8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
應(yīng)用。產(chǎn)品型號：2SC3422產(chǎn)品名稱：功率晶體管2SC3422產(chǎn)品特性適用于5瓦汽車收音機(jī)和汽車音響的輸出級良好的h FE線性度 2SC3422產(chǎn)品描述：2SC3422東芝是設(shè)計和制造高質(zhì)量閃存存儲解決方案
2018-07-24 18:05:11
PLC晶體管輸出和繼電器輸出區(qū)別
2012-08-20 08:26:07
PLC輸出電路(繼電器,晶體管,晶閘管輸出)區(qū)別和注意事項(xiàng)
2012-08-20 08:28:44
PLC繼電器和晶體管輸出
2012-08-20 08:24:48
電子設(shè)備和測試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號:T2G6003028-FS產(chǎn)品名稱：射頻功率晶體管T2G6003028-FS產(chǎn)品特性頻率：直流至6千兆赫輸出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
s1307是什么類型的晶體管？
2022-09-25 09:21:11
，PHP型管置換PNP型管。特性相近用于置換的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性相近，它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多。晶體管的主要參數(shù)近20個，要求所有這些參數(shù)都相近，不但困難，而且沒有必要。一般來說，只要下述
2015-07-07 16:56:34
`TLP181(GB-TPL,F,T)詳細(xì)參數(shù)[/td][/td][td]制造商Toshiba產(chǎn)品種類晶體管輸出光電耦合器配置1 Channel最大正向二極管電壓1.3 V最大輸入二極管電流50
2012-08-16 16:34:23
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
）晶體管以圖7-1-3示出的等效模擬型代替；（2）所有直流電源、隔直電容，旁路電容都看作短路；（3）其它元件按原來相對位置畫出，利用等效電路可以求取放大器的放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻以及分析放大器的頻率特性。(520101)
2021-06-02 06:14:09
: ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關(guān)時的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時和ON→OFF時的擴(kuò)大波形。2. 是否一直滿足絕對最大額定值？確認(rèn)絕對最大
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
計算機(jī)開關(guān)機(jī)的，那么就會把計算機(jī)關(guān)閉。這就是機(jī)器語言的原理。實(shí)際用于計算機(jī)和移動設(shè)備上的晶體管大多是MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），它也分為N型和P型，NMOS就是指N型MOSFET
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據(jù)不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
晶體管的發(fā)射極箭頭朝內(nèi)，NPN型晶體管的發(fā)射極箭頭朝外。2．三極管各個電極的作用及電流分配晶體管三個電極的電極的作用如下：發(fā)射極（E極）用來發(fā)射電子；基極（B極）用來控制E極發(fā)射電子的數(shù)量；集電極（C極
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
是用于小信號放大，只要晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置正確，晶體管一般不會進(jìn)入飽和區(qū)。但如果晶體管放大電路處理的是信號幅值較大的信號，例音頻功放的輸出級，則晶體管極有可能進(jìn)入飽和區(qū)。此時，就會在輸出波形上出現(xiàn)“削頂
2012-02-13 01:14:04
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達(dá)式為：。晶體管輸出特性曲線的三個區(qū)域?qū)?yīng)于 晶體管的三個工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
和高頻場效應(yīng)晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學(xué)特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是，WBG 半導(dǎo)體可用于可擴(kuò)展的汽車電氣系統(tǒng)和電動汽車(電動汽車
2022-06-15 11:43:25
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`產(chǎn)品型號：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產(chǎn)品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產(chǎn)品是采用我們獲得的新半導(dǎo)體
2019-05-14 11:00:13
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號：IGN2856S40產(chǎn)品名稱：晶體管IGN2856S40產(chǎn)品特性SiC HEMT技術(shù)中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預(yù)匹配內(nèi)阻抗100%高功率射頻測試負(fù)柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
MOS管，還有其他的電子元件。實(shí)際上場效應(yīng)晶體管可以分為結(jié)型管（（Junction Field-Effect Transistor，J F E T））和MOS管（metal-oxide
2019-04-15 12:04:44
NJVMJD45H11T4G該雙極功率晶體管適用于通用電源和切換輸出，或開關(guān)穩(wěn)壓器、轉(zhuǎn)換器和功率放大器應(yīng)用中的驅(qū)動器級。該產(chǎn)品在音頻放大器輸出級理想方案。特性：互補(bǔ)對簡化了設(shè)計低集電極-發(fā)射極飽和
2021-11-29 14:26:08
晶體管PNP 型晶體管Vb<Ve （C）Vc>Vb>Ve （A）Vb>Ve Vb>Vc （S
2023-02-15 18:13:01
的比例關(guān)系。2）偏置電路 當(dāng)晶體管用于實(shí)際的放大電路時，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先，由于晶體管的BE結(jié)（相當(dāng)于二極管）的非線性，輸入電壓達(dá)到一定水平后必須產(chǎn)生基極電流（對于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)
2018-05-21 15:49:50
型摻雜半導(dǎo)體材料隔開。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉(zhuǎn)的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設(shè)計
2012-08-20 08:29:56
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
了功率晶體管的性能。如 (1)開關(guān)晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術(shù)上的簡化， (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓， (4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動技術(shù)的進(jìn)步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力?！ 『纳⒐β室卜Q集電極
2010-08-13 11:35:21
單元，16輸入/16輸出(晶體管)FX2N-48ER 擴(kuò)展單元，24輸入/24輸出（繼電器）FX2N-48ET擴(kuò)展單元，24輸入/24輸出(晶體管)FX2N-48ER-UA1/UL 擴(kuò)展單元，24輸入
2020-05-05 14:09:09
，從而影響輸出。雙柵極 MOSFET 可用于許多應(yīng)用，包括射頻混頻器/乘法器、射頻放大器、具有增益控制的放大器等。
