非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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MR25H256 MRAM 存儲器 mikroBUS? Click? 平臺評估擴展板
2024-03-14 22:03:11
Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數據位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預寫入的數據位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 
ZCC4650 是一款雙通道 25A 或單通道 50A 輸出開關模式降壓型 DC/DC uModule (電源模塊) 壓器。封裝中內置了開關控制器、功率 FET、電感器和所有的支持組件。ZCC4650 可在一個
2024-02-17 16:40:26
與主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點和應用場景。 首先，我們來詳細了解ROM的特點和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲在ROM中的數據仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構成
2024-02-05 10:05:10742 1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
臺積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創(chuàng)新技術為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運算架構，使其功耗僅為其他類似技術的1%。
2024-01-19 14:35:126646 只讀存儲器（ROM）是一種計算機存儲設備，用于存儲固定數據和指令，其特點如下： 數據固定性：只讀存儲器中的數據是在出廠時被編程固化的，用戶無法進行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03211 
YBM4156/7/4A20V1.0A線性鋰電池充電管理芯片
概述：
YB4156/7/4A是一款鋰電池充電管理芯片，集成涓流、恒流、恒壓三段式線性充電管理，符合鋰電池安全充電規(guī)范。充電輸入耐壓高達
2023-12-29 11:05:21
如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數據和程序的重要組成部分。它可以保留數據，即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 YB2416D 30V 輸入，3A 輸出，CC&CV 控制，高效率同步降壓轉換器
概述:
YB2416是一款輸入耐壓超過40V,在4.5V-30V輸入電壓條件下正常工作，并且能夠實現
2023-12-13 11:53:17
。
0x0000 0xXXXX NOP指令0會通過SDO輸出16位字，其中最后4位包含控制寄存器的內容。如果位C3 = 1，則熔絲編程命令成功。
這么做讀出的是控制寄存器的內容，而不是存儲器的內容
2023-12-06 06:04:03
電子發(fā)燒友網站提供《基于非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
半導體存儲器用于數據存儲。按照電源在關斷后數據是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
是一款 USB3.2 Gen1X1接口的 的 4 口 口 HUB控制器 芯片， 片成 上集成 32
位 微處理器， 它具有低功耗 、 高性能 、 可配置 等特點 ；芯片 集成 USB3.0高速物
理層
2023-10-20 18:20:58
內存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
神奇arduino：用a4紙自制一款手勢鼠標項目文檔請下載附件哦
2023-10-10 06:14:22
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術的飛速發(fā)展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
在MCU的使用中，經常遇到需要存儲參數或掉電保持數據等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812 存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
1. 描述 引腳排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用4096/8192/16384×8位的組織結構
2023-09-15 07:53:08
1. 描述 引腳排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結構，廣泛應用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引腳排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行電可擦除只讀存儲器（EEPROM），分別采用256/512/1024×8位的組織結構，廣泛應用于低電壓
2023-09-15 06:53:34
Gbyte)、16或32位LPDDR2/LPDDR3或DDR3/DDR3L高達533 MHz的外部存儲器。
STM32MP151A/D器件集成了708千字節(jié)內部SRAM的高速嵌入式存儲器(包括256
2023-09-13 07:23:32
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息。
2023-09-09 16:22:282617
ST60A3G1是一款射頻毫米波收發(fā)器產品，具有天線，工作在60千兆赫的V波段。ST60A3G1具有微型外形因素、優(yōu)化的物料清單和低功耗操作。ST60A3G1是符合eUSB2、UART和I2C協議
2023-09-07 06:49:02
隨著高速數據通信的進步，數據更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數據操作。鐵電存儲器是具有物聯網新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
PrimeCell靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
的內核，該單元為標記為共享的存儲器維護L1數據緩存一致性。Cortex-A5 MPCore處理器實現ARMv7體系結構，運行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位Java
2023-08-02 10:00:07
SC054 ASB靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設備，由ARM開發(fā)、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
電子發(fā)燒友網站提供《MR16 EMC的參考設計.pdf》資料免費下載
2023-07-24 10:52:050 ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數據存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
片選提供了許多選項，可以在每個片選上設置這些選項，以允許連接到各種外部器件。存儲器映射的外部片選區(qū)域地址從 0x60000000 開始。有關更多詳細信息，請參見《硬件用戶手冊》。 8.5.1 使用外部16位存儲器器件 連接具有字節(jié)選擇線的外部16位存儲器器件時，將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數據，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數據信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數據會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、數據閃存和外部存儲器區(qū)域。 圖16. RA6M3存儲器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存儲的數據在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數據將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
RAID控制卡的日志存儲器存放重要數據，如日志和數據寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢日志內存，以了解從哪里開始恢復。
2023-06-12 17:11:11323 作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織方式為256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領先汽車處理企業(yè)恩智浦半導體宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術的汽車嵌入式MRAM（磁隨機存儲器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過渡中，汽車廠商需要在單個硬件平臺上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02396 MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統(tǒng)的存儲器技術相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數據不丟失
2023-05-19 15:59:37
MAX17000A脈寬調制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準緩沖器，能夠產生
2023-05-17 09:48:45
描述? BL24C512A提供524288位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為65536字，每位8位。? 該設備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:12:17
其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
CMOS反相器的電路結構是怎樣的？它有哪些特點？
2023-04-25 09:20:07
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462547 基本上，我想將數據寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
中的波形，我發(fā)現 iMX RT1024 SRAM 操作存在
一個問題。
MR5A16A MRAM 聲明地址線必須在芯片啟用變低時有效iMX RT1024 參考手冊指出，芯片啟用在地址有效之前變?yōu)榈碗娖?/div>
2023-04-17 07:52:33
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續(xù)供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
六大原廠工業(yè)處理器平臺圖 2 創(chuàng)龍科技產品線概覽5款全國產平臺——工業(yè)級＋國產化率100%全志T113-i雙核Cortex-A7@1.2GHz含稅99元起全志T3/A40i四核
2023-03-31 16:19:06
隨著需求的變化和技術的迭代，固態(tài)硬盤在接口、協議和形態(tài)上都出現了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計算機系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲器Express（NVMe）固態(tài)硬盤解決方案
2023-03-30 20:00:06676 存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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