功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計算所需的重要說明.
2022-05-19 09:08:06
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飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問題。單個封裝中的四個60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實現(xiàn)緊湊的設(shè)計并節(jié)省電路板空間
2013-05-02 15:18:551245 
安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄，其采用的夾焊技術(shù)更可實現(xiàn)達100 A的電流處理能力，極佳的散熱性確保安全性和更高可靠性，且成本與DPAK相當(dāng).
2016-08-08 16:58:411812 傳導(dǎo)至散熱器，再由散熱器向外界環(huán)境散熱。根據(jù)FCBGA封裝的結(jié)構(gòu)特性和相關(guān)研究表明，約90%以上的熱量是通過封裝頂面?zhèn)鲗?dǎo)至散熱器進行散熱。因此，為提高芯片散熱效率，需要盡量減少芯片晶圓到外界環(huán)境的散熱熱阻。
2023-04-14 12:31:531789 這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴(yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOSFET。有時候由于其他條件的限制，需要使用多個MOSFET并聯(lián)的方式來解決散熱的問題，如在PFC應(yīng)用、電動汽車電機控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級同步整流
2017-11-15 08:14:38
有的文獻說mosfet并聯(lián)緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說法
2017-02-22 18:19:40
實現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設(shè)計，同時實現(xiàn)現(xiàn)在的消費電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝，取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
晶體管(IGBT )它綜合了 MOSFET 輸入阻抗高、驅(qū)動電流小和 雙極型管的導(dǎo)通電阻小、高電壓、 大電流的優(yōu)點。2． 功率管的散熱 功率管良好的散熱是保證功率放大器正常工作的重要條件,散熱的好壞
2021-05-13 07:44:08
Vac時，也實現(xiàn)了與之一致的效率提升。 圖5. 在110 Vac 輸入電壓條件下，TO247 4引腳封裝MOSFET與TO247封裝MOSFET的PFC效率對比。測試條件：Ext. Rg=5 Ω，開關(guān)頻率
2018-10-08 15:19:33
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
(2)產(chǎn)品參數(shù)說明 產(chǎn)品特點 1. 整體熱阻小，換熱效率高，換熱能力明顯強于同體積的一般實體散熱器; 2. 結(jié)構(gòu)簡單緊湊，易于安裝和維護 應(yīng)用場合 IGBT模塊用熱管散熱器 工作溫度
2012-06-19 13:54:59
模塊)的散熱方案 在電子元件的熱設(shè)計中，散熱方式的選擇，以及對其進行試驗、模擬、分析、優(yōu)化從而得到一個熱效率高、成本低廉的結(jié)構(gòu)，對保證功率器件運行時其內(nèi)部結(jié)溫始終保持在允許范圍之內(nèi)顯得尤為重要
2012-06-20 14:58:40
。這種散熱器效率很低，不適合用于大功率器件中。由于它的結(jié)構(gòu)簡單、無噪音、免維護，特別是沒有運動部件，所以可靠性高，非常適用于額定電流在以下的器件?！ ?、強制空氣冷卻 強制對流風(fēng)冷散熱特點是散熱效率
2012-06-19 11:35:49
。這種散熱器效率很低，不適合用于大功率器件中。由于它的結(jié)構(gòu)簡單、無噪音、免維護，特別是沒有運動部件，所以可靠性高，非常適用于額定電流在以下的器件。 2、強制空氣冷卻 強制對流風(fēng)冷散熱特點是散熱效率
2012-06-20 14:36:54
逐步走入市場。這種功率型的LED一般是將發(fā)光芯片放在散熱熱沉上，上面裝配光學(xué)透鏡以達到一定光學(xué)空間分布，透鏡內(nèi)部填充低應(yīng)力柔性硅膠。功率型LED要真正進入照明領(lǐng)域，實現(xiàn)家庭日常照明，其要解決的問題還有
2011-12-25 16:17:45
LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨界模式（BCM）的PFC向
2022-04-09 13:36:25
引言 如今，客戶要求產(chǎn)品不但節(jié)能，還要體積更小，從而推動功率轉(zhuǎn)換行業(yè)向前發(fā)展。交流/直流和直流/直流轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞牟粩喟l(fā)展，改善了轉(zhuǎn)換器效率。功率MOSFET是功率轉(zhuǎn)換器的核心部件，是設(shè)計高能效產(chǎn)品
