其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種
2019-02-20 12:01:29
時(shí)，流過(guò)二極管的電流，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。3.額定電流IF：指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來(lái)的平均電流值。4.最大浪涌電流IFSM：允許流過(guò)
2022-01-24 11:27:53
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn)，這樣大部分電流就流過(guò)外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-04-12 17:25:17
肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。 肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)
2021-06-30 16:48:53
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2017-10-19 11:33:48
肖特基勢(shì)壘?！ ∪?、肖特基二極管的應(yīng)用 肖特基勢(shì)壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開(kāi)關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管使用。此外，肖特基二極管還廣泛用于筆記本電腦的電源適配器、液晶電視和液晶顯示器電源、電動(dòng)車電瓶充電器以及數(shù)字衛(wèi)星接收機(jī)和機(jī)頂盒的電源等等。`
2018-12-27 13:54:36
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
縮短到10ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過(guò)去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率。 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁
2015-11-26 15:59:32
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫(xiě)成SR），也有人叫做：肖特基勢(shì)壘二極管
2021-06-30 17:04:44
較低，一般不超過(guò)去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、打電流整流（或續(xù)流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管
2020-10-27 06:31:18
在不同的電路部分。這是一個(gè)追求性能和用戶體驗(yàn)，對(duì)成本不敏感的行業(yè)，是肖特基二極管(同時(shí)也是sic功率器件)的第1個(gè)民用下游領(lǐng)域，曾經(jīng)在早期為siC功率器件廠家提供了最初的現(xiàn)金流。由于我國(guó)缺乏高端音響制造業(yè)
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來(lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2019-02-18 11:27:52
物理學(xué)家Walter Schottky開(kāi)發(fā)了金屬-半導(dǎo)體接觸的模型。與半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導(dǎo)體的界面上形成了一個(gè)耗盡區(qū)而因此具有勢(shì)壘。這防止了低于特定功率閾值
2017-04-19 16:33:24
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
` 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件?！ ∫?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2018-12-11 11:48:34
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢(shì)壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V，反向電壓（VR）也均為
2019-07-23 04:20:37
的影響?！ ?b class="flag-6" style="color: red">3. 伏安特性一般地肖特基勢(shì)壘二極管的伏安特性可表示為 與理想金半接觸伏安特性公式（2-29）相比較式（2-39）多了一個(gè)修正因子n。對(duì)于理想的肖特基勢(shì)壘n=1 當(dāng)勢(shì)壘不理想時(shí)n》1且
2021-01-19 17:26:57
再次談及Si二極管，將說(shuō)明肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢(shì)壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點(diǎn)通過(guò)改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢(shì)壘二極管在
2019-04-30 03:25:24
形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成的二極管，也稱為肖特基勢(shì)壘二極管，屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管。PS2045L主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌?、反向恢?fù)時(shí)間短、開(kāi)關(guān)損耗低。它是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，缺點(diǎn)是耐壓比較
2021-11-26 16:28:38
編輯-Z肖特基二極管是什么？肖特基二極管（肖特基勢(shì)壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導(dǎo)的，所以它的反向飽和電流比由少數(shù)載流子傳導(dǎo)的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
編輯-Z一、什么是MBR10100FCT肖特基二極管肖特基二極管MBR10100FCT（肖特基勢(shì)壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導(dǎo)的，所以它的反向飽和電流比由
2021-09-11 16:42:45
：102mil浪涌電流Ifsm：200A漏電流(Ir)：20mA工作溫度：-65~+175℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：5ns引線數(shù)量：3 肖特基二極管MBR20200FCT是基于通過(guò)接觸金屬和半導(dǎo)體形成的勢(shì)壘層
2021-09-13 17:01:40
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 編輯
ROHM肖特基勢(shì)壘二極管具有各種高可靠性，低損耗器件。 它們有各種包裝。 肖特基二極管提供低正向電壓和反向電流
2019-06-17 15:30:23
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基勢(shì)壘的高度低于PN結(jié)勢(shì)壘，肖特基二極管的正向傳導(dǎo)閾值電壓和正向壓降均低于PN結(jié)勢(shì)壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。肖特基二極管規(guī)格書(shū)下載：
2022-01-18 10:35:14
反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到10ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過(guò)去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流(或續(xù)流)電路的效率。 三、肖特基二極管
2019-03-11 11:24:39
二極管的結(jié)電容分兩種：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。而一般數(shù)據(jù)手冊(cè)給到的結(jié)電容參數(shù)，通常指的是勢(shì)壘電容。上面這個(gè)是ES1J超快恢復(fù)二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)的結(jié)電容參數(shù)Cj=8pF。同時(shí)我們知道，對(duì)于常用的二極管來(lái)說(shuō)
2021-10-08 10:37:02
二極管是作為單向開(kāi)關(guān)的兩端設(shè)備。肖特基是一種金屬-半導(dǎo)體二極管，以極低的正向電壓著稱，其中金屬形成陽(yáng)極，n 型半導(dǎo)體充當(dāng)陰極。這種二極管是以德國(guó)物理學(xué)家華特·蕭特基命名的。它也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管
2022-03-19 22:39:23
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應(yīng)用于有六級(jí)能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達(dá)到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規(guī)格書(shū)下載：
2022-01-24 15:00:32
目前經(jīng)常用到的大功率二極管有：肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二級(jí)管，等等。著重介紹前兩種。 一，肖特基二極管(英文簡(jiǎn)稱SBD) 肖特基勢(shì)壘二極管簡(jiǎn)稱肖特基二極管。它不是PN結(jié)
