增強(qiáng)型無(wú)線話筒電路圖中R1為話筒MIC的偏置電阻，一般在2K—5.6K選取。R4為集電極電阻。這里給出了增強(qiáng)型無(wú)線話筒電路圖及其原理。
2011-12-21 10:48:34
6134 
首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管，也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型，我們下面都會(huì)介紹到。
2023-02-22 16:55:152039 
，支持觸摸模塊，提供6通道帶死區(qū)控制的互補(bǔ)型PWM輸出，最多達(dá)30路12位ADC，2個(gè)UART, UART1可任意映射I/O口，1個(gè)SPI, 1個(gè)I2C，內(nèi)置運(yùn)放和比較器，工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。
增強(qiáng)型1T
2023-05-06 09:28:45
2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的特性是什么？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的優(yōu)點(diǎn)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的產(chǎn)品參數(shù)有哪些？2.5A功率增強(qiáng)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的注意事項(xiàng)有哪些？
2021-06-29 09:05:41
簡(jiǎn)介：CH557是一款兼容MCS51的增強(qiáng)型E8051內(nèi)核單片機(jī)，內(nèi)置64KB Flash-ROM, 8K+256 RAM, 內(nèi)置4端口USB root-hub 根集線器，支持USB2.0全速
2022-06-01 06:24:11
`描述此參考設(shè)計(jì)演示的是采用 ISO7842 和 SN65MLVD203 的增強(qiáng)型隔離式全雙工 M-LVDS 收發(fā)器節(jié)點(diǎn)的性能。單一增強(qiáng)型數(shù)字隔離器代替了兩個(gè)基本數(shù)字隔離器，降低了成本并節(jié)省
2015-04-29 10:38:17
請(qǐng)問(wèn)各位大神，能不能列舉出增強(qiáng)型51有3個(gè)定時(shí)器以上，PDIP40封裝的，另外能附帶技術(shù)手冊(cè)嗎
2012-10-23 21:11:49
[url=]增強(qiáng)型MCS-51單片機(jī)[/url]
2016-12-11 11:13:28
增強(qiáng)型MCS-51單片機(jī)結(jié)構(gòu)
2016-12-19 22:47:07
增強(qiáng)型NFC技術(shù)如何讓移動(dòng)設(shè)備可靠地仿真非接觸式卡片？
2021-05-21 06:56:39
關(guān)于 增強(qiáng)型PMOS管開(kāi)啟電壓Vgs疑問(wèn) 有以下三個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)教各位大神：1、如下圖：增強(qiáng)型PMOS管G極接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S極電壓高于0v（至少零點(diǎn)幾伏）的時(shí)候才能導(dǎo)通，可是下圖
2017-11-22 10:01:58
運(yùn)行。多相電機(jī)的精確定時(shí)控制盡可能地減少消隱時(shí)間，從而最大化電機(jī)效率。 圖4所示為五大優(yōu)勢(shì)?！ url=http://hljzzgx.com/uploads/161205/2365425-161205105T2610.png][/url] 圖4：增強(qiáng)型PWM抑制的五大優(yōu)勢(shì)
2016-12-09 17:22:03
我想要全部細(xì)節(jié)：1.增強(qiáng)的中程微控制器2.增強(qiáng)的中程微控制器的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)3.中程和增強(qiáng)的中程微控制器的區(qū)別 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文 i want full details
2019-01-21 14:54:51
能否介紹增強(qiáng)型Howland電流源、EHCS 實(shí)現(xiàn)過(guò)程、復(fù)合放大器技術(shù)應(yīng)用？
2019-01-25 18:13:07
描述TIDA-00366 參考設(shè)計(jì)為額定功率高達(dá) 10kW 的 3 相逆變器提供了參考解決方案，該逆變器采用增強(qiáng)型隔離式雙 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 UCC21520、增強(qiáng)型隔離式放大器 AMC1301