2018-12-07 10:21:41
標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計人員設(shè)法通過芯片級創(chuàng)新和改進封裝來不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
功率放大器的需求將進一步提高。RF 功率 MOSFET在無線電通訊領(lǐng)域也有應(yīng)用，其頻率已延伸至低微波段且輸出功率可達百W以上。它同時也應(yīng)用于電視(特別是數(shù)字電視)功率放大器、雷達系統(tǒng)和軍事通訊中。隨著
2019-07-08 08:28:02
兩方面的損耗少與效率改善密切相關(guān)。另外，損耗少的話，發(fā)熱就會少，因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關(guān)。－ 這涉及到第二個課題小型化對吧。進一步講，一般MOSFET的導(dǎo)通電阻很大程度地依賴于元件
2019-04-29 01:41:22
`SUN2310SGP溝道增強型功率場效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
;/p><p>ZXMS6004FF將靜電放電（ESD）、過壓、過流及過溫保護集成于一個高散熱效率封裝，為元件本身及負(fù)載提供了完善的保護，有助于減少元件
2009-01-07 16:01:44
MOSFET的柵極驅(qū)動器、面向上側(cè)驅(qū)動的自舉二極管、交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護和欠壓鎖定。3. 散熱效率由于像IGBT這樣的器件工作在較低溫度可減小器件上的應(yīng)力，因此封裝的散熱性能與其可靠性存在內(nèi)在聯(lián)系（圖2）。由于溫度
2020-12-01 15:40:26
，可以將高功率POL模塊調(diào)節(jié)器放在較小的PCB空間中，但更重要的是，可以實現(xiàn)效率冷卻。LTM4636是從這種堆疊式封裝技術(shù)受益的第一個μModule調(diào)節(jié)器系列。作為一款以堆疊式電感作為散熱器的40 A
2019-07-22 06:43:05
效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOSFET。有時候由于其他條件的限制，需要使用多個MOSFET并聯(lián)的方式來解決散熱的問題，如在PFC應(yīng)用、電動汽車電機控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級同步整流等
2019-04-04 06:30:00
層、導(dǎo)通孔的制備都面臨挑戰(zhàn)，良品率不高。目前雖有一些***企業(yè)開發(fā)出LED硅基板并量產(chǎn)，但良品率不超過60%。陶瓷封裝基板：提升散熱效率滿足高功率需求配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體，DPC顯著提升了散熱效率
2020-12-23 15:20:06
功耗更大，而設(shè)備供應(yīng)商則在憑借更快、更小、噪聲更低、效率更高的創(chuàng)新相互比拼。新型數(shù)字技術(shù)能力超群、令人振奮，但背后仍然存在模擬和電源技術(shù)角力，以在封裝更小的情況下提供更大功率，同時最大限度減小對系統(tǒng)總體
2018-10-16 06:10:07
“免費”冷卻機會，用來去除?MOSFET?、電感器等發(fā)熱組件產(chǎn)生的熱量。
將熱量從封裝內(nèi)部引導(dǎo)到封裝頂部并擴散到空氣中
大功率開關(guān) POL 穩(wěn)壓器靠電感器或變壓器將輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓
2018-10-16 06:31:24
源吸收熱量。吸熱部分吸收的熱量通過散熱器排到設(shè)備外面。水冷散熱充分利用了液體的比熱容大于空氣的優(yōu)勢，從而使散熱效率更高。此外，安靜的工作狀態(tài)，綠色穩(wěn)定的特點也深受信賴。大功率的發(fā)射機在數(shù)字信號傳輸?shù)膽?yīng)用上
2018-11-28 15:47:02
大功率白光LED散熱及封裝大功率白光LED散熱LED發(fā)光是靠電子在能帶間躍遷產(chǎn)生光，其光譜中不包含紅外部分，LED的熱址不能靠輻射散出，因此LED是“冷”光源。目前LED的發(fā)光效率僅能達到10%一
2013-06-08 22:16:40
我們在當(dāng)前的設(shè)計中遇到了 IC 控制器的溫度問題（高溫）。對于如何在通用的同步降壓概念設(shè)計方案中提高 IC 控制器（集成開關(guān)）的散熱效率，有人可以提供建議？
2019-06-27 11:19:03
的散熱通道的器件。最后還要量化地考慮必要的熱耗和保證足夠的散熱路徑。本文將一步一步地說明如何計算這些MOSFET的功率耗散，并確定它們的工作溫度。然后，通過分析一個多相、同步整流、降壓型CPU核電源中
2021-01-11 16:14:25
中日漸流行，設(shè)計精良的POL調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費的冷卻機會，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。把熱量從封裝頂部引至空氣中高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)壓輸出電壓。在非
