?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕,用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意非球面。我們討論了決定
2022-05-11 14:31:36847 與濕法蝕刻相比,等離子蝕刻的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是能夠獲得高度定向(各向異性)的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:002670 是該晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因?yàn)楸砻嬷亟ǘ枪饣?。通過這種方式,我們解釋了在001方向上KOH:H20中的最小值。實(shí)驗(yàn)對HF:HN03溶液中接近001的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進(jìn)行了兩個(gè)關(guān)鍵預(yù)測。
2022-01-25 13:51:111721 硅結(jié)構(gòu)。因此,<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實(shí)際的反應(yīng)機(jī)理尚不清楚,該過程
2022-03-08 14:07:251768 在本研究中,我們設(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻,并演示了優(yōu)化的工藝配方,使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷,我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì),作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 中,這些技術(shù)的總稱被使用為微機(jī)械。在本稿中,關(guān)于在微機(jī)械中占據(jù)重要位置的各向異性烯酸技術(shù),在敘述其研究動向和加工例子的同時(shí),還談到了未來微機(jī)械的發(fā)展方向。
2022-04-22 14:05:022823 本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù),通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻,可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽,與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600
2022-05-05 10:59:15854 接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移; 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕刻
2022-05-11 14:49:58712 在濕法各向異性蝕刻中,底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而,還不清楚為什么不同蝕刻劑會出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:261571 引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向
2022-07-14 16:06:062774 為了提供更優(yōu)良的靜電完整性,三維(3D)設(shè)計(jì)(如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET ))預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻,但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性,需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 電系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)所涉及的材料、微機(jī)械設(shè)計(jì)和模、微細(xì)加工技術(shù)以及微封裝與測試等領(lǐng)域,并對微機(jī)電系統(tǒng)的應(yīng)用、典型的微器件、國內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀及前景進(jìn)行全面分析. 在此基礎(chǔ)上,論述了MEMS 技術(shù)目前存在
2009-03-17 15:29:51
新的發(fā)展方向隨著我國電力行業(yè)的發(fā)展,新技術(shù)的應(yīng)用,數(shù)字化變電站成為未來變電站的發(fā)展趨勢。光數(shù)字微機(jī)繼電保護(hù)測試儀是結(jié)合電力現(xiàn)場情況、眾多電力用戶經(jīng)驗(yàn)自主研發(fā)的便攜式新產(chǎn)品,采用高性能DSP處理器、大規(guī)模
2020-09-18 16:08:48
、性能和發(fā)展方向?! 。参鞲衅餮芯康默F(xiàn)狀與發(fā)展方向 ?。玻?b class="flag-6" style="color: red">微機(jī)械壓力傳感器 微機(jī)械壓力傳感器是最早開始研制的微機(jī)械產(chǎn)品,也是微機(jī)械技術(shù)中最成熟、最早開始產(chǎn)業(yè)化的產(chǎn)品。從信號檢測方式來看,微機(jī)械
2018-10-30 16:04:06
磁電阻線性位置測量電路提供非接觸式AMR(各向異性磁阻)線性位置測量解決方案。該電路非常適用于高速,精確,非接觸長度和位置測量至關(guān)重要的應(yīng)用
2019-11-05 08:50:35
FPGA學(xué)習(xí)快一年了,感覺達(dá)到了一定的瓶頸,沒人帶,自學(xué)很吃力,現(xiàn)在只會簡單地做一些小東西,想更加系統(tǒng)的學(xué)習(xí)一下FPGA將來從事FPGA有沒有好的學(xué)習(xí)方法或者發(fā)展方向什么的?求不吝賜教。
2015-11-24 17:58:14
:海鄭實(shí)業(yè)推出***冠品ACA系列各向異性導(dǎo)電膠異方性導(dǎo)電膠產(chǎn)品于垂直涂膜方向 (z- direction) 具有導(dǎo)電性,但是在涂膜方向 (x & y direction) 卻具有
2009-07-04 17:22:48
同性的(即,所有方向的蝕刻速率都相同)或各向異性的(即,不同方向的蝕刻速率不同),盡管在 CMOS 制造中使用的大多數(shù)濕蝕刻劑是各向同性的。通常,與干蝕刻工藝相比,濕蝕刻劑往往具有高度選擇性。濕蝕刻槽
2021-07-06 09:32:40
各向異性(晶體)化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù),其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是:(1)具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備(波導(dǎo)、激光器)減少損失(2)MEMS,其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
最常見的是用于制造多種微結(jié)構(gòu)(包括例如微腔、懸臂梁)的晶體晶片的濕式各向異性蝕刻、隔膜等)。此外,這些相同的蝕刻也是制造各種集成器件的組成部分,例如加速度計(jì)、分束器、晶體管和梳狀結(jié)構(gòu)。使用 MEMS 微加工技術(shù)
2021-07-19 11:03:23
` 誰來闡述一下傳感器的發(fā)展方向是什么?`
2019-11-25 15:39:48
學(xué)習(xí)C語言未來的發(fā)展方向是怎樣的?