2015-06-19 14:52:18
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
`肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二極管是利用金-屬半導(dǎo)體接面做為肖特基勢(shì)壘，而發(fā)生整流的效果，和普通二極管中由半導(dǎo)體-接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢(shì)壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，能夠提高切換的速度
2018-11-05 14:29:49
-半導(dǎo)體(接觸) 二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管在物理結(jié)構(gòu)上是不一樣的。肖特基二極管的陽(yáng)極是金屬 ，陰極是N型半導(dǎo)體;快恢復(fù)二極管基本結(jié)構(gòu)仍然是普通的PIN
2018-11-01 15:26:11
20V100或者表面勢(shì)壘二極管20V100，具有正向耐大電流，反向恢復(fù)時(shí)間極快等優(yōu)點(diǎn)。伴隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步發(fā)展，對(duì)肖特基二極管的性能要求也越來(lái)越高，要求自身功率損耗更小，所以VF值與漏電流控制到更低
2018-10-17 15:20:19
的需求，在中國(guó)構(gòu)建了與羅姆日本同樣的集開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的一條龍?bào)w制。ROHM公司推出了兩款表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20，兩者二極管的反向電壓都為20V，正向
2019-04-17 23:45:03
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無(wú)法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢(shì)壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開(kāi)關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
電路損耗，提高電路工作頻率。在PFC電路中用SiC SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）代替原來(lái)的硅FRD（快速恢復(fù)二極管）可以使電路在300kHz以上工作，效率基本保持不變，而使用100kHz以上硅FRD的電路效率急劇下降。隨著工作頻率的增加，電感器等無(wú)源元件的體積相應(yīng)減小，整個(gè)電路板的體積減小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。 肖特基二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD)，它屬
2018-10-26 14:36:32
二極管也研制成功。肖特基二極管-作用肖特基二極管又被稱為肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間極短，正向?qū)▔航祪H為0.4V左右
2018-10-19 11:44:47
減少，反向恢復(fù)時(shí)間trr可低至幾十納秒。 肖特基二極管是肖特基勢(shì)壘二極管的簡(jiǎn)稱，它的構(gòu)造原理與普通PN結(jié)二極管有著很大區(qū)別：其內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬(用金、銀、鉬、鋁等)、二氧化硅電場(chǎng)消除材料、N外延層材料
2021-05-14 08:11:44
保護(hù)元件具備更高性能，在這種趨勢(shì)下逐漸拉大與TVS (Transient Voltage Suppressor) 的差別。特點(diǎn)只有ZD利用了反向特性。肖特基勢(shì)壘二極管高頻二極管
2019-04-11 00:08:21
一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢(shì)壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒)。正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管，它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此
2019-04-01 11:59:16
數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V
2019-06-12 02:34:10
本人想了解下肖特基勢(shì)壘二極管制造技術(shù)和工藝，望高手指點(diǎn)
2011-02-23 22:07:19
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-接面不同。肖特基勢(shì)壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。 肖特基二極管的導(dǎo)通電壓非常低。一般的二極管在電流流過(guò)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過(guò)
2018-10-22 15:32:15
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點(diǎn)通過(guò)改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢(shì)壘二極管在
2019-04-11 02:37:28
的接觸勢(shì)壘來(lái)實(shí)現(xiàn)的。由于肖特基的勢(shì)壘高度低于pn結(jié)的勢(shì)壘高度，使其在小電流下正向壓降低，擊穿電壓低，反向漏電流大。功率肖特基二極管旨在提高其功率特性，有以下三類結(jié)構(gòu)?！ ?1)普通功率肖特基勢(shì)壘二極管
2019-02-12 15:38:27
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應(yīng)用于硅器件難以勝任的場(chǎng)合，或在一般應(yīng)用中產(chǎn)生硅器件難以產(chǎn)生的效果。 肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導(dǎo)通過(guò)程中沒(méi)有額外載流子注入和儲(chǔ)存，因而基本沒(méi)有
2019-10-24 14:21:23
明顯優(yōu)勢(shì)，可以用來(lái)做成高耐壓的肖特基二極管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費(fèi)、工業(yè)、汽車、軍工等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。 03 碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析 肖特基二極管：以金屬為陽(yáng)極，以N
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽?dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
羅姆（ROHM）是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。它推出了6款中功率肖特基勢(shì)壘二極管，型號(hào)分別為RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3
2019-07-15 04:20:07
肖特基勢(shì)壘二極管。五者的VRM（峰值反向電壓）均為35V，反向電壓（VR）均為30V。RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30的平均正向整流
2019-03-21 06:20:10
一般的二極管是利用PN結(jié)的單方向?qū)щ姷奶匦?，?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管則是利用金屬和半導(dǎo)體面接觸產(chǎn)生的勢(shì)壘（barrier）整流作用，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱為肖特基
2021-01-13 16:36:44
是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。與普通的二極管不一樣，SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)
2019-04-12 11:37:43
和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30是ROHM公司推出的4款肖特基勢(shì)壘二極管
2019-04-18 00:16:53
肖特基二極管的作用 肖特基二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管
2016-12-06 18:25:12
。對(duì)于優(yōu)化體二極管（圖1）性能在硬開(kāi)關(guān)條件下應(yīng)用而言，反向恢復(fù)波形的形狀和印刷電路板的設(shè)計(jì)尤其重要[3-4]。新一代CoolMOS? 650V CFD2改進(jìn)了體二極管反向恢復(fù)性能，而且給擊穿電壓留有更大
2018-12-03 13:43:55
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。
2014-06-09 10:33:26731 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管：下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開(kāi)始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
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