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SRAM存儲芯片即是靜態(tài)隨機存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多8 BIT 單片機，由于能支持的RAM存儲比較小，內(nèi)部緩存又不夠；或者16 BIT MCU，支持的RAM比較大，但對低功耗有要求而無法用DRAM的系統(tǒng)。那么如何設(shè)計SRAM存儲主板呢?下面由英尚微電子介紹SRAM存儲器主板基本設(shè)計的五大步驟。
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1.地址緩沖器在提供給存儲器的sa0～sa15地址中加人緩沖器。緩沖器利用74ls244也可以，但因為741ls245布線比較簡單，所以才通過74ls245可單向使用。
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2.數(shù)據(jù)緩沖器因為數(shù)據(jù)需要雙向進行，所以才要利用74ls245來進行接收。會將柵極一直打開，通過對存儲器芯片的讀信號來進行方向控制。本次我們采用將pld上存儲器的讀信號設(shè)置為只在cs1有效時才輸出的方法。
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3.pld（memdec）ld應(yīng)用于生成對存儲器的片選、de以及we信號中。片選信號是在刷新周期以外、當?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平時被選擇的。將存儲器芯片的讀/寫信號設(shè)置為當片選和smemr/smemw有效時輸出。
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4.各份電源的切換，電池各份的重點將會在于電源切換和片選信號的控制。本次為了簡單起見，只單純獲取vcc和電池（為cn2提供3.6v的電池）的二極管or，但需要注意二極管正向電壓降。如果電源電壓比所提供的電壓低很多的話，則可能會發(fā)生超出操作電壓或者輸入引腳的電壓高于電源電壓的情況。
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5.片選控制，為了電池備份，必須使存儲器的片選信號無效。本次我們雖然只利用ce1進行控制，但為了保持較低的損耗電流，必須使ce1可保持與電源電壓相近的值（cy62l28為vcc-0.2v以上）。為了進行片選控制，將會利用作為電源監(jiān)視ic的adm708（模擬器件）和74hc系列的cmos門組成電路。
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靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)多年來被廣泛應(yīng)用于各種場合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)方面的應(yīng)用，特別會要求初始存取等待時間比較短的情況下，都會考慮使用SRAM，這已經(jīng)成為一個常識。歷史上SRAM存儲器芯片市場曾經(jīng)幾度起伏，大多數(shù)時候整個存儲器芯片市場需求量會因為一個新的SRAM應(yīng)用而暴漲。lw
SRAM存儲器主板基本設(shè)計
- sram(113777)
- ISSI(22317)
- SRAM存儲器(13126)
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874處理器基礎(chǔ)抱佛腳-存儲器部分
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存儲器集成電路測試
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主存儲器的主要技術(shù)指標
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什么是外部存儲器
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
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單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)
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3.產(chǎn)品應(yīng)用
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單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
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2023-05-10 15:17:56
國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術(shù)進行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615
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如何為RT1172選擇FLASH存儲器？
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA （外設(shè)到存儲器）
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2023-04-20 16:37:41
CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA （存儲器到外設(shè)）
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
一文了解新型存儲器MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542
2542CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA（存儲器到存儲器）
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
及SRAM相當,大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
RA2快速設(shè)計指南 [6] 存儲器
這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466
466是否可以將FLASH用作輔助存儲器？
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
電路mcu是什么 MCU主板構(gòu)造
存儲器：存儲器是MCU主板的重要組成部分，用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲器。
2023-04-01 17:49:174494
4494我們常用存儲器知道有哪些嘛
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551
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探究計算機存儲器結(jié)構(gòu)體系2
你是不是經(jīng)常被以下名詞弄得暈頭轉(zhuǎn)向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我盡力以上圖為參考，從上到下，說明各個層次存儲器的特點和區(qū)別，并對它們的工作原理做一些簡要的說明
2023-03-30 10:32:39580
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探究計算機存儲器結(jié)構(gòu)體系1
你是不是經(jīng)常被以下名詞弄得暈頭轉(zhuǎn)向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我盡力以上圖為參考，從上到下，說明各個層次存儲器的特點和區(qū)別，并對它們的工作原理做一些簡要的說明
2023-03-30 10:32:16624
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IMXRT1064智能外部存儲器引腳多路復(fù)用器是什么意思？
我有以下與智能外部存儲控制器相關(guān)的問題。Q1：為什么我們沒有使用 SRAM 的 BA0 和 BA1，如下所示 (SEMC_SRAM_Q1_Pic.png)。?Q2：“ADV#”、“ALE”和“DCX
2023-03-29 08:09:01
工商網(wǎng)監(jiān)
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