富士通半導體有限公司***分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率，并擴大電源供應的增值應用，實現(xiàn)低碳能源社會。富士通半導體的GaN功率元件將于2013年下半年投入量產(chǎn)。

　　相較于傳統(tǒng)的硅功率元件，GaN功率元件擁有較低導通電阻的特性，可支援高頻率運作。這些特性有助于提高電源供應器的轉換效率，并可縮小體積。富士通半導體計畫將硅基板GaN功率元件商用化，藉由增加硅晶圓直徑達到低成本量產(chǎn)的目標。富士通半導體自2009年起已著手開發(fā)GaN功率元件之量產(chǎn)技術，并于2011年開始提供GaN功率元件樣品給特定的電源供應器合作伙伴。富士通半導體未來也將持續(xù)為應用于電源供應器中的GaN功率元件進行最佳化。
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　　富士通半導體近期與富士通研究所（Fujitsu Laboratories Limited）進行多項共同技術開發(fā)計畫，包括開發(fā)製程技術來增加硅基板上的高品質GaN晶體數(shù)量、開發(fā)元件技術（如：電極最佳化設計）來控制開關切換時上升的導通電阻，以及設計可支援GaN元件高速開關的電源供應器電路配置。這些技術讓富士通半導體在GaN功率元件的功率因數(shù)校正（power factor correction）電路中，成功達到高于傳統(tǒng)硅元件效能的轉換效率。富士通半導體還設計了一種具有上述功率因數(shù)校正電路的伺服器電源供應器樣品，輸出功率可達2.5kW。

　　富士通半導體成功開發(fā)這項全新技術后，有助于擴大其GaN功率元件在高壓、大電流時的應用範疇。

　　富士通半導體近期在會津若松 （Aizu-Wakamatsu） 廠區(qū)建造了6吋晶圓的量產(chǎn)生產(chǎn)線，而GaN功率元件也將在2013年下半年進入量產(chǎn)階段。富士通今后將提供滿足客戶需求的功率元件、以及電路設計技術支援服務，藉以支援用途廣泛的低損耗、高整合度的電源供應器。富士通半導體預計該GaN功率元件可在2015會計年度達到100億日元的銷售目標。

　　富士通半導體將于2012年11月14-16日在太平洋橫濱會展中心（Pacifico Yokohama）舉行的2012嵌入式技術展（Embedded Technology 2012）中展示GaN功率元件。
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　　有關氮化硅的（GaN）的介紹
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　　GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

　　GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。