電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 新唐科技，一家領(lǐng)先的微控制器制造商，近日宣布推出其首款支持DDR5模塊的微控制器NUC1263系列。這款新品不僅具備強大的性能，還擁有獨特的接口技術(shù)，旨在滿足電競市場的需求。
2024-01-30 11:02:31
326 STM32H750是STMicroelectronics推出的一款高性能微控制器，其特點之一是可擴展的SDRAM（同步動態(tài)隨機存儲器）接口。本文將詳細介紹STM32H750擴展SDRAM的相關(guān)知識
2024-01-04 14:09:23339
DDR芯片內(nèi)存的工作原理可以分為兩部分， 一部分是時序，一部分是數(shù)據(jù)傳輸 。
控制DDR內(nèi)存的時序，是由內(nèi)存控制器控制的，它負責(zé)管理內(nèi)存的讀寫操作。內(nèi)存控制器會向DDR內(nèi)存發(fā)送時鐘信號，這個時鐘信號
2023-12-25 14:02:58
DDR芯片內(nèi)存的工作原理可以分為兩部分， 一部分是時序，一部分是數(shù)據(jù)傳輸 。
控制DDR內(nèi)存的時序，是由內(nèi)存控制器控制的，它負責(zé)管理內(nèi)存的讀寫操作。內(nèi)存控制器會向DDR內(nèi)存發(fā)送時鐘信號，這個時鐘信號
2023-12-25 13:58:55
共模電容：又一款EMC濾波神器？（上）相信不少人是有疑問的，今天深圳市比創(chuàng)達電子科技有限公司就跟大家解答一下！
傳統(tǒng)共模濾波器的局限性通常我們討論EMC問題中的噪聲及干擾，多是共模噪聲、共模干擾
2023-12-25 10:53:31
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
AD9739的寄存器，發(fā)現(xiàn)AD9739的SYNC 控制器和RCVR控制器LOST信號拉高，不能進行正確的同步。目前觀察MU控制器的同步狀態(tài)一直穩(wěn)定。通過接近三周的調(diào)試，還沒有確定問題的原因，麻煩您幫我分析一下謝謝！
2023-12-22 08:05:12
征求一款USB控制的48路光耦開關(guān)電路方案.vx :msg_winter
2023-12-21 15:51:04
RK3588 DDR 控制器接口支持 JEDEC SDRAM 標準接口，原理電路16位數(shù)據(jù)信號如圖8-1所示，地址、控制信號如圖8-2所示，電源信號如圖8-3所示。
2023-11-03 09:34:17798 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于FPGA的一種SDRAM控制器簡易化設(shè)計方法.pdf》資料免費下載
2023-10-26 09:08:370 AT32 MCU SDRAM Application Note本文主要講解AT32 SDRAM 控制器的使用。
2023-10-25 06:37:13
客戶做小功率電源，目前有一款副邊反激控制器型號 5L0380R目前價格處于高位，客戶為了降本增效考慮國產(chǎn)替代，具體參數(shù)詳見附件，望各位大神不另賜教！
*附件：ON-KA5L0380R.pdf
2023-10-23 17:21:16
是一款 USB3.2 Gen1X1接口的 的 4 口 口 HUB控制器 芯片， 片成 上集成 32
位 微處理器， 它具有低功耗 、 高性能 、 可配置 等特點 ；芯片 集成 USB3.0高速物
理層
2023-10-20 18:20:58
PCL6143運動控制器的原理及應(yīng)用 可以用于設(shè)計開發(fā)相應(yīng)的芯片電路。介紹了PCL6143 的功能結(jié)構(gòu)、主要寄存器以及指令系統(tǒng)。設(shè)計了一款基于PC104總線的四軸運動控制卡, 介紹了如何編寫運動控制卡的功能函數(shù)庫。
2023-09-26 08:14:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PIC32系列參考手冊之DDR SDRAM控制器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:39:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費下載
2023-09-25 10:11:120 DDR電路簡介 RK3588 DDR 控制器接口支持 JEDEC SDRAM 標準接口，原理電路16位數(shù)據(jù)信號如圖8-1所示，地址、控制信號如圖8-2所示，電源信號如圖8-3所示。電路控制器有如
2023-09-19 11:40:01271 
在這篇文章中，我們將討論一種大電流無傳感器 BLDC電機控制器電路，該電路不依賴于霍爾效應(yīng)傳感器來啟動操作，而是利用電機的反電動勢進行順序輸入
對于正確的換向，大多數(shù)三相 BLDC 驅(qū)動器
2023-09-14 16:09:43
本文檔描述在 STM32MP1 系列 MPU 上配置 DDR 子系統(tǒng)（DDRSS）所需的流程和步驟。通過設(shè)定 DDR 控制器（DDRCTRL）、PHY 接口（DDRPHYC）和 SDRAM 模式
2023-09-07 07:52:24
這是DMC-500的高級概述。
DMC-500是由ARM開發(fā)、測試和許可的ARM AMBA?SoC外圍設(shè)備。
