2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:37
430 
288 位置 DIMM DDR5 SDRAM 個(gè)插口 表面貼裝型
2024-03-14 20:41:22
PLC（可編程邏輯控制器）和工控電腦（工業(yè)控制計(jì)算機(jī)）都是工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的重要組成部分，但它們之間存在一些顯著的差異。
2024-03-14 09:24:36225 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:03
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 英飛凌單片機(jī)程序開發(fā)和STM32程序開發(fā)之間有多少差異？英飛凌單片機(jī)有沒有類似庫函數(shù)的東西？
2024-02-05 07:14:43
浪涌電流、峰值電流和穩(wěn)態(tài)電流之間的差異? 浪涌電流、峰值電流和穩(wěn)態(tài)電流是在不同電路條件下出現(xiàn)的三種不同類型的電流。它們?cè)谛再|(zhì)和產(chǎn)生原因上存在差異。 首先，我們來討論浪涌電流。浪涌電流是指電路中由于
2024-02-04 09:24:40305 發(fā)電機(jī)，逆變器和UPS之間的差異? 發(fā)電機(jī)、逆變器和UPS（不間斷電源）是現(xiàn)代電力供應(yīng)和儲(chǔ)備系統(tǒng)中常見的組件。盡管它們的目標(biāo)都是提供持續(xù)和穩(wěn)定的電力供應(yīng)，但在設(shè)計(jì)、工作原理和適用場(chǎng)景上存在差異
2024-02-01 10:03:00178 薄膜電阻器和厚膜電阻器之間有哪些差異呢？ 薄膜電阻器和厚膜電阻器是常見的電子元件，用于電路中的精確電阻調(diào)節(jié)和限流。它們的差異主要體現(xiàn)在制作工藝、性能特點(diǎn)、適用范圍等方面。 第一段：介紹電阻器
2024-01-30 17:26:50264 比較AT和SC晶體振蕩器之間的差異? AT和SC晶體振蕩器是兩種常見的電子元件，用于產(chǎn)生高精度和穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。雖然它們都能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)，但在工作原理、性能和應(yīng)用方面存在一些差異。本文將詳細(xì)
2024-01-25 13:51:11132 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052859 目前想要通過DDR200T開發(fā)板做一個(gè)基于FPGA的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)軟硬協(xié)同加速器
DDR200T開發(fā)板中FPGA模塊用的是xc7a200t和gd32vf103（mcu）之間是通過什么傳輸數(shù)據(jù)的？
是通過AXI總線進(jìn)行傳輸?shù)拿?？有沒有大佬有DDR200t開發(fā)板這兩個(gè)模塊的交互原理圖，求解答
2024-01-10 06:28:53
DDR接口速率越來越高，每一代產(chǎn)品都在挑戰(zhàn)工藝的極限，對(duì)DDR PHY的訓(xùn)練要求也越來越嚴(yán)格。本文從新銳IP企業(yè)芯耀輝的角度，談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">DDR PHY訓(xùn)練所面臨的挑戰(zhàn)，介紹芯耀輝DDR PHY訓(xùn)練的主要過程和優(yōu)勢(shì)，解釋了芯耀輝如何解決DDR PHY訓(xùn)練中的問題。
2024-01-05 10:27:34519 
STM32H750是STMicroelectronics推出的一款高性能微控制器，其特點(diǎn)之一是可擴(kuò)展的SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）接口。本文將詳細(xì)介紹STM32H750擴(kuò)展SDRAM的相關(guān)知識(shí)
2024-01-04 14:09:23339 LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061157 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 14:02:58
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 13:58:55
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
自2003年推出以來，PCIe發(fā)展至今已經(jīng)從最初的1.0升級(jí)到了6.0，本文則為大家簡單介紹一下PCIe標(biāo)準(zhǔn)的演進(jìn)歷史以及各代PCIe標(biāo)準(zhǔn)之間的主要差異。
2023-12-14 16:38:081525 
【科普小貼士】TVS二極管和齊納二極管之間的差異
2023-12-13 14:06:02328 
通過在時(shí)鐘上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)SDRAM更高的傳輸速率。目前，市場(chǎng)上主要有DDR、DDR2、DDR3、DDR4等幾代DDR內(nèi)存。
2023-12-11 09:27:49320 通過 SDRAM 的 7 個(gè)模式寄存器，可以對(duì) SDRAM 的特性，功能以及設(shè)置進(jìn)行編程。這些寄存器本身通過 MRS 命令編輯。模式寄存器一般在初始化期間進(jìn)行設(shè)定，但也可以在后續(xù)正常工作期間進(jìn)行修改。
2023-12-02 13:44:08924 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101474 
本文主要講述一下DDR從0到1設(shè)計(jì)的整個(gè)設(shè)計(jì)的全過程，有需要的朋友可先安排收藏。
2023-11-29 15:36:33773 
細(xì)數(shù)心臟起搏器和ICD之間的差異
2023-11-29 15:07:20485 本文主要講述一下DDR從0到1設(shè)計(jì)的整個(gè)設(shè)計(jì)的全過程。
2023-11-27 16:28:113707 
電機(jī)的極數(shù)是一個(gè)重要的技術(shù)參數(shù)，它決定了電機(jī)的結(jié)構(gòu)和工作原理，并且對(duì)電機(jī)的性能和應(yīng)用有著直接的影響。本文將深入探討電機(jī)極數(shù)的意義以及2極、4極、6極和8極電機(jī)之間的區(qū)別。
2023-11-27 10:15:22982 電路設(shè)計(jì)中常見的DDR屬于SDRAM，中文名稱是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
2023-11-24 17:28:521091 
對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上，ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%，從威強(qiáng)的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 不同類型的網(wǎng)線在速率上的差異主要取決于它們的類型和規(guī)格。