2018-10-17 15:53:28
Hooks芯片作為仿真CPU需要一些額外的特殊功能電路來(lái)從復(fù)用的芯片引腳中，分解出地址和數(shù)據(jù)總線以及一些必須的控制信號(hào)，用戶的目標(biāo)板沒(méi)有這些電路，所有仍然是單片工作模式。采用bondout芯片和增強(qiáng)型Hooks芯片能夠?qū)崿F(xiàn)極為精確的仿真，從功能一直到芯片的功耗。
2011-08-11 14:20:22
LKT4101 8位增強(qiáng)型防盜版加密芯片采用增強(qiáng)型8051智能卡內(nèi)核，芯片內(nèi)部嵌入凌科芯安公司的LKCOS智能操作系統(tǒng)，支持UART接口。在KEIL C軟件環(huán)境下采用標(biāo)準(zhǔn)C語(yǔ)言編寫(xiě)操作代碼，編譯程序后下載到智能芯片中。用戶可將關(guān)鍵算法程序內(nèi)嵌入芯片中，從根本上杜絕程序被破解的可能。
2014-03-04 14:43:21
MS8005F 增強(qiáng)型 8051 MCU MS8005F 是一顆通用型 1T 8051 Core MCU。在同樣的系統(tǒng)時(shí)鐘下，比傳統(tǒng)的 8051 運(yùn)行更快 速，性能更優(yōu)越，指令代碼完全兼容傳統(tǒng)
2022-06-07 17:51:53
MS8005F 增強(qiáng)型 8051 MCUMS8005F 是一顆通用型 1T 8051 Core MCU。在同樣的系統(tǒng)時(shí)鐘下，比傳統(tǒng)的 8051 運(yùn)行更快速，性能更優(yōu)越，指令代碼完全兼容傳統(tǒng)
2022-05-31 09:26:16
系統(tǒng)和空調(diào)通風(fēng)系統(tǒng)控制)；汽車(chē)(汽車(chē)音響、遙控、電動(dòng)座椅和照明控制)和醫(yī)療市場(chǎng)(智能醫(yī)療繃帶、妊娠檢測(cè)儀、血糖測(cè)量計(jì)和患者監(jiān)控設(shè)備)?！ 」┴浨闆r 首批采用增強(qiáng)型8位中檔PIC MCU內(nèi)核的器件預(yù)計(jì)
2008-11-25 09:48:50
NCP1611增強(qiáng)型高效功率因數(shù)控制器的典型應(yīng)用。 NCP1611設(shè)計(jì)用于基于創(chuàng)新的電流控制頻率折返（CCFF）方法驅(qū)動(dòng)PFC升壓級(jí)
2019-05-07 09:26:44
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N溝道增強(qiáng)型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 該TDM3512采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門(mén)電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門(mén)電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFETCN2302資料下載內(nèi)容主要介紹了：CN2302功能和特性CN2302引腳功能CN2302電路示意圖
2021-03-25 07:31:51
概述：SI4800雖然有8個(gè)腳，但卻不屬于集成電路，而屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，主要應(yīng)用在DC—DC變換器、直流電機(jī)控制、鋰離子電池應(yīng)用、筆記本個(gè)人電腦等場(chǎng)合。
2021-04-12 07:47:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-06 16:30:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-06 16:34:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-05 11:27:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-04 17:48:54
的。N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管就是增強(qiáng)型NMOS。先從NMOS的工作原理講起：對(duì)于增強(qiáng)型NMOS，絕緣層中沒(méi)有電荷，所以柵不通電時(shí)，絕緣層下的溝道仍為P型半導(dǎo)體，而而NMOS的漏極和源極是N型的，則源極
2012-07-05 11:30:45
的。N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管就是增強(qiáng)型NMOS。先從NMOS的工作原理講起：對(duì)于增強(qiáng)型NMOS，絕緣層中沒(méi)有電荷，所以柵不通電時(shí)，絕緣層下的溝道仍為P型半導(dǎo)體，而而NMOS的漏極和源極是N型的，則源極