它是一款高性能、面積優(yōu)化的內(nèi)存控制器，與AMBA 4 AXI協(xié)議兼容。
它支持以下存儲設(shè)備：
·低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率3(LPDDR3)SDRAM。
·LPDDR4 SDRAM。
2023-09-04 07:05:12
SDRAM有多種標準，包括DDR（Double Data Rate）、DDR2、DDR3和DDR4。每個標準都具有不同的物理規(guī)格和數(shù)據(jù)傳輸速率。DDR4是現(xiàn)代計算機中使用的最新型號，它具有更高的頻率和更大的容量。
2023-08-26 11:57:422050 控制器是控制系統(tǒng)動態(tài)反應(yīng)、穩(wěn)定性和性能的DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的一個關(guān)鍵要素。 控制器的主要功能是調(diào)節(jié)輸出電壓或電流, 使轉(zhuǎn)換器能夠用所需數(shù)量的電力提供負荷。 本節(jié)討論控制器設(shè)計和穩(wěn)定性分析,這是
2023-08-25 15:14:32488 TrustZone中斷控制器(TZIC)是一款高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)兼容的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和授權(quán)。
TZIC為TrustZone設(shè)計中的安全中斷系統(tǒng)
2023-08-21 06:07:52
Wavedrom 是一款功能強大且簡單易用的文本轉(zhuǎn)圖表工具，被廣泛應(yīng)用于生成時序圖、波形圖等交互式波形。其特點在于使用簡單的文本語法，使得開發(fā)人員能夠以可視化的方式表示數(shù)字信號和時間序列數(shù)據(jù)
2023-08-15 12:26:342944 
PL340內(nèi)存控制器是一款高性能、面積優(yōu)化的SDRAM或移動SDR內(nèi)存控制器，兼容高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)AXI協(xié)議。
有關(guān)AXI協(xié)議的詳細說明，請參閱AMBA AXI協(xié)議規(guī)范。
本節(jié)總結(jié)
2023-08-12 06:25:03
PL341內(nèi)存控制器是一款高性能、面積優(yōu)化的DDR2 SDRAM內(nèi)存控制器，兼容高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)AXI協(xié)議。
有關(guān)AXI協(xié)議的詳細說明，請參閱AMBA AXI協(xié)議規(guī)范。
本節(jié)總結(jié)了周期模型的功能與硬件的功能，以及周期模型的性能和準確性。
2023-08-12 06:01:49
我手上有一張DDR200T的開發(fā)板，板載了一塊512M的SDRAM內(nèi)存，板子燒了一個UX600的demosoc，我是要在這個板子跑RT-Thread。
要是想使用這塊SDRAM應(yīng)該怎么做呢？應(yīng)該
2023-08-11 08:05:46
LPDDR2 DMC是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測試和許可。
LPDDR2 DMC是一款高性能、區(qū)域優(yōu)化的LPDDR和LPDDR2 SDRAM內(nèi)存控制器，與AMBA AXI協(xié)議兼容。
2023-08-02 18:41:16
PrimeCell SDRAM控制器是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測試和許可。
PrimeCell SDRAM控制器將SDRAM連接到嵌入式SoC ASIC和ASSP。
2023-08-02 18:13:06
控制器是一個高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）主從模塊，連接到高級高性能總線（AHB）。它是一款兼容AMBA的片上系統(tǒng)（SoC）外設(shè)，由ARM開發(fā)、測試和許可。
控制器是一種可重復(fù)使用的軟IP塊
2023-08-02 15:37:29
CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊
2023-08-02 15:28:28
VIC是一款符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測試和許可。
VIC為中斷系統(tǒng)提供接口，并通過兩種方式改善中斷延遲：
?將中斷控制器移至AMBA AHB總線?為高優(yōu)先級中斷源提供矢量中斷支持
2023-08-02 13:57:35
PrimeCell靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
關(guān)于該產(chǎn)品是DMC-620的高級概述。
DMC-620是Arm AMBA 5芯片SoC外設(shè)，由Arm開發(fā)、測試和許可。它是一款高性能、區(qū)域優(yōu)化的內(nèi)存控制器，與AMBA 5 CHI協(xié)議兼容。
它支持
2023-08-02 11:55:49