2023-11-16 14:58:40390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《網(wǎng)絡(luò)虛擬化、NFV和SDN之間的差異.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 15:54:360 RK3588 DDR 控制器接口支持 JEDEC SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)接口，原理電路16位數(shù)據(jù)信號(hào)如圖8-1所示，地址、控制信號(hào)如圖8-2所示，電源信號(hào)如圖8-3所示。
2023-11-03 09:34:17798 
Ruby 與 Python 之間的差異在很大程度上可通過 for 循環(huán)看出本質(zhì)。 Python 擁有 for 語句。對(duì)象告訴 for 如何進(jìn)行協(xié)作，而 for 的循環(huán)體會(huì)處理對(duì)象返回的內(nèi)容
2023-10-30 11:50:19288 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003888 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時(shí)，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
功率電感器的額定電流有兩種，它們之間的差異是什么呢？ 功率電感器是一種用于電力傳輸、計(jì)算和保護(hù)系統(tǒng)的重要元件。從基本的電感器開始，功率電感器通過增加導(dǎo)線數(shù)和金屬芯片的厚度，以及使用先進(jìn)的冷卻技術(shù)
2023-10-25 11:39:51689 它們都可以用于移動(dòng)設(shè)備、電動(dòng)汽車和其它電子設(shè)備，但它們彼此在電池容量、充放電速率、重量和價(jià)格等方面有所不同。在本文中，我們將討論扣電和軟包電芯之間的數(shù)據(jù)差異以及其原因。 一、電池容量 電池容量是衡量電池性能的重
2023-10-25 11:11:50707 AT32 MCU SDRAM Application Note本文主要講解AT32 SDRAM 控制器的使用。
2023-10-25 06:37:13
DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
光耦合器也稱為光隔離器，通過在輸入和輸出電路之間提供電氣隔離，在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。業(yè)界常用的兩種光耦合器6N136和6N137。本文深入研究了這些組件的技術(shù)方面，重點(diǎn)介紹了它們的主要差異和應(yīng)用。
2023-10-17 09:57:12964 
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲(chǔ)密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 SDRAM（synchronous dynamic random-access memory）即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。在介紹SDRAM前，我們先了解下DRAM（Dynamic random-access memory），DRAR中文譯為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存
2023-09-27 15:02:321004 
DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:188986 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PIC32系列參考手冊(cè)之DDR SDRAM控制器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:39:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:11:120 從而確保內(nèi)存穩(wěn)定，另外，DDR4內(nèi)存的金手指設(shè)計(jì)也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。當(dāng)然，DDR4最重要的使命還是提高頻率和帶寬，總體來說，DDR4具有更高的性能，更好的穩(wěn)定性和更低的功耗，那么從SI的角度出發(fā)，主要有下面幾點(diǎn), 下面章節(jié)對(duì)主要的幾個(gè)不同點(diǎn)進(jìn)行說明。
2023-09-19 14:49:441484 
DDR電路簡介 RK3588 DDR 控制器接口支持 JEDEC SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)接口，原理電路16位數(shù)據(jù)信號(hào)如圖8-1所示，地址、控制信號(hào)如圖8-2所示，電源信號(hào)如圖8-3所示。電路控制器有如
2023-09-19 11:40:01271 
一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個(gè)問題點(diǎn),當(dāng)然其它3W，2H是基本點(diǎn)。
2023-09-15 11:42:37757 
本文檔描述在 STM32MP1 系列 MPU 上配置 DDR 子系統(tǒng)（DDRSS）所需的流程和步驟。通過設(shè)定 DDR 控制器（DDRCTRL）、PHY 接口（DDRPHYC）和 SDRAM 模式
2023-09-07 07:52:24
您好：
想要請(qǐng)教一下 Mini55跟 NM1200 兩顆MCU
看使用手冊(cè)，兩顆實(shí)在非常像，所以有點(diǎn)好奇
1. 能否使用一樣的程式撰寫這兩顆MCU
2. 兩顆MCU是否Pin to Pin
另外還想要請(qǐng)教一下兩顆MCU之間的差異
感謝！
2023-09-06 06:13:38
摘要：程序員都知道，Linux 不是 Unix，不過二者之間確實(shí)存在關(guān)系，即 Linux 系統(tǒng)是從 Unix 派生出來的，而 Linux 是一個(gè)類 Unix 的操作系統(tǒng)。那么，二者之間具體存在哪些明顯的差異呢？
2023-09-04 12:42:56266
應(yīng)用程序:文檔顯示了 CPU 調(diào)用 PID 軟件功能和 DSP PID 庫之間的性能差異。
BSP 版本: M451 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件
2023-08-30 08:18:24
SDRAM有多種標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR（Double Data Rate）、DDR2、DDR3和DDR4。每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都具有不同的物理規(guī)格和數(shù)據(jù)傳輸速率。DDR4是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中使用的最新型號(hào)，它具有更高的頻率和更大的容量。
