Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管

　恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實用價值。

　　LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優(yōu)化設計實現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標準AEC-Q101唯一認可的Power-SO8封裝形式，在極端惡劣的工作條件下仍具有出色的耐受性和可靠性。

　　產品主要特點：

　　3.6 mΩ（典型值），60 V，Power-SO8封裝(PSMN5R5-60YS)
　　10.0 mΩ（典型值），100 V，Power-SO8封裝(PSMN012-100YS)
　　全球首款電阻小于1 mΩ，25V，Power SO8封裝MOSFET開關型應用器件
　　Power-SO8器件最高工作溫度：175 °C
　　符合汽車電子器件AEC - Q101標準的Power-SO8封裝
　　LFPAK封裝最大額定電流：ID(MAX)＝100A
　　支持目視檢測設備檢測（很多其他Power-SO8產品需要X光檢測）
　　突波耐受
　　符合RoHS規(guī)定，無鹵封裝?
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　　除新型Power SO-8封裝產品，恩智浦還推出了符合TO220 (SOT78)業(yè)界標準的60V和100V器件，在原有30V、40V和80V產品基礎進一步擴大了Trench 6 MOSFET產品線。新產品系列在各種應用場景下都表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。Trench 6硅技術結合TO220封裝在提高工作效率，降低開關損耗，改善電流容量，增加功率密度等方面起到顯著的提升作用，這些對于目前的高性能電源管理應用具有重要意義。

　　產品主要特點：

　　2.4 mΩ（典型值），60 V，TO220封裝 (PSMN3R0-60PS)
　　4.3 mΩ（典型值），100 V，TO220封裝(PSMN5R6-100PS)
　　最高額定工作溫度：175 °C
　　最大額定電流：ID(MAX) = 100 A
　　突波耐受
　　符合RoHS規(guī)定，無鹵封裝
　　低熱阻?