一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域，同時以低于第一速率蝕刻掩模層。
2022-03-29 14:55:27
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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。
2022-04-08 13:59:221755 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011265 
新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機(jī)械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究
2022-06-14 13:54:30918 
引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:423345 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:161092 
的晶片 (111)取向的Si晶片幾乎不受堿性溶液的侵蝕，因?yàn)樵谶@里整個晶片表面形成蝕刻停止。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片的實(shí)際取向通常相對于理想晶面傾
2022-07-11 16:07:221342 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
山的問題?！ ∫韵聦⒄f明目前去除晶片正面邊緣劍山的方式，在接續(xù)的晶片正面上形成一覆蓋晶片中心部分的光阻層，并以該光阻層為罩幕，施行干蝕刻法去除晶片邊緣上的硬罩幕，留下晶片正面邊緣上的硅針
2018-03-16 11:53:10
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
、氫氟酸系、硫酸鹽系、硫酸系、堿性氯化銅和酸性氯化銅系。蝕刻開始時，金屬板表面被圖形保護(hù)，其余金屬面均和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度進(jìn)行。當(dāng)金屬表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬面，這時蝕刻液
2017-02-21 17:44:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
各位大俠：有誰知道哪家有供應(yīng)蝕刻鈦的藥水，請告知或提供聯(lián)系方法。謝謝！??！本人的QQ號碼是：414615292
2012-08-08 14:51:57
膜，以及高分子膜和金屬膜等。由于在表面硅MEMS加工技術(shù)中最常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜，而它們通常采用LPCVD或PECVD來制作。2、PECVD制膜技術(shù)PECVD法是利用輝光放電的物理作用
2018-11-05 15:42:42
表面張力儀是專業(yè)用于測量液體表面張力值的測定儀器，通過白金板法、白金環(huán)法、最大氣泡法、懸滴法、滴體積法以及滴重法等原理，實(shí)現(xiàn)精確液體的表面張力值的測量。
2020-04-02 09:00:40
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發(fā)協(xié)議。據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴(kuò)大
2018-02-12 15:11:38
批量微加工主條目：批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整個厚度用于構(gòu)建微機(jī)械結(jié)構(gòu)。[18]使用各種蝕刻工藝來加工硅。玻璃板或其他硅片的陽極鍵合可用于添加三維尺寸的特征并進(jìn)
2021-01-05 10:33:12
滲出來，輕者在氣孔附近結(jié)霜，重者將會腐蝕孔周圍的鍍覆層。 4.在零件表面上如有金屬或非金屬雜質(zhì)(如未除盡的封存油脂、油漆標(biāo)記、劃線的涂色、銅跡，經(jīng)探傷檢查后未除盡的磁粉或熒光粉等)粘附，會影響鍍覆層在基體上的正常鍍覆、與基體的結(jié)合力和鍍覆層的連續(xù)性。 5.零件表面有銹蝕或存在明顯的銹蝕痕跡。
2019-04-01 00:33:06
禁止用鉛。于是SMOBC 工藝的表面涂覆變?yōu)榻裉斓幕瘜W(xué)浸銀、沉錫、沉Ni/Au 、OSP來代替Pb-Sn 合金。萬變不離其宗，這些工藝歸根結(jié)底都屬于圖形電鍍蝕刻法SMOBC 工藝。
2018-09-21 16:45:08
圖形表面金屬不被擦傷或劃傷。所以，在選擇蝕刻設(shè)備時要特別重視結(jié)構(gòu)形式，能否達(dá)到蝕刻速率快、蝕刻均勻及蝕刻質(zhì)量高的要求。下圖是酸性蝕刻機(jī)及堿性蝕刻機(jī)的外形圖。 2）噴淋技術(shù)方面： 1 噴淋形狀：目前
2018-09-11 15:19:38
圖形表面金屬不被擦傷或劃傷。所以，在選擇蝕刻設(shè)備時要特別重視結(jié)構(gòu)形式，能否達(dá)到蝕刻速率快、蝕刻均勻及蝕刻質(zhì)量高的要求?！ ?）噴淋技術(shù)方面： 1 噴淋形狀：目前通用的噴淋系統(tǒng)應(yīng)具備的條件和結(jié)構(gòu)形式，是在
2013-10-31 10:52:34
的氯化鈉含量過低 解決方法： 按工藝要求調(diào)整氯化鈉到工藝規(guī)定值?！ ?.問題：印制電路中基板表面有殘銅 原因： ?。?）蝕刻時間不夠 （2）去膜不干凈或有抗蝕金屬 解決方法： （1）按工藝
2018-09-19 16:00:15
