IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。

因?yàn)槟承┰?，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸。下面，對(duì)IGBT爆炸的原因進(jìn)行簡(jiǎn)明扼要的介紹。 IGBT爆炸原因主要圍繞內(nèi)部因素、人為因素、常見因素、其他因素四方面。

1、內(nèi)部因素： 從爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過(guò)散熱功率，內(nèi)部原因應(yīng)該就是過(guò)熱。

2、人為因素： 進(jìn)線接在出線的端子上；變頻器接錯(cuò)電源 ；沒按要求接負(fù)載。

3、常見因素： 過(guò)電流：一種是負(fù)載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通。 絕緣的損壞 過(guò)電壓：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設(shè)計(jì)高性能吸收回路，降低線路雜散電感。 過(guò)熱：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導(dǎo)致?lián)p壞。 通訊誤碼率：通訊一段時(shí)間后，突然的錯(cuò)誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸;通訊板FPGA程序運(yùn)行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸。

4、其他因素： 電路中過(guò)流檢測(cè)電路反應(yīng)時(shí)間跟不上。 IGBT短路保護(hù)是通過(guò)檢測(cè)飽和壓降，而留給執(zhí)行機(jī)構(gòu)的時(shí)間一般是10us(8倍過(guò)流)在上電的時(shí)候容易燒預(yù)充電電阻和制動(dòng)單元里的IGBT。 工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。 短時(shí)大電流：原因也有很多，比如死區(qū)沒設(shè)置好、主電路過(guò)壓、吸收電路未做好。 驅(qū)動(dòng)電源也是個(gè)應(yīng)該特別注意的問題，該隔離加隔離、該濾波加濾波。 電機(jī)沖擊反饋電壓過(guò)大導(dǎo)致IGBT爆炸。但對(duì)于充電時(shí)爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大。 電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，輸入測(cè)電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測(cè)電壓恢復(fù)后電容充電時(shí)的浪涌電流過(guò)大致使IGBT爆炸。

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審核編輯：湯梓紅