? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）據(jù)報道，三星電子在半導體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關(guān)于三星將在其HBM
2024-03-14 00:17:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，對高性能內(nèi)存的需求也日益增長。特別是高帶寬內(nèi)存（HBM）和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DDR5）等高端DRAM產(chǎn)品，正受到市場的熱烈追捧。為了順應(yīng)這一
2024-03-06 10:49:49261 3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細節(jié)
2024-03-06 08:37:3561 近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復雜。
2024-03-05 16:18:24190 根據(jù)需求進行重新配置，而ASIC一旦制造完成，其功能就無法更改。
開發(fā)周期和成本 ：FPGA的開發(fā)周期相對較短，成本較低，適合原型驗證和小批量生產(chǎn)。而ASIC的開發(fā)周期長，成本較高，但大批量生產(chǎn)時具有
2024-02-22 09:54:36
隨著電子制造行業(yè)的快速發(fā)展，多品種、小批量生產(chǎn)模式逐漸成為主流。在這一背景下，貼片機作為電子制造中的關(guān)鍵設(shè)備，其應(yīng)用研究顯得尤為重要。本文旨在探討基于多品種小批量生產(chǎn)模式下的貼片機應(yīng)用，分析其特點、挑戰(zhàn)及應(yīng)對策略，并通過實際案例加以闡述。
2024-01-19 10:20:47228 
值得關(guān)注的是，三星已不再從事 NOR flash、DDR3 等工藝成熟的存儲芯片加工，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向使用華邦生產(chǎn)的產(chǎn)品。近期，隨著 NOR flash 和 DDR3 的市場行情有所好轉(zhuǎn)，華邦與三星依然保持著緊密合作
2024-01-15 09:34:03287 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052849 KT6368A雙模藍牙芯片批量生產(chǎn)使用主機芯片測試很方便
KT6368A批量生產(chǎn)怎么辦？不可能用手機一個一個的去連吧，太慢了
別慌，這個問題，我們早就考慮清楚了，答案如下，分為兩個方法：
2024-01-11 12:01:00147 
使用13.5nm波長的光進行成像的EUV光刻技術(shù)已被簡歷。先進的邏輯產(chǎn)品依賴于它，DRAM制造商已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)。
2023-12-29 15:22:31172 請問ADE7763，在批量生產(chǎn)的時候如何校準？
2023-12-27 07:41:51
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
從設(shè)計到生產(chǎn)，PCB小批量生產(chǎn)解密
2023-12-20 11:15:47348 NanoCleave? 層釋放系統(tǒng)，這是第一個采用EVG革命性NanoCleave技術(shù)的產(chǎn)品平臺。EVG850 NanoCleave系統(tǒng)采用紅外(IR)激光，在經(jīng)過驗證的大批量制造(HVM)平臺上結(jié)合專門配制
2023-12-13 17:26:46489 
線路板生產(chǎn)該選大批量還是小批量？
2023-12-13 17:22:10332 三星dram的營業(yè)利潤在第三季度約增加15.9%，達到52.5億美元，市場占有率為38.9%，占據(jù)首位。三星對ai高用量產(chǎn)品的需求不斷增加，1alpha nm ddr5的批量生產(chǎn)也呈現(xiàn)良好勢頭。
2023-12-05 17:07:08461 
trendforce表示，第三季度三家企業(yè)的營業(yè)利潤均有所增加，由于ai話題的擴散，對高用量產(chǎn)品的需求保持穩(wěn)定，而且在批量生產(chǎn)1 alpha nm ddr5以后價格也有所上升，從而使三星第三季度dram銷售額增長15.9%，約52.5億美元。
2023-12-05 10:19:53297 
三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時，管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
法人指出，標準型DRAM與NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導，臺廠在芯片制造端無法與其抗衡，僅模組廠有望以低價庫存優(yōu)勢搭上DRAM與NAND芯片市況反彈列車
2023-11-22 15:41:18139 法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導，因此，中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 隨著工業(yè)界開始大批量生產(chǎn)下一代PoP器件，表面組裝和PoP組裝的工藝及材料標準必須隨之進行改進。
2023-11-01 09:46:08419 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
在2023年2月在國際學會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
MCU批量生產(chǎn)下載程序的幾種常見方法
2023-10-24 17:22:46831 
三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 DDR3是2007年推出的，預(yù)計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們在買DDR內(nèi)存條的時候，經(jīng)常會看到這樣的標簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
覆蓋45nm至7nm，預(yù)計相關(guān)產(chǎn)品最早于2024年下半年獲得訂單，2025年將進入大批量生產(chǎn)階段。 ? 什么是硅光子技術(shù) ? 硅光子技術(shù)用激光束代替電子信號傳輸數(shù)據(jù)，是一種基于硅光子學的低成本、高速的光通信技術(shù)。英特爾實驗室通過混合硅激光
2023-09-19 01:27:001662 三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導致DDR4市場價格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標。