2018-10-24 09:54:43
調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費的冷卻機會，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。把熱量從封裝頂部引至空氣中高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)壓輸出電壓。在非隔離式降壓POL調(diào)節(jié)器中，器件
2018-10-24 10:38:26
問題的關(guān)鍵在于找出適宜高溫工作的連接材料，匹配封裝中不同材料的熱性能。此外，多功能集成封裝技術(shù)以及先進的散熱技術(shù)在提升功率密度等方面也起著關(guān)鍵作用。本文重點就低雜散電感封裝、高溫封裝以及多功能集成封裝 3
2023-02-22 16:06:08
的 TPS40170 同步降壓控制器?！ ￡P(guān)于 NexFET 功率 MOSFET TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可提升高功率計算、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)以及電源的能源效率。這些高頻率、高效率模擬功率
2018-11-29 17:13:53
熱力學(xué)的基本規(guī)律揭示出沒有電子設(shè)備可以實現(xiàn)100％的效率——雖然開關(guān)電源比較接近（達到98％）。但不幸的是任何產(chǎn)生RF功率的器件目前都無法達到或者接近理想的性能，因為將直流功率轉(zhuǎn)換為射頻功率過程中
2017-08-29 10:19:12
效率可編程的脈沖串模式可在空載條件下維持穩(wěn)壓，并提升輕載效率可編程的軟啟動時間及軟啟動前延遲適合高功率及高頻率的單封裝設(shè)計可通過夾片快速安裝到散熱片外露的散熱金屬部分與地電位相連 – 封裝和散熱
2019-03-07 14:39:44
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
Grant and S. Fletcher.。幸運的是，經(jīng)過連年不斷努力提升RF效率，這些情況在逐漸改變。這些工作有一些是在器件級，有些則采用了一些創(chuàng)新技術(shù)，比如包絡(luò)跟綜，數(shù)字預(yù)失真/波峰因子降低方案，以及采用比常見AB類級別更高級的放大器。那么，還有哪些辦法可以提升射頻功率放大器的效率嗎？
2019-07-31 08:13:39
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
能量轉(zhuǎn)換效率是一個重要的指標(biāo)，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實現(xiàn)這一提升，開始逐漸采用越來越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓?fù)?，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開關(guān)速度被譽為未來的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2020-10-29 07:12:23
描述PMP10319參考設(shè)計是極具熱效率的緊湊型設(shè)計，旨在對廣泛的交流輸入（85VAC 至 265VAC）進行降壓。此非隔離式降壓設(shè)計整合了 UCC28710 PSR 控制器
2022-09-22 08:53:04
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
或RqJA來校核功率MOSFET的結(jié)溫，通?？梢栽龃?b class="flag-6" style="color: red">散熱器，提高器件通過電流的能力。底部沒有裸露銅皮的封裝，使用RqJL或RqJA來校核功率MOSFET的結(jié)溫，其散熱的能力主要受限于晶片到PCB的熱阻
2016-08-15 14:31:59
效應(yīng)封裝、更高的散熱效率以及多芯片封裝解決方案。WBG 器件的高效率功率轉(zhuǎn)換性能外加封裝的更高散熱效率，將實現(xiàn)高能效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。我們知道，封裝有助于提高能效，但是什么是封裝技術(shù)人員與裝配制造工程師實現(xiàn)
2018-09-14 14:40:23
／高功率／高速器件，其將充分滿足工業(yè)及樓宇自動化、能源生成與配送以及汽車等市場領(lǐng)域的需求。封裝技術(shù)中的多芯片模塊／系統(tǒng)將增強這些應(yīng)用的封裝與系統(tǒng)級集成。能源效率是當(dāng)前乃至以后眾多應(yīng)用的重要要求…
2022-11-22 06:32:07
電源效率與散熱0 前言1 電源效率2 散熱設(shè)計0 前言在電路后期優(yōu)化中，提高電源效率可以提高用戶體驗，注重散熱可以保證電路穩(wěn)定運行。1 電源效率提高電源效率的措施有以下幾種：使用DC-DC拓?fù)?；增?b class="flag-6" style="color: red">功率
2022-01-03 07:23:53
