日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 `深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)-20V -4A SOT-23 P溝道 MOS 帶ESD靜電保護(hù) HN3415，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道 MOS管
2021-05-08 15:24:44
型號：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封裝：SOT-23溝道：N溝道100V MOS管HC160N1038 原廠mos，庫存現(xiàn)貨熱銷可以替代SI2328DS售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)上
2020-11-20 13:54:17
``近日，2016年第五屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽（上海賽區(qū)）落下帷幕，上海靈動微電子股份有限公司經(jīng)過多輪角逐，榮獲上海賽區(qū)企業(yè)組優(yōu)勝獎并進(jìn)入全國賽。 中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽由科技部、教育部、財政部等發(fā)起，由
2016-09-27 11:42:17
（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產(chǎn)品●表面安裝包。HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道MOS管
2021-03-11 11:14:52
。阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】【20V MOS N/P溝道】HN3415： -20V -4A SOT-23 P溝道
2021-03-30 14:22:40
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計實(shí)例對P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
光電二極管榮獲行業(yè)媒體《電子發(fā)燒友》（Elecfans）2022年度中國IoT創(chuàng)新獎“傳感器技術(shù)獎”。第七屆中國IoT創(chuàng)新獎旨在表彰過去一年推出的對物聯(lián)網(wǎng)（IoT）行業(yè)具有深遠(yuǎn)影響的產(chǎn)品和技術(shù)。入圍提名以
2023-02-21 11:24:22
溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P溝道SOT23-3 -20V 3A可
2020-06-10 14:03:57
安森美半導(dǎo)體新推出的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)數(shù)字圖像傳感器AR0430用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)(AR/VR)和安防攝像機(jī)應(yīng)用，榮獲CES 2018創(chuàng)新獎。在標(biāo)準(zhǔn)成像模式下
2018-10-11 14:09:54
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) CJ3415 長電 SOT-23 -20V -4A MOS管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷CJ3415參數(shù)： -20V -4A SOT-23 MOS管/場效應(yīng)管P溝道品牌：長電
2020-10-15 15:18:23
創(chuàng)新獎南京大學(xué)基于車聯(lián)網(wǎng)的新型無人駕駛智慧城市路口設(shè)計內(nèi)網(wǎng)穿透隊周海波姜高翔、裘景一、賁馳四、廣和通榮獲物聯(lián)網(wǎng)大賽最佳支持獎五、現(xiàn)場活動圖
2022-12-08 16:00:24
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個晶體管（某種晶體管）來打開和關(guān)閉它。P 溝道場效應(yīng)管P溝道區(qū)域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
`品牌：NCE新潔能型號：NCE3416封裝：SOT23-6批號：批號FET類型：N溝道漏源電壓（Vdss）：20V漏極電流(Id)：6.5A漏源導(dǎo)通電阻(RDS On)：16柵源電壓(Vgs
2021-07-21 16:14:39
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
SOT23-3L100V 5ASL3N10N溝道SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道
2020-06-09 14:25:52
、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競爭力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。我司還提供以下MOS管產(chǎn)品：SL2302N溝道SOT23-3 20V4.2A可替代 SI2302SL3414N溝道
2020-06-30 11:26:07
，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】更多中低壓MOS管產(chǎn)品如下：【20V MOS N/P溝道】HN3415： -20V -4A SOT-23 P溝道 MOS管
2020-10-22 15:48:45
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區(qū)圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
`2016（第七屆）企業(yè)幸福指數(shù)評選頒獎典禮于12月13日在北京香格里拉酒店舉行，完美世界股份有限公司榮獲“2016年最走心員工關(guān)懷獎”。 圖一、完美世界是唯一獲得“2016年最走心員工關(guān)懷獎
2016-12-14 18:17:03
。 二、技術(shù)創(chuàng)新獎評選標(biāo)準(zhǔn)1. 參評對象必須是2014 – 2017年度推出新產(chǎn)品或特定技術(shù)；2. 參評對象必須適用于中國市場，同時達(dá)國際領(lǐng)先水平，或者幫助中國IoT行業(yè)達(dá)到或領(lǐng)先相同領(lǐng)域的國際先進(jìn)水平
2017-10-12 17:15:13