雪崩晶體管
雪崩晶體管是一種雙極結(jié)型晶體管，設(shè)計用于在集電極電流/集電極發(fā)射極電壓特性
2023-08-02 12:26:53
串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源: 一、電路的結(jié)構(gòu)組成：電源部分、整流部分、濾波部分、穩(wěn)壓部分，四部分組成。電源部分：由一個降壓變壓器T組成。整流部分：由四個二極管 V1 V2 V3 V4組成。濾波部分：由一個
2010-06-08 08:10:12
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機(jī)、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項(xiàng)。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動器?！ ∵_(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
用作Q2的基極電壓，以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單極型晶體管也稱場效應(yīng)管，簡稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
單結(jié)晶體管有一個PN結(jié)和三個電極，一個發(fā)射極和兩個基極，所以又稱雙基極二極管。其結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號如下圖所示。a、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)；b、等效電路；c、電路符號它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
，是另一種固態(tài)三端設(shè)備，可用于柵極脈沖、定時電路和觸發(fā)發(fā)生器，用于交流功率控制型應(yīng)用中開關(guān)和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣，單結(jié)晶體管是由單獨(dú)的 p 型和 n 型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的，在器件的主導(dǎo) n
2022-04-26 14:43:33
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
S－l、S－4的封裝外形基本相同;TO一220封裝外形與國產(chǎn)管S一7B封裝外形基本相同;T0一202封裝外形與國產(chǎn)管S一6封裝外形基本相同?！ 〔捎肨O系列封裝的常用晶體管有:T0一3為:2
2008-06-17 14:42:50
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
。場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場效應(yīng)晶體管作用是什么1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
，這反過來又使耗盡層盡可能小，從而通過我們的晶體管的最大電流流動。這使得晶體管開關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性。 圖2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
。場效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
本應(yīng)用指南介紹了一種采用后向設(shè)計的基本驅(qū)動電路，它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器，便于加速晶體管的水平輸出級。
2014-09-22 17:14:04
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關(guān)
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
結(jié)型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。前者是本次討論的重點(diǎn)。 雙極結(jié)型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構(gòu)成組件的P型（正極）和N型（負(fù)極）半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22
型dvp32hn00r（32點(diǎn)繼電器輸出）；dvp32hn00t（32點(diǎn)晶體管輸出）dvp48hp00r（24點(diǎn)入/24點(diǎn)繼電器輸出）；dvp48hp00t（24點(diǎn)入/24點(diǎn)晶體管輸出）模擬量
2020-10-22 19:33:21
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
）ac型dvp32hn00r（32點(diǎn)繼電器輸出）；dvp32hn00t（32點(diǎn)晶體管輸出）dvp48hp00r（24點(diǎn)入/24點(diǎn)繼電器輸出）；dvp48hp00t（24點(diǎn)入/24點(diǎn)晶體管輸出）模擬量
2020-10-22 19:25:17
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
的選擇和比較進(jìn)行了分析?？紤]了晶體管參數(shù)，如與時間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48
2023-02-27 09:37:29
求51單片機(jī) STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
轉(zhuǎn)化為鋸齒波，由VT4 組成的射極輸出器經(jīng)阻抗變換后輸出:一方面通過R6 加至晶體管的集電極，作為晶體管的集電極電壓;一方面加至示波器的Y 輸入端，作為示波器的Y 軸輸入信號。C3 、VD1 與晶體管
2008-07-25 13:34:04
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
程控單結(jié)晶體管(PUT)具有敏發(fā)炅敏度高、速度快、功耗低和動態(tài)電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于各種脈沖電路和晶閘管控制系統(tǒng)。PUT張弛振蕩電路上圖是PUT的基本張弛振蕩電路。它和普通單結(jié)晶體管張弛
2018-01-23 11:47:39
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
組合的結(jié)果是，“ IGBT 晶體管”具有雙極性晶體管晶體管的輸出開關(guān)和導(dǎo)通特性，但像 MOSFET 一樣是電壓控制的。Igbt 主要應(yīng)用于電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，如逆變器、變換器和電源等，但功率雙極器件和功率
2022-04-29 10:55:25
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)？使用注意事項(xiàng)有哪些？繼電器與晶體管輸出有哪些差別？
2021-10-12 06:28:48
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
保護(hù)的二極管必須選用快速恢復(fù)型二極管，以保證二極管能夠迅速反應(yīng)得以保護(hù)晶體管。對于二極管的耐壓要求，一般其截止電壓為開關(guān)晶體管C-E間電壓的2倍?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2、RC阻尼電路 圖二 圖二中，在晶體管關(guān)斷
2020-11-26 17:26:39
溫度決定的倍增因子，后面將對其溫度特性進(jìn)行討論。 對于NMOS晶體管M1和M2,其柵源電壓分別為Vgs1和Vgs2,那么圖3中電壓為： 如果利用前面提到的兩個工作在弱反型區(qū)的MOS管輸出電壓特性
2018-11-30 16:38:24
PLC晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別
2012-06-14 14:04:42
9149 本文主要介紹了plc晶體管輸出電路圖_PLC晶體管輸出接線圖?；締卧?b class="flag-6" style="color: red">晶體管輸出中，包括漏型輸出和源型輸出的產(chǎn)品，這兩者在回路上的差異如下：·漏型輸出［-公共端］，負(fù)載電流流到輸出（Y）端子，這樣
2018-03-20 09:44:3980155 
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