2021-11-11 08:04:24
的計(jì)算機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)開發(fā)崗位就業(yè),擔(dān)任嵌入式產(chǎn)品及應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與開發(fā)工程師,從事嵌入式技術(shù)的應(yīng)用項(xiàng)目 設(shè)計(jì)開發(fā)、產(chǎn)品維護(hù)與技術(shù)服務(wù)等工作?! ⊥ㄟ^小編的講解,我相信大家對嵌入式已經(jīng)有了一個(gè)完整的發(fā)展方向
2018-07-30 16:57:17
導(dǎo)電銀膠按導(dǎo)電方向分為各向同性導(dǎo)電銀膠和各向異性導(dǎo)電銀膠。
2019-11-06 09:01:49
嵌入式系統(tǒng)開源軟件的現(xiàn)狀及未來的發(fā)展方向
2021-04-28 06:25:59
從硬件和軟件方面,各自的發(fā)展方向分別是什么?達(dá)到這些目標(biāo),需要學(xué)習(xí)哪些知識?達(dá)到哪些層次?更遠(yuǎn)一點(diǎn)的發(fā)展方向?
2015-09-22 14:36:05
的差。它們的共同特點(diǎn)是可以和各種零件或軸一起注塑,以保證產(chǎn)品的質(zhì)量。注塑鐵氧體磁體又分各向同性(等方向性)與各向異性(異方向性),各向同性的磁能積較低,在12kJ/m3左右,各向異性的磁能積
2020-05-22 18:59:47
有誰知道我可以在EMPRO中實(shí)現(xiàn)完全各向異性的方式?我想模擬一個(gè)完全復(fù)雜的3x3介電常數(shù)矩陣和一個(gè)完全復(fù)雜的3x3磁導(dǎo)率矩陣(即張量)。有沒有辦法在任何EMPRO模擬器中以這種方式定義材料? 以上
2018-11-19 11:01:54
的應(yīng)用是這個(gè)時(shí)代的一個(gè)發(fā)展方向,無人機(jī)的發(fā)明,無人駕駛的發(fā)明等,自己就可以操作這個(gè)機(jī)械制造的過程,出現(xiàn)的問題也可以自己去解決,這些都是數(shù)控技術(shù)向著智能化方向去發(fā)展。3.2 向著高速度、高精準(zhǔn)、高效率方向
2018-03-06 09:32:44
證明一種高階各向異性擴(kuò)散與小波收縮的等價(jià)性,并根據(jù)等價(jià)性利用高階各向異性擴(kuò)散與小波收縮的優(yōu)勢,提出高階各向異性擴(kuò)散小波收縮降噪算法。該算法在低頻部分采用經(jīng)典的
2009-03-20 17:03:3313 從靜磁表面波MSSW各向異性理論模擬出發(fā),提出了通過調(diào)節(jié)磁場方向來實(shí)現(xiàn)對MSSW濾波器帶寬調(diào)制的方法,并由實(shí)驗(yàn)得到驗(yàn)證:即在微帶換能器寬度一定時(shí),可以增加(或減小)磁場與
2009-05-12 21:42:2131 本文討論了石英微機(jī)械陀螺的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,敘述了用于石英加工的化學(xué)各向異性刻蝕機(jī)理,給出了石英音叉?zhèn)鞲衅鞯募庸し椒?,提供了我們研制的石?b class="flag-6" style="color: red">微機(jī)械陀螺的試驗(yàn)結(jié)
2009-06-23 09:05:3920 根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點(diǎn),以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素,溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子,建立了一個(gè)新穎的硅各向異性腐蝕的計(jì)算機(jī)模擬模型。在+,--開發(fā)
2009-07-02 14:12:2419 基于改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散的圖像恢復(fù):擴(kuò)散加權(quán)圖像中廣泛存在的高斯白噪聲會給張量計(jì)算和腦白質(zhì)追蹤等帶來嚴(yán)重的影響為了減少噪聲影響, 嘗試采用改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散濾波器來
2009-10-26 11:29:4621 單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)中的導(dǎo)模特性:推導(dǎo)了介電常數(shù)張量和磁導(dǎo)率張量中各分量帶有不同符號的單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)的導(dǎo)行條件。根據(jù)分量符號的正負(fù)組合,分情
2009-10-26 17:00:2220 環(huán)境對各向異性導(dǎo)電膠膜性能參數(shù)的影響張軍,賈宏,陳旭(鄭州大學(xué)化工學(xué)院,鄭州 450002)摘要:各向異性導(dǎo)電膠膜(ACF)的玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg 是它的一個(gè)重要性能參數(shù),用
2009-12-14 11:42:1143 各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)( HTS)微帶天線
分析了各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)微帶天線特性。選取兩種典型的高溫超導(dǎo)各向異性介質(zhì)———GaNdAlO3 和SrLaAlO4 作為高溫超
2010-02-22 16:50:5712 一種改進(jìn)的各向異性高斯濾波算法摘 要:為了抑制更好的抑制噪聲保留邊緣信息, 提出了一種各向異性高斯濾波的改進(jìn)方法, 該方法先用中值濾波去除椒鹽噪聲, 再
2010-04-23 14:59:5119 在各向同性介質(zhì)中,折射率與入射光的偏振態(tài)無關(guān),而在各向異性介質(zhì)中,不同偏振態(tài)的平面波將以不同的速度和方向傳播而出現(xiàn)分支,這種現(xiàn)象稱作雙.折.射.。各向異性