DMC是由ARM開發(fā)、測試和許可的高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）。
DMC是一種高性能、區(qū)域優(yōu)化的SDRAM或移動SDR存儲器控制器，與AMBA AXI協(xié)議兼容。
您可以使用多個選項配置DMC
2023-08-02 11:26:08
DMC-400是由ARM開發(fā)、測試和許可的符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它是一款高性能、區(qū)域優(yōu)化的內(nèi)存控制器，與AMBA兼容
2023-08-02 10:28:21
這是DMC-520的高級概述。
DMC-520是由ARM開發(fā)、測試和許可的ARM AMBA 5芯片SoC外圍設(shè)備。它是一款高性能、區(qū)域優(yōu)化的內(nèi)存控制器，與AMBA 5 CHI協(xié)議兼容。
它支持以下
2023-08-02 08:30:00
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103365 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《簡單的水位開/關(guān)控制器.zip》資料免費下載
2023-07-10 15:14:120 DDR是DDR SDRAM的簡稱，只是人們習(xí)慣了稱之為DDR，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指需要時鐘。
2023-06-25 15:06:404905 
MS2107是一款視頻和音頻采集芯片，內(nèi)部集成USB2.0控制器和數(shù)據(jù)收發(fā)模塊、視頻ADC模塊、音頻ADC模塊和音視頻處理模塊。MS2107可以將CVBS、S-Vido和音頻信號通過USB接口
2023-06-15 15:26:30
LTC?7820 是一款固定比例高電壓高功率開關(guān)電容器 / 充電泵控制器。該器件內(nèi)置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器以在分壓器、倍壓器或負輸出轉(zhuǎn)換器配置中驅(qū)動外部功率 MOSFET。這款
2023-06-12 10:40:35
MAX8537/MAX8539控制器為雙數(shù)據(jù)速率(DDR)和組合器電源提供了一個完整的電源管理方案。MAX8537和MAX8539分別配置為反相和同相DDR電源工作模式，產(chǎn)生三個輸出：主存儲器電壓
2023-06-07 11:17:02
MAX8537/MAX8539控制器為雙數(shù)據(jù)速率(DDR)和組合器電源提供了一個完整的電源管理方案。MAX8537和MAX8539分別配置為反相和同相DDR電源工作模式，產(chǎn)生三個輸出：主存儲器電壓
2023-06-07 11:14:43
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
LTC?3870-1 是一款多相 (PolyPhase?) 降壓型從屬控制器，專為與 LTC 的數(shù)字電源系統(tǒng)管理 DC/DC 控制器進行多相運作而特別設(shè)計。通過將其自身與一個 LTC3887-1
2023-05-25 13:42:38
我使用 Wemos D1 mini 制作了一款簡單但具有挑戰(zhàn)性的游戲。
我盡量使說明盡可能詳細，但如果您對此有任何疑問，請告訴我。
您所要做的就是將魔杖從電線的一端拿到另一端。它有一個 OLED
2023-05-23 06:14:41
LTC?3766 是一款具多相操作能力的副端控制器，適用于同步正激式轉(zhuǎn)換器。當(dāng)與 LTC3765 有源箝位正激式控制器及柵極驅(qū)動器配合使用時，該器件可造就一款完整的隔離式電源，這種電源把多相操作
2023-05-22 11:23:16
LTC?3831 是一款專為 DDR 存儲器終端而設(shè)計的高功率、高效率開關(guān)穩(wěn)壓控制器。LTC3831 可產(chǎn)生一個等于 1/2 外部電源或基準電壓的輸出電壓。LTC3831 采用同步開關(guān)架構(gòu)和 N
2023-05-17 11:23:31
LTC?3717 是一款用于雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 存儲器終端的同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器。該控制器采用一種谷值電流控制架構(gòu)以提供非常低的占空比，并不需要使用一個檢測
2023-05-17 11:20:40
LTC?3718 是一款用于 DDR 和 QDR? 存儲器終端的高電流、高效率同步開關(guān)穩(wěn)壓控制器。該器件采用一個低至 1.5V 的輸入工作，并提供一個等于 (0.5)VIN
2023-05-17 11:13:07
LTC?3717-1 是一款用于雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 存儲器終端的同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器。該控制器采用一種谷值電流控制架構(gòu)，以在采用和未采用檢測電阻器的情況下提供
2023-05-17 11:03:09