2023-09-15 14:49:462497 
9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導，三星電子近期與客戶（谷歌等手機制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計，從第四季度起存儲芯片市場或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18206 辰顯光電TFT基Micro-LED生產(chǎn)線面積約53畝，生產(chǎn)線均采用自主設(shè)計，引進多臺“第一套”量產(chǎn)設(shè)備。該項目計劃在2024年底實現(xiàn)大批量生產(chǎn)，生產(chǎn)線將最先配置大型商業(yè)展示領(lǐng)域。
2023-09-13 10:36:04348 2022年第四季度DRAM行業(yè)營收環(huán)比下降超過三成，跌幅超過2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價格環(huán)比下降23-28%，DDR5內(nèi)存價格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 
日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470 本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
我們都知道3C電子產(chǎn)品，如：手機、筆記本電腦、平板、電子手表等等，通常都會是大批量生產(chǎn)的，并且在生產(chǎn)的過程中也會使用到大量的PCB板。那么，你是否知道大批量生產(chǎn)PCB板是如何實現(xiàn)品質(zhì)溯源
2023-08-25 15:02:26667 
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512792 xilinx平臺DDR3設(shè)計教程之設(shè)計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
隨著5G的發(fā)展，我們完全致力于與領(lǐng)先的制造商合作，開發(fā)創(chuàng)新的測試和測量方法，這些方法將支持實現(xiàn)其令人興奮的希望所需的龐大基礎(chǔ)架構(gòu)。這是要解決的3個挑戰(zhàn)。
2023-08-01 16:38:49316 隨著制程工藝的進步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機，但是設(shè)備實在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
1. 傳三星3 納米工藝平臺第三款產(chǎn)品投片 ? 外媒報道，盡管受NAND和DRAM市場拖累，三星電子業(yè)績暴跌，但該公司已開始生產(chǎn)其第三個3nm芯片設(shè)計，產(chǎn)量穩(wěn)定。根據(jù)該公司二季度報告，當季三星
2023-07-31 10:56:44480 DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級、早期全柵）工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片，但沒有無晶圓廠芯片設(shè)計商證實其產(chǎn)品使用了該節(jié)點。
2023-07-19 17:13:331010 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應(yīng)的時延差異較大，必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 
臺積電董事長魏哲家近日在股東大會上表示：“臺積電先進工程在南京批量生產(chǎn)3納米工程后，將致力于擴充生產(chǎn)能力。目前正在建設(shè)2納米工廠，預(yù)計2025年批量生產(chǎn)?！彼状伪硎?，1.4納米工程的下一代也將在
2023-06-27 09:36:58400 本設(shè)計筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
和 DQS Gate Training
?DDR3 最快速率達 800 Mbps
三、實驗設(shè)計
a. 安裝 DDR3 IP 核
PDS 安裝后，需手動添加 DDR3 IP，請按以下步驟完成：
（1
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
高性價比。全新LUT5結(jié)構(gòu)，集成RAM、DSP、ADC、SERDES、DDR3等豐富的片上資源，支持多種標準IO，LVDS、MIPI接口等，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、通信、消費類等領(lǐng)域，是大批量、成本敏感型項目的理想選擇。
2023-05-25 14:30:282217 
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
MES50HP 開發(fā)板簡介
MES50HP 開發(fā)板集成兩顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大??？
2023-05-06 07:04:11
u-boot 自動啟動延遲 = -2 OK（在 imx8mm_evk.k 中） 但我不想 u-boot 寫入串行，我怎樣才能用 yocto 永久實現(xiàn)這個？2 - 靜默內(nèi)核如何使用 quiet args（始終使用 Yocto）和永久（用于批量生產(chǎn)）設(shè)置 bootargs。
2023-04-20 06:31:26
傳統(tǒng)意義上的機械層面“多合一”——將電機+電控+齒輪傳動系統(tǒng)等集于一體早已不是什么新聞了，Mode 3甚至早已實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。
2023-04-11 09:54:18677 DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
TRUMPF（通快）的目標是采用最先進的大批量生產(chǎn)工藝制造短波紅外（SWIR）VCSEL，實現(xiàn)穩(wěn)定可靠且性能卓越的產(chǎn)品。
2023-04-04 10:49:161454 我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存，一個 ddr 控制器連接 8GB。三個問題：1)在codewarrior ddr config上，我們應(yīng)該選擇什么dram類型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
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