2010-09-13 15:53:580 詳細(xì)介紹了各向異性磁阻傳感器的物理機(jī)理,并以HMC1002為例說明其測量原理、芯片以及電路的主要特點(diǎn),給出了弱磁測量的結(jié)果與分析。將hmc1001、hmc1002與傾角傳感器相結(jié)合,可用于姿
2011-09-06 14:31:44101 提出了一種用各向異性雙變量拉普拉斯函數(shù)模型去模擬NSCT域的系數(shù)的圖像去噪算法,這種各向異性雙邊拉普拉斯模型不僅考慮了NSCT系數(shù)相鄰尺度間的父子關(guān)系,同時(shí)滿足自然圖像不同
2012-10-16 16:06:0321 單片機(jī)在電子技術(shù)中的應(yīng)用及未來發(fā)展方向
2017-01-12 22:20:2614 的影響也反映了進(jìn)去。 計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對比, 表明此模型在解釋硅在 KOH 中各向異性腐蝕特性等方面具有一定的合理性。 微電子機(jī)械系統(tǒng)(M EM S) 的發(fā)展令人矚目, 它是在微電子工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域。 M
2017-11-07 19:48:1425 深度圖像受其測距原理所限,存在邊緣不匹配、無效像素、噪聲等問題,提出一種基于改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散算法的深度圖像增強(qiáng)方法。首先,校正深度圖像和彩色圖像的位置關(guān)系,并根據(jù)時(shí)間連續(xù)性選擇多幀圖像,進(jìn)行
2017-11-25 11:08:469 摘要: 針對感應(yīng)線圈式車輛檢測器的不足,設(shè)計(jì)了一種基于各向異性磁阻傳感器(AMR)的非接觸式智能車輛監(jiān)測裝置,能監(jiān)測車輛的到達(dá)時(shí)間、類型、方向和車速等基本信息。系統(tǒng)主要由采集系統(tǒng)和顯示系統(tǒng)兩個(gè)獨(dú)立
2018-01-20 03:05:38397 各向異性又叫非均質(zhì)性,是指物體的物理、化學(xué)等性質(zhì)隨著測定方向而異的特性H1。硅在某些腐蝕溶液中,不同晶向的腐蝕速率不盡相同,這就是硅各向異性腐蝕的特點(diǎn)。硅各向異性腐蝕技術(shù)是微電子機(jī)械
2018-02-07 16:27:411 基站天線5個(gè)關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展方向
2018-03-17 09:38:095207 在此次發(fā)表的論文中,在實(shí)空間中系統(tǒng)研究了天然層狀材料α相三氧化鉬中橢圓型和雙曲型兩種新型聲子極化激元的各向異性傳輸特性(如圖3)。α相三氧化鉬的晶格結(jié)構(gòu)具有獨(dú)特的面內(nèi)各向異性,其[001
2018-12-07 14:49:284845 為此,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所智能高分子材料團(tuán)隊(duì)研究員陳濤和張佳瑋開展了一系列工作。通過構(gòu)筑非對稱性各向異性水凝膠及其復(fù)合體系,實(shí)現(xiàn)了仿生水凝膠驅(qū)動器的多功能化(如圖1)。
2018-12-31 11:26:006930 邏輯芯片是第一個(gè)應(yīng)用,但不是唯一的。 Mitra說:“雖然各向異性現(xiàn)在有更多的應(yīng)用,但各向同性蝕刻適應(yīng)新的應(yīng)用和變化。它使客戶能夠解決新的問題,特別是當(dāng)客戶正在越來越多的向3D制程進(jìn)軍時(shí)。如果
2019-09-04 11:29:3410626 強(qiáng)磁場中心薛飛團(tuán)隊(duì)于2019年提出并實(shí)現(xiàn)了一種針對納米盤和納米顆粒的有效的樣品制備和實(shí)驗(yàn)器件加工工藝,解決了第一個(gè)問題。對于第二個(gè)問題,此前基于Stoner-Wohlfarth模型的分析方法只能定量分析具有單軸磁各向異性的樣品,對于非單軸的樣品則無能為力。
2020-06-24 09:41:071694 作為一種新型的二維半導(dǎo)體材料,黑磷因其獨(dú)特的面內(nèi)各向異性引起了研究人員的廣泛關(guān)注。近期,幾種其它面內(nèi)各向異性二維材料(如ReS2、ReSe2;SnS、GeSe等)也被相繼報(bào)道。
2020-12-24 12:20:19974 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔,它們在器件中有很大的應(yīng)用。
2021-12-17 15:26:07857 我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個(gè)羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低,通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個(gè)以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性,并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641 低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù),我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712 的各向異性濕式化學(xué)蝕刻。 本文主要目的是評估不同的各向異性蝕刻劑,用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體,可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊,并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工,介紹各向異性濕式化學(xué)