LTC?3776 是一款面向 DDR/QDR 存儲器終端應(yīng)用的兩相、雙輸出同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器。第二個控制器負責(zé)將其輸出電壓調(diào)節(jié)至 1/2 VREF，并提供了對稱的輸出電壓供應(yīng)和吸收能力。無檢測
2023-05-17 09:57:00
LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未來的較低電壓 DDRX標準。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一個高精度
2023-05-16 17:24:37
LTC?3634 是一款高效率、雙通道、單片式、同步降壓型穩(wěn)壓器，可為 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供
2023-05-16 17:19:38
有沒有辦法重置和重新初始化 DDR 控制器？DRAM 類型是 LPDDR4。
我們的目標：我們嘗試為組裝有不同大小 RAM 的電路板系列實施解決方案。
為了獲得可重現(xiàn)的結(jié)果，我們尋求在嘗試下一個配置
2023-05-16 09:03:04
在使用 Imx8mp 和 rk3399proD 時，我意識到 imx 的性能優(yōu)于 rk。但是如果我們比較那里的CPU配置RK比imx更強大？
2023-05-11 06:15:30
LTC?3783 是一款電流模式 LED 驅(qū)動器及升壓、反激和 SEPIC 型控制器，用于驅(qū)動一個 N 溝道功率 MOSFET 和一個 N 溝道負載 PWM 開關(guān)。當(dāng)采用一個外部負載開關(guān)
2023-05-06 11:27:21
的 DDR 控制器中啟用 DDR 時鐘的最低要求是什么。在 DDR_SDRAM_CFG 中啟用 MEM_EN 時，在 DDR 時鐘啟動之前是否必須有一組最小的 DDR 設(shè)置，即使其余配置還不
2023-05-06 08:20:49
我們想在我們的一個物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用項目中使用 MIMXRT1176DVMAA。為此，我們不需要外部 SDRAM。所以，我們想在沒有 SDRAM 的情況下運行這個控制器。
根據(jù)數(shù)據(jù)表，該控制器具有內(nèi)部 2MB SDRAM，因此我們要使用它。
你能證實這一點嗎？
2023-05-04 08:12:41
Multimedia Processor for Mobile Applications (EMMA Mobile1) DDR SDRAM Interface 用戶手冊 (R19UH0028EJ0500_EMMAMOBIL)
2023-04-18 19:47:170 的轉(zhuǎn)起來并無法滿足實際應(yīng)用的需求，我們還可能面對需要解決一下問題：1）如何減少上位MCU的工作量，比如將對于電機的位置速度控制，傳感器限位輸入以及編碼器輸入下放到驅(qū)動端？如何規(guī)劃好加減速軌跡曲線 使電機
2023-04-15 11:17:28
大家好，有沒有簡單的方法可以判斷控制器在生產(chǎn)車間是否正常？我們可以有一些生產(chǎn)裝置可以告訴一些產(chǎn)品功能是好的。我們正在尋找一些基于硬件/軟件的測試，以確保 NXP 微控制器正常且未被篡改。 我們在這
2023-04-11 08:25:09
LTC?4241 是一款熱插拔控制器，其允許從一個帶電 PCI 總線插槽安全地進行電路板的插拔操作。LTC4241 具有一個負責(zé)控制 4 個 PCI 電源的主控制器，和一個用于控制 3.3V 輔助
2023-04-06 13:39:24
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
LT?3799-1 是一款具有功率因數(shù)校正功能的隔離型反激式控制器，專為驅(qū)動 LED 而特別設(shè)計。該控制器采用臨界導(dǎo)通模式運作，因而允許使用一個小的變壓器。這款控制器運用一種新穎的電流檢測方案，能夠
2023-03-31 13:42:06
LTC?4278是一款集成受電設(shè)備 (PD) 控制器和開關(guān)穩(wěn)壓器，擬用于高功率 IEEE 802.3at 和 802.3af 應(yīng)用。憑借一個很寬的輸入電壓范圍，LTC4278 專為支持那些包括一個
2023-03-30 11:28:45
我正在尋找一些與 IMXRT1064 的外部 SRAM 使用相關(guān)的信息。例如，EVK 有 256Mbit 166MHz SDRAM。166MHz與使用過的SDRAM有關(guān)。我試圖找到 SEMC 控制器
2023-03-30 07:11:18
的操作，但我仍然無法訪問內(nèi)存區(qū)域。我是如何一步一步粗略地做到這一點的：初始化 DDR 控制器 1 和 2 -> 為每個控制器開啟 TZC 網(wǎng)守 -> 應(yīng)用內(nèi)存區(qū)域信息 -> 設(shè)置操作
2023-03-29 07:58:56
本文檔描述在 STM32MP1 系列 MPU 產(chǎn)品上配置 DDR 子系統(tǒng)（DDRSS）所需的流程和步驟。? 設(shè)定 DDR 控制器（DDRCTRL）、PHY 接口（DDRPHYC）和 SDRAM 模式
2023-03-25 20:30:041903
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論