2012-07-06 16:39:10
`N通道增強(qiáng)型MOSFETTDM3518 [/td] [td]描述 該TDM3518采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門(mén)電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征
2018-09-04 16:36:16
UltraCMOS?工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的HaRP?增強(qiáng)型SP4T RF開(kāi)關(guān)。 該通用開(kāi)關(guān)包含4個(gè)相同的RF端口，可用于高達(dá)3000 MHz的多種應(yīng)用。 它集成了板載CMOS控制邏輯和低壓CMOS兼容控制接口
2019-05-08 18:22:15
一般說(shuō)明PW2202是硅N溝增強(qiáng)型vdmosfet，采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了傳導(dǎo)損耗，改善了開(kāi)關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于系統(tǒng)的各種功率開(kāi)關(guān)電路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（開(kāi)）
2020-12-11 16:37:57
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，它采用先進(jìn)工藝，提供較低的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護(hù)，或PWM開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
借助其增強(qiáng)型 NDEF 功能（ANDEF），ST25TV512C 和 ST25TV02KC 標(biāo)簽IC具備了上下文自動(dòng)NDEF消息傳遞服務(wù)。最終用戶只需簡(jiǎn)單地“點(diǎn)擊”標(biāo)簽，便可動(dòng)態(tài)生成相應(yīng)的響應(yīng)
2023-09-13 06:33:45
用STC增強(qiáng)型51單片機(jī)計(jì)數(shù)編碼器脈沖數(shù)有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)漏記脈沖的現(xiàn)象，脈沖頻率也不高，不超過(guò)5K，有什么好的計(jì)數(shù)辦法?有時(shí)候編碼器沒(méi)動(dòng)，也會(huì)出現(xiàn)迅速計(jì)數(shù)的現(xiàn)象？
2019-07-08 04:35:19
器件功能和配置(STM32F103xx增強(qiáng)型)STM32F103xx增強(qiáng)型模塊框架圖STM32F103xx增強(qiáng)型VFQFPN36管腳圖STM32F103xx增強(qiáng)型LQFP100管腳圖
2021-08-05 06:50:21
Q1為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 該電路實(shí)際動(dòng)作：當(dāng)接通220V交流電，開(kāi)關(guān)S為斷開(kāi)時(shí)，Q1導(dǎo)通，燈亮；當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí)，Q1截止，燈滅。問(wèn)題：即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04
增強(qiáng)型并行端口EPP的主要特點(diǎn)是：提供了一個(gè)并行端口雙向溝通，即一種方法來(lái)讀取和寫(xiě)入外圍設(shè)備連接到您的PC的并行端口。交易是8位寬和原子。主機(jī)（PC）始終是交易的始作俑者，讀取或?qū)懭?。有沒(méi)有突發(fā)
2012-03-22 16:56:03
【老款芯片】80C51內(nèi)核增強(qiáng)型單片機(jī)芯片
2016-12-10 16:30:47
32KB Flash，48MHz，增強(qiáng)型PWM。 廣泛應(yīng)用于四軸飛行器，電機(jī)，數(shù)字電源、云臺(tái)、無(wú)線充等領(lǐng)域。CMS32F030系列MCU是中微半導(dǎo)體基于ARM-Cortex M0推出的基礎(chǔ)型MCU
2021-11-19 10:04:16
對(duì)于N溝道
增強(qiáng)型MOS管而言，為何漏源電壓增大到一定反
型層會(huì)消失？此時(shí)柵極和襯底間不是仍然有一個(gè)正壓?jiǎn)?/div>
2023-03-31 15:31:55
