非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
14 
實(shí)現(xiàn)，引腳數(shù)量減少，功耗低，同時(shí)提供卓越的計(jì)算性能和對中斷的高級響應(yīng)。Arm?Cortex?-M4采用FPU內(nèi)核，是一款32位RISC處理器，具有卓越的性能代碼效率，在內(nèi)存中提供Arm內(nèi)核所期望
2024-03-12 09:39:01
和512 kB嵌入式高速閃存相結(jié)合。128位寬的存儲(chǔ)器接口和獨(dú)特的加速器架構(gòu)支持以最大時(shí)鐘速率執(zhí)行32位代碼。對于關(guān)鍵代碼大小的應(yīng)用，替代的16位Thumb模式可減少3
2024-02-26 10:21:32
ZCC4650 是一款雙通道 25A 或單通道 50A 輸出開關(guān)模式降壓型 DC/DC uModule (電源模塊) 壓器。封裝中內(nèi)置了開關(guān)控制器、功率 FET、電感器和所有的支持組件。ZCC4650 可在一個(gè)
2024-02-17 16:40:26
與主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場景。 首先，我們來詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類。ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲(chǔ)單元是由非可更改的電路或柵電勢器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10743 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 準(zhǔn)備設(shè)計(jì)一款輸入48V，輸出12V/20A有源鉗位正激電源，在使用ADP1051時(shí)，遇到了一些問題，煩請幫忙解答。
1.ADP1051與PC機(jī)無法連接。ADP1051外圍電路參考數(shù)據(jù)手冊及應(yīng)用手
2024-01-08 07:38:51
如何充分利用單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 。
0x0000 0xXXXX NOP指令0會(huì)通過SDO輸出16位字，其中最后4位包含控制寄存器的內(nèi)容。如果位C3 = 1，則熔絲編程命令成功。
這么做讀出的是控制寄存器的內(nèi)容，而不是存儲(chǔ)器的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲(chǔ)器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 G2406C1.5MHz，1A高效降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器
概述:
G2406C是一款高效的直流-直流降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，能夠提供高達(dá)1A輸出電流。G2406C在2.7V至5.5V的寬范圍輸入電壓下工作，使
2023-11-11 10:45:51
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
是一款 USB3.2 Gen1X1接口的 的 4 口 口 HUB控制器 芯片， 片成 上集成 32
位 微處理器， 它具有低功耗 、 高性能 、 可配置 等特點(diǎn) ；芯片 集成 USB3.0高速物
理層
2023-10-20 18:20:58
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
神奇arduino：用a4紙自制一款手勢鼠標(biāo)項(xiàng)目文檔請下載附件哦
2023-10-10 06:14:22
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
1. 描述 引腳排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，分別采用4096/8192/16384×8位的組織結(jié)構(gòu)
2023-09-15 07:53:08
1. 描述 引腳排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引腳排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），分別采用256/512/1024×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓
2023-09-15 06:53:34
Gbyte)、16或32位LPDDR2/LPDDR3或DDR3/DDR3L高達(dá)533 MHz的外部存儲(chǔ)器。
STM32MP151A/D器件集成了708千字節(jié)內(nèi)部SRAM的高速嵌入式存儲(chǔ)器(包括256
2023-09-13 07:23:32
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 Cortex-A72處理器是一款實(shí)現(xiàn)ARMv8-A架構(gòu)的高性能、低功耗處理器。
它在帶有L1和L2緩存子系統(tǒng)的單處理器設(shè)備中具有一到四個(gè)核心。
下圖顯示了四核Cortex-A72處理器配置的示例框圖。
2023-08-25 06:27:45
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來實(shí)現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
Cortex-A8處理器是一款高性能、低功耗、高速緩存的應(yīng)用程序處理器，可提供完整的虛擬內(nèi)存功能。
該處理器的功能包括：
·完全實(shí)現(xiàn)ARM體系結(jié)構(gòu)v7-A指令集·具有高級可擴(kuò)展接口(AXI)的可配
2023-08-17 07:43:12
Cortex-A15 MPCore處理器是一款高性能、低功耗的多處理器，采用ARMv7-A架構(gòu)。
Cortex-A15 MPCore處理器在具有L1和L2緩存子系統(tǒng)的單個(gè)多處理器設(shè)備或MPCore設(shè)備中具有一到四個(gè)Cortex-A15處理器。
2023-08-17 07:37:22
Cortex-A5處理器是一款高性能、低功耗的ARM宏單元，具有提供完整虛擬內(nèi)存功能的一級高速緩存子系統(tǒng)。
Cortex-A5處理器實(shí)現(xiàn)了ARMv7架構(gòu)，并在Jazelle狀態(tài)下運(yùn)行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位JAVA?字節(jié)碼
2023-08-17 07:16:41
Cortex-A17 MPCore處理器是一款高性能、低功耗的處理器，采用ARMv7架構(gòu)。
Cortex-A17 MPCore處理器在帶有L1和L2高速緩存子系統(tǒng)的單個(gè)多處理器設(shè)備中具有一到四個(gè)處理器。
2023-08-17 07:06:31
Cortex-A9處理器是一款高性能、低功耗的ARM宏單元，具有提供完整虛擬內(nèi)存功能的一級高速緩存子系統(tǒng)。
Cortex-A9處理器實(shí)現(xiàn)ARMv7-A架構(gòu)，并在Jazelle狀態(tài)下運(yùn)行32位ARM
2023-08-17 06:53:00
Cortex?-A77內(nèi)核是一款高性能、低功耗的ARM產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)。
ARM?V8-A架構(gòu)。
Cortex?-A77核心支持：
·ARM?v8.2-A擴(kuò)展。
·可靠性、可用性和可維護(hù)性(RAS)擴(kuò)展
2023-08-08 07:17:20