密度。以MOSFET取代二極管，可以彌補上述不足。SuperSO8與TO-220封裝型式的效率比較請參見圖3。僅僅采用SuperSO8封裝代替TO-220封裝，就可以將效率提高0.4%，相對于功率損耗降低
2018-12-07 10:23:12
FPGA Editor如何提升設(shè)計效率？如何利用CTRL / Shift快捷鍵進行放大縮?。咳绻肍11鍵放大選定的項目？
2021-04-08 06:40:00
那里，因為電荷和電容是固定的。讓 MOSFET 開關(guān)需要增加或消除足夠的柵極電荷。隔離式柵極驅(qū)動器必須以高電流驅(qū)動MOSFET柵極，以便增加或消除柵極電荷，以減少功率損耗。公式1計算隔離式柵極驅(qū)動器將
2022-11-02 12:02:05
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
文章論述了大功率LED封裝中的散熱問題，說明它對器件的輸出功率和壽命有很大的影響，分析了小功率、大功率LED 模塊的封裝中的散熱對光效和壽命的影響。對封裝及應(yīng)用而言，
2010-10-22 08:53:33
136 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31388 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727 TI推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對
2010-01-22 09:40:49932 喇叭狀鰭片設(shè)計可提高針鰭散熱片散熱效率
近年來，尖端FPGA的功能快速發(fā)展到了前所未有的高度。但不幸的是，功能方面的快速發(fā)展也隨之加大了對散熱的需求。因
2010-03-03 11:26:131432 
基于功率MOSFET設(shè)計考量
用作功率開關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設(shè)計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫?b class="flag-6" style="color: red">效率的提升。功率器件從電流驅(qū)
2010-04-24 11:44:421237 
過去LED只能拿來做為狀態(tài)指示燈的時代，其封裝散熱從來就不是問題，但近年來LED的亮度，功率皆積極提升，并開始用于背光與電子照明等應(yīng)用后，LED的封裝散熱問題已悄然浮現(xiàn)。上述
2012-05-07 11:59:151200 
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示，在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01467 
兩個風(fēng)扇不但造型重新設(shè)計，還支持異步運行，可分別根據(jù)GPU核心溫度、供電區(qū)域／顯存溫度運轉(zhuǎn)在不同的速度上，可提高散熱效率并降低噪音。
2018-07-09 10:54:00905 電源系統(tǒng)中的主開關(guān)器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進MOSFET的封裝散熱性。通過降低器件導(dǎo)通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0211789 
將量子點灌注至玻璃容器的設(shè)計，使量子點維持以液態(tài)的方式，有效提升發(fā)光效率與散熱效果，可達到NTSC 120% 與Rec. 2020 90%的廣色域表現(xiàn)。
2019-10-09 14:24:213837 
LED顯示屏?xí)驗檠杆俚陌l(fā)熱，而使其容易自燃，不但LED顯示屏大功率的輸出，會讓一部分的能源浪費在發(fā)熱上，而且發(fā)熱有可能會帶來一些問題。 整理出來以下7點： 1、風(fēng)扇散熱，燈殼內(nèi)部用高風(fēng)扇加強散熱
2020-03-17 10:11:40437 近年來，隨著油耗排放法規(guī)的日益嚴(yán)苛，提升壓縮比成為提高發(fā)動機熱效率的重要技術(shù)措施，但壓縮比越高，在大負(fù)荷工況下發(fā)生爆震的可能性也越大。發(fā)動機噴水技術(shù)則可以通過向進氣歧管或者缸內(nèi)噴水來降低進氣溫度，從而降低整個工作循環(huán)的溫度，有效抑制爆震的發(fā)生，因此是一種有效提升發(fā)動機熱效率的技術(shù)。
2020-06-18 14:29:212867 
通過對同步交流對交流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000 板式換熱器的應(yīng)用非常廣泛，可以說在很多行業(yè)的廠家都能看到換熱器的身影，板式換熱器具有傳熱拆卸方便，體積小的特點。但是對于用戶來說，安裝完換熱器以后，怎樣提升它的換熱效率，較大程度的發(fā)揮它的價值，估計
2020-09-03 14:21:553912 產(chǎn)品特點
1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
程師們。 大功率LED燈具的熱管理主要包括3個方面：芯片級、封裝級和系統(tǒng)集成散熱級。其中，芯片是主要的發(fā)熱部件，其量子效率決定發(fā)熱效率，襯底材料決定芯片向外傳熱效率；對封裝而言，封裝結(jié)構(gòu)、材料以及工藝直接影響散熱效率；系統(tǒng)集成散熱