描述TIDA-01540 參考設(shè)計(jì)可為增強(qiáng)型隔離式 10kW 三相逆變器降低系統(tǒng)成本并支持緊湊型設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)在單個(gè)封裝和自舉配置中使用雙柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)為柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)生浮動(dòng)電壓，從而實(shí)現(xiàn)較低的系統(tǒng)成本
2018-12-06 14:17:15
隱時(shí)間）?！ ?直列式電流檢測(cè) 結(jié)合高共模輸入電壓，增強(qiáng)型PWM抑制有助于進(jìn)行直列式電流監(jiān)測(cè)。由于處于惡劣環(huán)境中，電流感應(yīng)放大器必須具備穩(wěn)健性。除此要求外，該放大器還必須具有較高的交流和直流精度
2020-12-24 17:34:32
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個(gè)器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
ESD增強(qiáng)型器件的特點(diǎn)是什么？如何對(duì)ESD增強(qiáng)型器件進(jìn)行仿真分析？
2021-05-12 06:45:03
周立功 增強(qiáng)型80C51單片機(jī)速成與實(shí)戰(zhàn)
2012-08-06 13:25:00
；最大瞬態(tài)隔離電壓，VOITM；及最大重復(fù)峰值隔離電壓，VIORM（參見(jiàn)白皮書(shū)“高壓
增強(qiáng)型隔離：定義與測(cè)試方法”中的解釋?zhuān)?/div>
2019-08-01 07:38:09
本文利用32位DSP-TMS320F2812自身的增強(qiáng)型SPI接口，結(jié)合性價(jià)比高的串行接口Flash，高效地實(shí)現(xiàn)了對(duì)系統(tǒng)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展。
2021-04-27 06:22:15
FPGA有哪些配置方式？FPGA配置流程是怎樣的？增強(qiáng)型配置片工作原理是什么？
2021-05-07 06:27:07
想要用增強(qiáng)型51單片機(jī)實(shí)驗(yàn)板實(shí)現(xiàn)紅外線遙控，有沒(méi)有可以參考的案例嗎？
2021-04-02 07:05:14
嗨，我想用PIC24FJ256GA705的增強(qiáng)型CRC從MAX31820計(jì)算1線CRC。結(jié)果是0，因?yàn)镃RC也在緩沖器中，數(shù)據(jù)是正確的，并且發(fā)送的CRC是正確的。但是CRC模塊的計(jì)算是錯(cuò)誤的，那么
2020-04-08 10:07:48
stc15w4k32s4單片機(jī)的6路增強(qiáng)型pwm怎么設(shè)置占空比為零？我把t1，t2都設(shè)置為0，但是波形的頻率卻變成了原來(lái)的一半，并且是50%的占空比。
2019-09-02 21:12:54
ARD00609，MCP19111支持PMBus的POL參考設(shè)計(jì)。 MCP19111是一款數(shù)字增強(qiáng)型PWM控制器。它將純模擬PWM控制器與監(jiān)控微控制器相結(jié)合，使其成為一種快速，經(jīng)濟(jì)高效且可配置的電源
2019-05-17 09:16:31
標(biāo)準(zhǔn)51單片機(jī)和增強(qiáng)型51單片機(jī)芯片引腳圖
2013-12-01 23:16:01
和DC精度、快速的輸出響應(yīng)和減少消隱時(shí)間使得電機(jī)以盡可能高的效率運(yùn)行。多相電機(jī)的精確定時(shí)控制盡可能地減少消隱時(shí)間，從而最大化電機(jī)效率。 圖4：增強(qiáng)型PWM抑制的五大優(yōu)勢(shì)本文
2018-10-15 09:52:41
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:41 編輯
請(qǐng)用一句話通俗易懂的話解釋下增強(qiáng)型捕獲 eCAP的功能，謝謝
2018-06-13 02:08:55
您好：我的芯片上寫(xiě)的型號(hào)如下：TMS320C6748BZCE E23A3J3W GI A37521 527 ZCE請(qǐng)問(wèn)，第二排的單獨(dú)的E 是指增強(qiáng)型？還是加密？這類(lèi)芯片在連接JTAG的時(shí)候有什么特殊要求嗎
2019-01-16 10:11:13
增強(qiáng)型驅(qū)動(dòng)程序(可混合顯示包括點(diǎn)線圖像字符漢字，可格式化輸出并自帶多種數(shù)字轉(zhuǎn)字符功能).rar (117.37 KB )
2019-08-14 03:51:55
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 編輯