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒有金屬時的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時，金屬層會下降到半導(dǎo)體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機(jī)和/或無機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實(shí)施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
還改變了濕蝕刻輪廓GaAs 與沒有表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更具各向同性；簡介 光刻膠的附著力對濕蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學(xué)器件的產(chǎn)量起著關(guān)鍵作用。有許多因素會影響光刻膠對半導(dǎo)體襯底的粘附
2021-07-06 09:39:22
半導(dǎo)體激光器非常適合與 Si 光子學(xué)的單片集成。制造具有法布里-珀羅腔的半導(dǎo)體激光器通常包括小面解理，但是，這與片上光子集成不兼容。蝕刻作為一種替代方法在制備腔鏡方面具有很大優(yōu)勢，無需將晶片破碎成條形。然而
2021-07-09 10:21:36
鏡面硅結(jié)構(gòu)時，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
金屬連接起來，實(shí)現(xiàn)了室溫下的焊接。受到外力擠壓時，金屬液滴的保護(hù)層破裂，處于過冷狀態(tài)的金屬液體流出后迅速固化。利用這種方法可以實(shí)現(xiàn)室溫下的焊接業(yè)內(nèi)人士表示，這項(xiàng)研究非常有趣，或許可以為許多生產(chǎn)過程帶來變革，例如在微電子工藝中，這種方法或許可以消除加熱對電子元件造成的損害。`
2016-03-10 11:25:22
對完成底部填充以后產(chǎn)品的檢查有非破壞性檢查和破壞性檢查，非破壞性的檢查有： ·利用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行外觀檢查，譬如，檢查填料在元件側(cè)面爬升的情況，是否形成良好的邊緣圓角，元件表面 是否有臟污等
2018-09-06 16:40:06
什么元件被稱為倒裝晶片（FC）？一般來說，這類元件具備以下特點(diǎn)。 ?、倩氖?b class="flag-6" style="color: red">硅； ?、陔姎饷婕昂竿乖谠?b class="flag-6" style="color: red">表面； ?、矍蜷g距一股為0.1～0.3 mm，球徑為0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
光學(xué)3D表面輪廓儀是基于白光干涉技術(shù)，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等快速、準(zhǔn)確測量物體表面的形狀和輪廓的檢測儀器。它利用光學(xué)投射原理，通過光學(xué)傳感器對物體表面進(jìn)行掃描，并根據(jù)反射光的信息來
2023-08-21 13:41:46
是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流
2015-11-27 18:09:05
適用范圍 印制線路板制造業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)集中開展含銅蝕刻廢液綜合利用。 主要技術(shù)內(nèi)容 一、基本原理 將印制線路板堿性蝕刻廢液與酸性氯化銅蝕刻廢液進(jìn)行中和沉淀，生成的堿式氯化銅沉淀用于生產(chǎn)工業(yè)級硫酸銅；沉淀
2018-11-26 16:49:52
使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓去除晶圓表面的有機(jī)污染物等雜質(zhì)，但是同時在等離子產(chǎn)生過程中電極會出現(xiàn)金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會對晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓如何規(guī)避電極產(chǎn)生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
，所以需要在晶片表面均勻布上高密度的薄膜。再對光刻膠形成以及柵極蝕刻對尺寸進(jìn)行嚴(yán)格的管理，利用CVD法來沉積多晶硅，形成柵電極。 4、LDD形成：LDD（輕摻雜漏，Lightly DopedDrain
2016-07-13 11:53:44
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
等做為消泡劑，減少現(xiàn)場作業(yè)的麻煩。但含硅氧化合物陽離子接***性劑之硅樹脂類，則不宜用于金屬表面處理。因其一旦接觸銅面后將不易洗凈，造成后續(xù)鍍層附著力欠佳或焊錫性不良等問題。 4
2018-08-29 16:29:01
【作者】：袁春華;李曉紅;唐多昌;楊宏道;【來源】：《強(qiáng)激光與粒子束》2010年02期【摘要】：利用Nd:YAG納秒激光脈沖,在能量密度為1～10 J/cm2范圍內(nèi)輻照單晶硅,形成了表面錐形微結(jié)構(gòu)
2010-04-22 11:41:53
金屬表面處理，依據(jù)工件的大小、材質(zhì)和制作工藝不同，所采用的金屬表面處理劑和處理方案也不同。
2009-12-11 14:00:23
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