LED封裝技術(shù)的要素有三點(diǎn)：封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、選用合適封裝材料和工藝水平，目前LED封裝結(jié)構(gòu)形式有100多種，主要的封裝類型有Lamp系列40多種、 SMD（chip LED和TOP LED）系列30多種、COB系列30多種、PLCC、大功率封裝、光集成封裝和模塊化封裝等，封裝技術(shù)的發(fā)展要緊跟和滿足LED應(yīng)用產(chǎn)品發(fā)展的需要。

　　LED封裝技術(shù)的基本內(nèi)容

　　LED封裝技術(shù)的基本要求是：提高出光效率、高光色性能及器件可靠性。

　?。?）提高出光效率

　　LED封裝的出光效率一般可達(dá)80~90%。

　　①選用透明度更好的封裝材料：透明度≥95%（1mm厚度），折射率大于1.5等。

　?、谶x用高激發(fā)效率、高顯性的熒光粉，顆粒大小適當(dāng)。

　?、垩b片基板（反射杯）要有高反射率，出光率高的光學(xué)設(shè)計(jì)外形。

　?、苓x用合適的封裝工藝，特別是涂覆工藝。

　　（2）高光色性能

　　LED主要的光色技術(shù)參數(shù)有：高度、眩光、色溫、顯色性、色容差、光閃爍等。

　　顯色指數(shù)CRI≥70（室外）、≥80（室外）、≥90（美術(shù)館等）

　　色容差≤3 SDCM、≤5 SDCM（全壽命期間）

　　封裝上要采用多基色組合來(lái)實(shí)現(xiàn)，重點(diǎn)改善LED輻射的光譜量分布SPD，向太陽(yáng)光的光譜量分布靠近。要重視量子點(diǎn)熒光粉的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用，來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的光色質(zhì)量。

　?。?）LED器件可靠性

　　LED可靠性包含在不同條件下LED器件性能變化及各種失效模式機(jī)理（LED封裝材料退化、綜合應(yīng)力的影響等），這是主要提到可靠性的表征值—壽命，目前LED器件壽命一般為3~5小時(shí)，可達(dá)5~10萬(wàn)小時(shí)。

　?、龠x用合適的封裝材料：結(jié)合力要大、應(yīng)力小、匹配好、氣密性好、耐溫、耐濕（低吸水性）、抗紫外光等。

　?、诜庋b散熱材料：高導(dǎo)熱率和高導(dǎo)電率的基板，高導(dǎo)熱率、高導(dǎo)電率和高強(qiáng)度的固晶材料，應(yīng)力要小。

　?、酆线m的封裝工藝：裝片、壓焊、封裝等結(jié)合力強(qiáng)，應(yīng)力要小，結(jié)合要匹配。

　　LED光集成封裝技術(shù)

　　LED光集成封裝結(jié)構(gòu)現(xiàn)有30多種類型，正逐步走向系統(tǒng)集成封裝，是未來(lái)封裝技術(shù)的發(fā)展方向。

　?。?）COB集成封裝

　　COB集成封裝現(xiàn)有MCOB、COMB、MOFB、MLCOB等30多種封裝結(jié)構(gòu)形式，COB封裝技術(shù)日趨成熟，其優(yōu)點(diǎn)是成本低。COB封裝現(xiàn)占LED光源約40%左右市場(chǎng)，光效達(dá)160~178 lm/w，熱阻可達(dá)2℃/w，COB封裝是近期LED封裝發(fā)展的趨勢(shì)。

　?。?）LED晶園級(jí)封裝

　　晶園級(jí)封裝從外延做成LED器件只要一次劃片，是LED照明光源需求的多系統(tǒng)集成封裝形式，一般襯底采用硅材料，無(wú)需固晶和壓焊，并點(diǎn)膠成型，形成系統(tǒng)集成封裝，其優(yōu)點(diǎn)是可靠性好、成本低，是封裝技術(shù)發(fā)展方向之一。

　?。?）COF集成封裝

　　COF集成封裝是在柔性基板上大面積組裝中功率LED芯片，它具有高導(dǎo)熱、薄層柔性、成本低、出光均勻、高光效、可彎曲的面光源等優(yōu)點(diǎn)，可提供線光源、面光源和三維光源的各種LED產(chǎn)品，也可滿足LED現(xiàn)代照明、個(gè)性化照明要求，也可作為通用型的封裝組件，市場(chǎng)前景看好。

　?。?）LED模塊化集成封裝

　　模塊化集成封裝一般指將LED芯片、驅(qū)動(dòng)電源、控制部分（含IP地址）、零件等進(jìn)行系統(tǒng)集成封裝，統(tǒng)稱為L(zhǎng)ED模塊，具有節(jié)約材料、降低成本、可進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)、維護(hù)方便等很多優(yōu)點(diǎn)，是LED封裝技術(shù)發(fā)展的方向。

　?。?）覆晶封裝技術(shù)

　　覆晶封裝技術(shù)是由芯片、襯底、凸塊形成了一個(gè)空間，這樣封裝出來(lái)的芯片具有體積小、性能高、連線短等優(yōu)點(diǎn)，采用陶瓷基板、覆晶芯片、共晶工藝、直接壓合等來(lái)達(dá)到高功率照明性能要求。用金錫合金將芯片壓合在基板上，替代以往的銀膠工藝，“直接壓合”替代過(guò)去“回流焊”，具有優(yōu)良的導(dǎo)電效果和導(dǎo)熱面積。該封裝技術(shù)是大功率LED封裝的重要發(fā)展趨勢(shì)。