深圳鼎盛合科技提供指夾式血氧儀芯片及PCBA方案開發(fā)。指夾式血氧儀是一種用來檢測血流中的血氧飽和度的現(xiàn)代電子科技產(chǎn)品。由于血氧飽和度能反應(yīng)心、肺等早期醫(yī)療問題，所以該讀數(shù)作為一項(xiàng)通用健康監(jiān)測指標(biāo)非常有用。指夾式血氧儀的工作原理基于血液中的血紅蛋白對光的吸收特性，根據(jù)動脈血流的脈動特性，測量期間還確定、顯示脈搏速率和強(qiáng)度。對反射的光信號進(jìn)行算法處理，確定血氧飽和度。

指夾式血氧儀方案特點(diǎn)
◆主控: ARM⑧Cortex@-M0內(nèi)核, 48MHz, 64KB Flash,8KB SRAM
◆AFE:集成恒流驅(qū)動，24Bit Sigma-Delta ADC
◆顯示屏類型: OLED藍(lán)黃雙色顯示屏
◆血氧飽和度
測量范圍: 70% ~ 100%
精度:士1%
◆心率
測量范圍: 25BPM ~ 250BPM
精度:士1BPM
◆血流灌注指數(shù):≥0.3%，士0.1%
◆顯示屏類型: OLED 顯示屏
◆手動調(diào)整界面方向: 6種顯示模式，4種顯示方向
◆LED顯示:同時(shí)顯示測試值和條形圖
◆低電池電壓指示燈
◆自動待機(jī)或睡眠(自動休眠時(shí)間約12秒)
◆血氧飽和度
◆報(bào)警
基本參數(shù)報(bào)警:低飽和度報(bào)警，高(低)脈搏率報(bào)警
傳感器狀態(tài)報(bào)警:傳感器自動脫落報(bào)警
系統(tǒng)故障報(bào)警:脫落報(bào)警，電池電量不足報(bào)警:電壓低于2.4V (可按實(shí)際產(chǎn)品情況的進(jìn)行修改)

指夾式血氧儀方案芯片：

CS32F030系列是一顆32位工業(yè)級信號鏈MCU，采用ARM? Cortex?-M0 內(nèi)核，頻率48MHz，最高集成64Kbytes flash和8Kbytes SRAM，并提供豐富的通信接口（I2C、SPI/I2S和USART）和多達(dá)11個定時(shí)器，具備可靠性高、精度高、功耗低等特點(diǎn)。

CS32F030系列集成豐富的信號鏈IO，包括INL低至1.2LSB的12位ADC、溫漂60ppm/℃的內(nèi)部參考電壓、±2℃精度的溫度傳感器等；符合IEC60730的要求，支持Flash/RAM硬件校驗(yàn)，具備寬溫(-40~105℃(環(huán)境溫度)/125℃(結(jié)溫))、寬壓(2.0~5.5V)等特點(diǎn)；并提供一系列電源工作模式，以滿足不同的低功耗應(yīng)用。

CS32F030特性：

內(nèi)核：32位ARM? Cortex?-M0內(nèi)核，最高頻率48MHz

存儲器

— 32~64KBytes的Flash存儲器，支持硬件校驗(yàn)

— 192Bytes數(shù)據(jù)Flash存儲器

— 4~8KBytes的SRAM，帶硬件奇偶校驗(yàn)

CRC32發(fā)生/校驗(yàn)器

5通道DMA，支持的外設(shè): SPIx, I2Sx, I2Cx, USARTx, TIMx, ADC

最多39個I/O，支持最高48MHz工作頻率，所有I/O映射外部中斷向量

支持從內(nèi)部Flash、內(nèi)部SRAM和系統(tǒng)存儲器啟動

電源管理

— 低功耗模式: 睡眠，深度睡眠1，深度睡眠2和待機(jī)模式

— 支持上電/掉電復(fù)位 (POR/PDR)

— 支持低電壓檢測 (LVD)

串行單線調(diào)試(SWD)

工作環(huán)境

— VDD/VDDA電壓: 2.0 to 5.5V

— 溫度范圍: -40 to 105℃

關(guān)于CS32F030技術(shù)問題解答：

CS32F030 系列與CS32F031的區(qū)別？
CS32F030和CS32F031的區(qū)別是CS32F031比CS32F030多一個特有的TIM2外設(shè)模塊。具體的差異詳見CS32F03x型號對照表。

工作溫度范圍是多少？
CS32F03X的工作溫度Tang的范圍是: -40°C≤Tange≤105°C

2.2.2 FLASH 存儲空間中的有沒有保護(hù)措施？
CS32F03X綜合客戶對知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)需求，將對FLASH存儲空間的保護(hù)定義了兩個安全類別:
1.讀保護(hù)
當(dāng)用戶激活CS32F03X的“讀保護(hù)”功能時(shí)(通過修改選項(xiàng)字節(jié)實(shí)現(xiàn))，F(xiàn)LASH代碼空間，
(FLASH Code Memory)中的數(shù)據(jù)將禁止被讀出到外部。CS32F03X 為實(shí)現(xiàn)“讀保護(hù)”定義了
3種安全級別:
●0級，無保護(hù)。可以對主閃存區(qū)和代碼選項(xiàng)字節(jié)執(zhí)行讀、編程、擦除操作。
●1 級，讀保護(hù)代碼選項(xiàng)字節(jié)被擦除后，讀保護(hù)默認(rèn)級別為一級保護(hù)級別。
?用戶模式:運(yùn)行在用戶模式下的代碼可以對主閃存區(qū)和代碼選項(xiàng)字節(jié)執(zhí)行讀、編
程、擦除操作。
?調(diào)試模式、RAM啟動和BootLoader模式:禁止訪問主閃存區(qū)和不掉電寄存器的
訪問權(quán)限。
●2級，是在1級的基礎(chǔ)上，禁用CortexM0的調(diào)試功能。因此，SWD調(diào)試模式、RAM
啟動模式和BootLoader模式都不能使用。
2.寫保護(hù)
支持以扇區(qū)(4頁)為單位對FLASH代碼空間(FLASH Code Memory)進(jìn)行寫保護(hù)。
注:用戶在將CS32F03X設(shè)置為“讀保護(hù)級別2”時(shí)需要謹(jǐn)慎配置，配置為“讀保護(hù)級別2”后將
無法降低保護(hù)級別，芯?？萍?/u>也無法協(xié)助解決與此芯片有關(guān)的問題。