Cortex?-A76內(nèi)核是一款高性能、低功耗的ARM產(chǎn)品，采用ARM?V8-A架構(gòu)。
Cortex?-A76核心支持：
·ARM?v8.2-A擴(kuò)展。
·可靠性、可用性和可維護(hù)性(RAS)擴(kuò)展
2023-08-08 07:05:05
新宇宙? V1核心是一款高性能、低功耗的Arm產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了Arm?v8-a架構(gòu)。
新宇宙? V1核心支持：
?Arm?v8.4-A擴(kuò)展。
?可靠性、可用性和可服務(wù)性（RAS）擴(kuò)展?統(tǒng)計(jì)分析擴(kuò)展
2023-08-08 06:21:50
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
Cortex-A9處理器是一款高性能、低功耗的ARM宏單元，具有L1緩存子系統(tǒng)，可提供完整的虛擬內(nèi)存功能。Cortex-A9處理器實(shí)現(xiàn)ARMv7-A架構(gòu)，在Jazelle?狀態(tài)下運(yùn)行32位ARM指令、16位和32位Thumb?指令以及8位Java字節(jié)碼。
2023-08-02 16:29:35
PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
的內(nèi)核，該單元為標(biāo)記為共享的存儲(chǔ)器維護(hù)L1數(shù)據(jù)緩存一致性。Cortex-A5 MPCore處理器實(shí)現(xiàn)ARMv7體系結(jié)構(gòu)，運(yùn)行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位Java
2023-08-02 10:00:07
本文檔描述了ARM用于A級系統(tǒng)的地址映射，來自模型和模擬器到開發(fā)板和復(fù)雜的SoC。
它解釋了存儲(chǔ)器、外圍設(shè)備和擴(kuò)展的地址分區(qū)選擇空間。
它描述了當(dāng)32位平臺操作系統(tǒng)使用36位或40位地址空間，以及32位總線主控器和外圍設(shè)備。
它將存儲(chǔ)器映射擴(kuò)展到未來64位ARM系統(tǒng)的48位地址空間，
2023-08-02 08:19:29
SC054 ASB靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC的特定配置被實(shí)例化以針對特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
（SMC）。AHB MC有四個(gè)可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
HC89F0431A/0421A/0411A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設(shè)計(jì)開發(fā)的增強(qiáng)型 8 位單片機(jī)，內(nèi) 部有 16K Bytes FLASH 程序存儲(chǔ)器，256Bytes
2023-07-28 15:43:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MR16 EMC的參考設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 10:52:050 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度并將測量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄溫度的頻率由用戶定義?？偣部梢员４?192個(gè)8位數(shù)據(jù)記錄或4096個(gè)16
2023-07-14 09:24:23
iButton?溫度/濕度記錄器(DS1923)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度與/或濕度，并將測量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄頻率由用戶定義?？偣部梢员４?192個(gè)8位讀數(shù)或4096個(gè)16
2023-07-14 09:18:41
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
帶存儲(chǔ)器的雙路可尋址開關(guān)DS2406提供了一種簡便的方法，通過1-Wire?總線遠(yuǎn)程控制一對漏極開路晶體管和回讀每個(gè)晶體管的邏輯電平，從而實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制。每個(gè)DS2406都具有工廠刻度在片內(nèi)的64位
2023-07-13 16:16:25
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
片選提供了許多選項(xiàng)，可以在每個(gè)片選上設(shè)置這些選項(xiàng)，以允許連接到各種外部器件。存儲(chǔ)器映射的外部片選區(qū)域地址從 0x60000000 開始。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請參見《硬件用戶手冊》。 8.5.1 使用外部16位存儲(chǔ)器器件 連接具有字節(jié)選擇線的外部16位存儲(chǔ)器器件時(shí)，將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442016 作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織方式為256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 我使用 Wemos D1 mini 制作了一款簡單但具有挑戰(zhàn)性的游戲。
我盡量使說明盡可能詳細(xì)，但如果您對此有任何疑問，請告訴我。
您所要做的就是將魔杖從電線的一端拿到另一端。它有一個(gè) OLED
2023-05-23 06:14:41
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
我們想在 16 位模式下使用帶 DDR4 的 LS1043A 定制板。關(guān)于這一點(diǎn)，請按照附件文檔確認(rèn) LS1043A 和 DDR4 之間的接口連接。
16位模式下MA14\\\\MBG1有什么用。
2023-05-17 11:21:19
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器，能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45
描述? BL24CM2A提供2097152位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織為262144字，每個(gè)8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:42:25
描述? BL24CM1A提供1048576位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織為131072字，每位8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:32:07
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
基本上，我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲(chǔ)器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
樣具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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