2021-12-22 17:29:021095 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 。在堿性溶液中,TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當(dāng)考慮到互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性,并且熱氧化物被用作掩模層時(shí),使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率,氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:401056 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152 引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力,改變了硅的蝕刻各向異性,顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率,并在較小程度
2022-01-13 13:47:261156 摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905 各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在(100)硅晶片上產(chǎn)生由( 100)和(111)平面組成的孔。在這種情況下,孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異性蝕刻工藝蝕刻整個(gè)表面,則上部拐角變圓。例如
2022-03-07 15:26:14372 在本文中,我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物,獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成,隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理,雖然沒有完全理解,將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460 情況下,控制蝕刻浴溫度和蝕刻劑濃度對于成功創(chuàng)建微結(jié)構(gòu)和后續(xù)批次的可重復(fù)性至關(guān)重要。 1.各向同性和各向異性蝕刻有何不同 硅片具有單晶晶格結(jié)構(gòu),在各個(gè)方向重復(fù),但各個(gè)方向的密度不同。垂直平面包含與對角平面不同數(shù)量
2022-03-09 16:48:342018 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 我們開發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝,通過在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu),這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 由化學(xué)反應(yīng)觸發(fā),溫度對(111)表面電流勢和電流時(shí)間結(jié)果的強(qiáng)烈影響支持了化學(xué)活化的重要性,在n型(111)電極上進(jìn)行的光電流實(shí)驗(yàn)表明,氧化物成核對無源層的生長具有重要意義,提出了一種結(jié)合表面化學(xué)和電化學(xué)的機(jī)理來解釋陽極氧化過程中明顯的各向異性。
2022-03-22 15:36:40550 在本文章中,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性,然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn),測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411 為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503 的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí),使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:19666 實(shí)驗(yàn)名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用
2022-04-06 15:47:271597 我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻,蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體學(xué)氮化鎵蝕刻平面為0001%,1010
2022-04-14 13:57:511214 的各向同性濕法蝕刻條件相比,由于非常高的各向異性,反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此,當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí),使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示,以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:19591 為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201419 在本文中講述了HARSE的工藝條件,其產(chǎn)生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓,還將成為展示先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。
2022-05-09 15:11:45442 在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn),并且新的結(jié)果顯示
