美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
潮，令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開始打進(jìn)20萬內(nèi)的市場(chǎng)，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場(chǎng)上普及。 ? 最近兩家國內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級(jí)認(rèn)證，這將繼續(xù)推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:002634 
(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
使用一般IGBT和Si-MOSFET使用的驅(qū)動(dòng)電壓VGS=10~15V不能發(fā)揮出SiC本來的低導(dǎo)通電阻的性能，所以為了得到充分的低導(dǎo)通電阻，推薦使用VGS=18V左右進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。原作者：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)
2023-02-07 16:40:49
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測(cè)試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
柵極偏壓）試驗(yàn)（+22V、150℃）中，在裝置中未發(fā)生故障和特性波動(dòng)，順利通過1000小時(shí)測(cè)試。閾值穩(wěn)定性（柵極正偏壓）SiC上形成的柵極氧化膜界面并非完全沒有陷阱，因此當(dāng)柵極被長時(shí)間施加直流的正偏壓
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個(gè)晶體管并聯(lián)組成了1個(gè)開關(guān)
2018-11-27 16:38:39
了熱管理，減小了印刷電路板的外形尺寸，有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。圖1 SiC MOSFET和Si MOSFET性能對(duì)比在使用SiC MOSFET進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，工程師們通常要考慮如何以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng)（最大
2019-07-09 04:20:19
= 25 V，高溫柵極偏壓（HTGB）應(yīng)力測(cè)試在175°C下在77個(gè)器件上執(zhí)行，從三個(gè)不同的晶圓批次到2300小時(shí)。觀察到可忽略的偏差。 另一個(gè)被證明長期穩(wěn)定的參數(shù)設(shè)置是MOSFET的阻斷電壓和關(guān)斷狀態(tài)
2023-02-27 13:48:12
可以通過在SiC功率器件上運(yùn)行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應(yīng)力測(cè)試來評(píng)估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進(jìn)行了壓力測(cè)試，具有
2019-07-30 15:15:17
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
650V/10A。由圖可知，第3代產(chǎn)品在高溫時(shí)的VF-IF曲線坡度陡峭，相對(duì)同一IF，VF較低，已經(jīng)得到改善。當(dāng)前供應(yīng)的產(chǎn)品與開發(fā)計(jì)劃下面是當(dāng)前供應(yīng)的第2代產(chǎn)品和第3代產(chǎn)品。兩者均在持續(xù)進(jìn)行機(jī)型擴(kuò)充中
2018-11-30 11:51:17
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測(cè)試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
`IGN1214M650A是最適合L波段雷達(dá)應(yīng)用的高功率GaN晶體管。 該晶體管被指定用于AB類工作，提供1.2-1.4 GHz的工作頻率，最小650W的峰值脈沖功率，50V和10％的占空比。 該
2020-04-21 11:17:44
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn)，先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測(cè)試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng)，望批準(zhǔn)！項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
有羅姆，英飛凌，Cree，意法半導(dǎo)體等，因?yàn)榱_姆在官網(wǎng)提供比較易得的SiC參數(shù)性能和仿真模型，之前也有了解一些SiC管性能參數(shù)，下載模型在軟件做一些簡(jiǎn)單的仿真。這次提供的試用開發(fā)板和對(duì)應(yīng)插件正好可以對(duì)比
2020-05-19 16:03:51
SiC模塊，對(duì)比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預(yù)計(jì)成果：在性能滿足要求，價(jià)格可接受范圍內(nèi)，后續(xù)適用到產(chǎn)品中
2020-04-24 18:09:35
項(xiàng)目名稱：SiC mosfet 測(cè)試試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：公司開發(fā)雙脈沖測(cè)試儀對(duì)接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計(jì)劃：1、測(cè)試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測(cè)試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測(cè)試報(bào)告。
2020-04-21 15:54:54
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認(rèn)識(shí)到，SiC MOSFET 的輸出開關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠(yuǎn)高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時(shí)振蕩、電磁干擾以及輸出級(jí)損耗。高開關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過沖。滿足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
性能如何？650V-1200V電壓等級(jí)的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
CRD-60DD12N，60 kW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個(gè)15 kW交錯(cuò)升壓級(jí)組成，每個(gè)級(jí)使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅(qū)動(dòng)板
2019-04-29 09:18:26
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
電壓范圍為 250 至 450V。基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D工程樣品構(gòu)建了原型，驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的性能和熱完整性。該原型展示了 54 W/in3 的功率密度和充電
2023-02-27 09:44:36
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點(diǎn)定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國內(nèi)外電動(dòng)汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)
2018-11-02 16:25:31
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
，使得電路能夠達(dá)到±3%以內(nèi)的恒流精度，具有優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，并且通過RADJ引腳外接電阻可以方便地控制LED開路保護(hù)電壓。■SIC9654內(nèi)部集成了650V功率MOSFET，采用雙繞組原邊
2022-02-17 15:42:55
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
具有明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導(dǎo)通電阻低，還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的導(dǎo)通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優(yōu)點(diǎn)
2023-02-27 14:28:47
）～14.5V（max），typ為12.5V。對(duì)此，SiC-MOSFET的VGS為20V以上，并逐漸飽和，因此一般建議使用VGS＝18V左右進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此次使用的BD7682FJ-LB的柵極驅(qū)動(dòng)電壓（OUT引腳
2018-11-27 16:54:24
了一個(gè)基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D的工程樣品??的原型，以驗(yàn)證設(shè)計(jì)的性能和熱完整性。該原型展示了54 W / in3的功率密度以及在充電和放電模式下的峰值效率
2019-10-25 10:02:58
母線電路需設(shè)計(jì)極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開發(fā)中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261670 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。
2020-09-29 10:44:00
9 新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp （Rdson * area）。
2021-02-19 14:09:221173 在高溫下，溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級(jí)的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時(shí)，溫度系數(shù)會(huì)讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場(chǎng)合，至少有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)： 沒有Si二極管的反向恢復(fù)
2021-03-26 16:40:202346 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。 下文主要對(duì)國產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機(jī)型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:221217 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:34663 
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37264 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:33:490 Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258 
可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結(jié)構(gòu)。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應(yīng)用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:52272 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）近期取得了一項(xiàng)重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ規(guī)格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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