2021-01-12 14:35:042192 一臺好的發(fā)動力除了功率和扭矩之外，熱效率同樣重要；因為發(fā)動機熱效率越高往往意味著其越省油，這在油價節(jié)節(jié)攀升的當(dāng)下更具現(xiàn)實意義。
2021-03-02 10:06:251564 一臺好的發(fā)動力除了功率和扭矩之外，熱效率同樣重要；因為發(fā)動機熱效率越高往往意味著其越省油，這在油價節(jié)節(jié)攀升的當(dāng)下更具現(xiàn)實意義。
2021-03-02 10:52:041944 電源效率與散熱0 前言1 電源效率2 散熱設(shè)計0 前言在電路后期優(yōu)化中，提高電源效率可以提高用戶體驗，注重散熱可以保證電路穩(wěn)定運行。1 電源效率提高電源效率的措施有以下幾種：使用DC-DC拓?fù)?；增?b class="flag-6" style="color: red">功率
2022-01-11 13:37:0717 水冷散熱的原理很簡單，一般由水冷板、水泵、冷排、水管、水冷液以及風(fēng)扇組成，水因為其物理屬性，導(dǎo)熱性并不比金屬好，但是，流動的水卻有極好的導(dǎo)熱性，也就是說，水冷散熱器的散熱性能與其中制冷液流速成正比，水冷液的流速又與水冷系統(tǒng)水泵功率相關(guān)。
2022-03-31 18:39:4520462 
電源封裝發(fā)展提升能源效率
2022-11-04 09:52:220 采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 溝道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF
2023-02-07 20:09:170 NextPower 80 V、2.3 mOhm、240 A、N 溝道 MOSFET，采用 LFPAK88 封裝-PSMN2R3-80SSF
2023-02-08 19:24:130 采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、2.8 mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
2023-02-09 19:21:000 相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升，針對本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率，本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結(jié)果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時的結(jié)果進行了比較。
2023-02-13 09:30:06735 
采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 80 V、3.5 mOhm、150 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF
2023-02-15 19:43:380 未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 功率器件及功率模塊的散熱計算，其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器，以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝，這主要是可方便地安裝在散熱器上，便于散熱。
2023-02-16 17:52:29675 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 點擊藍字?關(guān)注我們 電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小
2023-03-10 21:50:04798 總之，芯片導(dǎo)熱硅脂是一種非常有效的散熱材料，它可以大大提高大功率晶體管的散熱效率，保證機器設(shè)備的正常運行和可靠性
2023-06-08 17:34:26481 
有沒有什么辦法能讓發(fā)動機的熱效率大幅提升，如果能提升到一半甚至現(xiàn)有水平的一倍，燃油車的未來又會是什么樣子呢？
2023-09-12 11:12:23395 
選擇LDO時要考慮的最重要特性之一是其熱阻(RojA)。RojA呈現(xiàn)了LDO采用特定封裝時的散熱效率。RoJa值越大，表示此封裝的散熱效率越低，而值越小，表示器件散熱效率越高。
2023-10-29 09:36:29278 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
新半導(dǎo)體技術(shù)將提升功率轉(zhuǎn)換效率
2023-12-15 09:18:51165 
發(fā)動機的熱效率，是指發(fā)動機有效功率的熱量與單位時間所消耗燃料的熱量比值。簡單來理解就是燃油燃燒后產(chǎn)生的能量有多少轉(zhuǎn)變成了汽車的驅(qū)動力。
2024-02-29 14:31:37139 
MOSFET集成在緊湊的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中，為工業(yè)和通信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:32:0294
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