2022-05-11 15:46:19730 我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法,能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù),如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間,從邊緣控制蝕刻,蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā),蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致,這種簡單、干凈、可控且可擴(kuò)展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781 引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測量它們的蝕刻速率。然后,基于測量數(shù)據(jù),檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:481113 引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個(gè)晶片。結(jié)果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904 本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的濕法蝕刻過程和使用的藥液,在晶圓表面,為了形成LSI布線,現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式,這是因?yàn)楦煞?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻與濕法蝕刻相比,各向異性較好,對于形成細(xì)微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321538 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,鑒于此,四川大學(xué)王玉忠院士和宋飛教授開發(fā)了一種用于本征可潤濕表面圖案化的簡便無掩模限制蝕刻策略。使用常見的印刷技術(shù)和隨后的位置限制化學(xué)蝕刻,可以制造分辨率為200μm的固有、復(fù)雜和精確的圖案(如QR碼)。所創(chuàng)建的各向異性圖案可用于實(shí)現(xiàn)水響應(yīng)信息存儲和加密。
2022-07-11 15:09:30894 反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會進(jìn)入激發(fā)態(tài),從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553386 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程,測量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 ,在單向彈性應(yīng)力加載條件下,通過改變外磁場施加方向,探究鐵磁材料的應(yīng)力致磁各向異性特性。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:信號發(fā)生器,功率放大器ATA-4014,激勵(lì)線圈,TMR探頭,示波器
2022-09-23 09:22:49340 鎳鐵(NiFe)合金具有較強(qiáng)的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實(shí)現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點(diǎn),成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:50377 各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù),旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進(jìn)行蝕刻。 然而,概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限,因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu),其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法近年來,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體元件的體積急劇減小,對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要,這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術(shù)提供了發(fā)展需求,而其
2023-12-14 08:15:52180 各向異性導(dǎo)電膠能夠?qū)崿F(xiàn)單方向導(dǎo)電,即垂直導(dǎo)電而水平不導(dǎo)電。各向異性導(dǎo)電膠的固體成分是多樣的,可以是Ag顆粒,聚合物和合金焊粉。固化溫度范圍很廣,涵蓋100到200多攝氏度。RFID芯片在與基板鍵合時(shí)
2024-01-05 09:01:41232 能和機(jī)械性能,且能夠適應(yīng)更高的工作溫度和濕度環(huán)境。本文將詳細(xì)介紹各向異性導(dǎo)電膠的工作原理和制備工藝步驟。 各向異性導(dǎo)電膠的工作原理是基于導(dǎo)電粒子的連接行為。導(dǎo)電粒子通常由金屬或碳微粒組成。當(dāng)導(dǎo)電膠受到壓力或溫度的作用時(shí),導(dǎo)電粒子會在膠層內(nèi)形成電子通路,從而實(shí)現(xiàn)
2024-01-24 11:11:56466 各向異性壓力傳感器由于在識別不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:48223
評論
查看更多