2023-08-26 11:57:422050
應(yīng)用程序:文檔顯示了 CPU 調(diào)用 PID 軟件功能和 DSP PID 庫之間的性能差異。
BSP 版本: M451 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件
2023-08-22 07:20:06
sdram型號(hào)：IS42S16160J 256MB
bsp里面的sdram是32M的，我的板子是256M的，當(dāng)SDRAM_SIZE為32M時(shí)，板子程序正常能跑，sdram_test測(cè)試正常通過，現(xiàn)在
2023-08-20 17:27:53
我手上有一張DDR200T的開發(fā)板，板載了一塊512M的SDRAM內(nèi)存，板子燒了一個(gè)UX600的demosoc，我是要在這個(gè)板子跑RT-Thread。
要是想使用這塊SDRAM應(yīng)該怎么做呢？應(yīng)該
2023-08-11 08:05:46
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512806 SDRAM全稱Synchronous Dynamic RAM，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。首先，它是RAM，即隨機(jī)存儲(chǔ)器的一種。
2023-08-08 15:10:46896 
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061883 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103370 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 
本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
DDR是DDR SDRAM的簡稱，只是人們習(xí)慣了稱之為DDR，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-25 15:06:404905 
注意，這里的DDR指的是Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781 
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無法滿足存儲(chǔ)需求，因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 [APEE] 已設(shè)置
DDR_SDRAM_CFG2[AP_EN] 已設(shè)置
第2步：
DDR_ECC_ERR_INJECT[APIEN] = 1
第 3 步：
讀取 DDR_ERR_DETECT 中的 APE 位
APE 的讀取值為零。
2023-05-31 06:13:03
1 – DDR3 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-3F 狀態(tài)圖和圖 2 – DDR4 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-4 狀態(tài)圖所示。
2023-05-26 18:02:27996 
DDR PHY 接口 （DFI） 用于包括智能手機(jī)在內(nèi)的多種消費(fèi)電子設(shè)備。DFI 是一種接口協(xié)議，用于定義在 DRAM 設(shè)備之間以及 MC（微控制器）和 PHY 之間傳輸控制信息和數(shù)據(jù)所需的信號(hào)
2023-05-26 15:27:314570 
SDRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，與CPU的時(shí)鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（單數(shù)據(jù)速率SDRAM）。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能讀/寫一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個(gè)讀/寫操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
DRAM 連接32位SDRAM時(shí)，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441331 的 DDR 控制器中啟用 DDR 時(shí)鐘的最低要求是什么。在 DDR_SDRAM_CFG 中啟用 MEM_EN 時(shí)，在 DDR 時(shí)鐘啟動(dòng)之前是否必須有一組最小的 DDR 設(shè)置，即使其余配置還不
2023-05-06 08:20:49
本公司目前MCU系列，到目前為止, SWM34x 支持外接8M16M SDRAM，SWD34S系列已經(jīng)把SDRAM合封入芯片，合封的SDRAM大小根據(jù)芯片型號(hào)不同，具體見官方手冊(cè)。
2023-04-28 09:30:221496 
Multimedia Processor for Mobile Applications (EMMA Mobile1) DDR SDRAM Interface 用戶手冊(cè) (R19UH0028EJ0500_EMMAMOBIL)
2023-04-18 19:47:170 DDR5在服務(wù)器市場(chǎng)的滲透率正在進(jìn)一步提高，進(jìn)入放量期。
2023-04-15 10:23:171779 我看到了一些奇怪的東西，想知道新舊 ESP32 Rev 3 芯片（WROVER-E 模塊）之間是否存在差異。我有一個(gè)圍繞 ESP32 設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。最近我們?cè)谏弦淮螛?gòu)建大約一年后進(jìn)行了新的制造運(yùn)行
2023-04-12 06:38:05
SDRAM的驅(qū)動(dòng)需要用到一些命令，介紹幾個(gè)常見的命令。
2023-04-04 17:13:191814 
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 
SDRAM SLICE CARD
2023-03-30 12:05:53
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2M
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2M
2023-03-30 12:01:17
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR SC/SCM
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
DDR-240C-48
2023-03-29 22:43:23
NCP4305DDR2G
2023-03-29 18:04:27
本文檔描述在 STM32MP1 系列 MPU 產(chǎn)品上配置 DDR 子系統(tǒng)（DDRSS）所需的流程和步驟。? 設(shè)定 DDR 控制器（DDRCTRL）、PHY 接口（DDRPHYC）和 SDRAM 模式
2023-03-25 20:30:041903
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