高手進(jìn)來(lái)看看這個(gè)電路圖是不是畫(huà)錯(cuò)了MOS管 圖上畫(huà)的是耗盡型，可是我查到的是增強(qiáng)型圖上型號(hào)是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:43:3925 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810460 基于增強(qiáng)型并行口的智能儀表與微機(jī)的高速通訊
介紹計(jì)算機(jī)增強(qiáng)型并行口的信號(hào)，論述單片機(jī)控制的儀器儀表經(jīng)增強(qiáng)型并行口與微機(jī)通訊時(shí)的信號(hào)
2009-10-12 22:43:18537 
賽普拉斯推出增強(qiáng)型West Bridge Turbo-MTP2.0解決方案
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前為其West Bridge®外設(shè)控制器推出一個(gè)升級(jí)模塊，能為采用媒體傳輸協(xié)議(MTP)從ＰＣ到手持設(shè)備
2009-11-26 17:46:11423 Vishay推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器
Vishay Intertechnology日前宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電流高達(dá)30～45A，最大峰
2010-01-06 10:45:07742 
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432338 萊爾德科技推出增強(qiáng)型Tlam SS LLD 導(dǎo)熱PCB基板
萊爾德科技公司日前宣布，推出增強(qiáng)型 Tlam? SS LLD (Laird LED Dielectric) 導(dǎo)熱印刷
2010-04-17 16:35:101112 TE Connectivity(TE)推出針對(duì)LED照明應(yīng)用的全新CoolSplice連接器產(chǎn)品系列。這一新的產(chǎn)品系列不僅能實(shí)現(xiàn)方便的按鈕式端接
2011-05-04 09:02:13851 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布推出最新數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬（DEPA）控制器——MCP19118和MCP19119（MCP19118/9）。
2014-10-22 15:21:071402 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）日前推出了擁有電流、電壓調(diào)節(jié)及溫度監(jiān)控功能的全新數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬（DEPA）控制器產(chǎn)品。
2016-09-30 15:40:281067 TE Connectivity (TE)推出符合ANSI 136.41規(guī)定的76 mm和81 mm直徑調(diào)光光控器底座組件以及各種高度的套筒和上蓋，可在光控元件和調(diào)光插座之間提供整體電源和信號(hào)接口
2017-09-26 19:29:137948 近日，全球領(lǐng)先的連接解決方案供應(yīng)商，TE Connectivity （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TE”）， 推出 LUMAWISE LED Z45型底座，進(jìn)一步擴(kuò)展了板載（COB）LED 底座系列。TE第二代新款
2018-05-21 10:45:002343 本文檔描述了增強(qiáng)型局控制器域網(wǎng)（eCAN）在F2833x和F2823x器件。
2021-04-07 14:13:0613 可用的增強(qiáng)型產(chǎn)品
2021-04-24 13:56:150 前一陣臺(tái)風(fēng)過(guò)境，大雨如注的樣子，是否讓你記憶猶新？當(dāng)我們?cè)谖輧?nèi)躲避風(fēng)雨的時(shí)候，你是否想過(guò)街邊的路燈是如何抵御風(fēng)雨來(lái)襲？ TE Connectivity（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TE”）于近期推出了LUMAWISE
2021-08-18 10:28:334691 HC89F3XX1系列是芯圣電子推出的增強(qiáng)型8位觸摸單片機(jī)，內(nèi)置增強(qiáng)型 8051 內(nèi)核，擁有最大32K的ROM、256Bytes的IRAM以及1K的XRAM。
2023-06-01 16:39:56228 
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