`熱烈慶祝一博科技榮獲Cadence2013用戶大會杰出論文獎！EDA業(yè)內(nèi)矚目的年度活動Cadence用戶大會CDNLive于2013年9月12日于北京香格里拉酒店召開。此會議集聚中國產(chǎn)業(yè)鏈高階主管
2013-09-24 09:07:09
`熱烈慶祝一博科技設(shè)計團(tuán)隊榮獲“EDN China 2013年度創(chuàng)新工程師獎”！2013年（第八屆）EDN China創(chuàng)新大會頒獎典禮于11月12日在上海浦東Holiday Inn酒店舉辦，本屆
2013-11-21 17:51:10
/EDN-Taiwan)和《國際電子商情》(ESM-China)五大媒體聯(lián)手舉辦的“2017年大中華IC設(shè)計成就獎”頒獎典禮在上海浦東嘉里大酒店隆重舉行?！按笾腥AIC設(shè)計成就獎”是針對于大中華區(qū)（中國大陸、***和香港
2017-03-27 09:06:15
SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V
2020-06-10 13:49:34
測試我司還提供以下MOS管產(chǎn)品：SL2302N溝道SOT23-3 20V4.2A可替代 SI2302SL3414N溝道SOT23-3 20V6A 可替代AO3414SL3414E N溝道
2020-06-09 15:01:23
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
，園區(qū)管委會對 新獲省級及以上專精特新“小巨人”、單項冠軍、智能制造示范企業(yè)（車間），主導(dǎo)制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè) ，授予“科技創(chuàng)新示范獎”。在本次評先評優(yōu)活動中，華秋有幸被授予了“科技創(chuàng)新示范獎”。作為
2023-02-27 14:20:51
年會千峰之夜頒獎晚宴上，在一百余位產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)決策人、投資人及業(yè)界人士的共同見證下，2023產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)千峰獎正式揭曉。華秋憑借其卓越的數(shù)字化實(shí)力和創(chuàng)新能力，在眾多優(yōu)秀的候選者中脫穎而出，榮獲了
2023-12-15 09:53:36
價值獎10個、創(chuàng)新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業(yè)獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。 長期以來，電子行業(yè)呈現(xiàn)“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質(zhì)管控雜亂
2023-02-27 15:11:40
價值獎10個、創(chuàng)新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業(yè)獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。長期以來，電子行業(yè)呈現(xiàn)“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質(zhì)管控雜亂
2023-02-27 14:52:41
字文件以進(jìn)行編輯和后期制作，再到使用一臺數(shù)字電影攝像機(jī)的全數(shù)字化工作流程。所有這些選擇都說明這些榮獲奧斯卡最佳攝影獎的最佳藝術(shù)家都選擇相同的系統(tǒng)來拍攝他們的獲獎影片。在過去的五年中，獲此獎項的每一部電影
2018-10-23 09:07:09
的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE榮獲由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)Aspencore評選出的2019年度MCU產(chǎn)品獎。該獎項此次共收到來自行業(yè)內(nèi)知名半導(dǎo)體供應(yīng)商的100多款候選產(chǎn)品，通過Aspencore編輯的評估，挑選出10多款產(chǎn)品入圍，最終RE脫穎而出，獲得該產(chǎn)品獎。
2020-10-22 16:47:48
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
CEO獎（10名）、技術(shù)創(chuàng)新獎（20名），產(chǎn)品金獅獎（30名）12月7日上午：分析師早餐會、IoT投資論壇2017中國IoT新銳CEO獎、現(xiàn)正在火熱提名中，欲了解[url=https
2017-08-09 10:19:08
杰出的產(chǎn)品性能和獨(dú)特的架構(gòu)設(shè)計，榮獲光模塊類“2021年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎”。 顛覆傳統(tǒng)，創(chuàng)新突破 易飛揚(yáng)400G QSFP-DD LR8是一款可熱插拔的光收發(fā)模塊，采用單PCB設(shè)計，三溫情況下功耗低于
2021-06-28 14:01:02
有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計問題？
2016-08-28 18:29:46
評審后，機(jī)智云與美的、海爾、華為、美菱等企業(yè)一同成功入圍，最終機(jī)智云智能家電運(yùn)營管理服務(wù)平臺榮獲2017年度中國家電艾普蘭獎“智能創(chuàng)新獎”。機(jī)智云智能家電運(yùn)營管理服務(wù)平臺機(jī)智云4.0智能家電運(yùn)營管理
2017-03-13 18:30:00
，江蘇潤和軟件股份有限公司（以下簡稱“潤和軟件”）受邀參會，并在華為終端云開發(fā)者聯(lián)盟舉辦的“一站式開發(fā)者服務(wù)及開放能力”分論壇上榮獲“華為開發(fā)者聯(lián)盟 2022年度最佳生態(tài)服務(wù)商獎”。在本次大會上，潤
2022-11-09 10:24:44
，觀展人數(shù)超過16萬人次。 MM32 MCU產(chǎn)品榮獲“CITE 2018集成電路MCU產(chǎn)品創(chuàng)新獎”在此次博覽會上靈動的MM32系列MCU產(chǎn)品從參展的眾多產(chǎn)品中脫穎而出，榮獲了“CITE2018集成電路
2018-04-13 10:38:14
`熱烈祝貨新鄉(xiāng)學(xué)院電子創(chuàng)新工作室成員獲得全國機(jī)器人大賽ROBTAC二等獎`
2015-07-14 22:53:51
近日，羅姆憑借超低功耗降壓型電源IC“BD70522GUL”榮獲中國IoT杰出技術(shù)創(chuàng)新獎！新產(chǎn)品“BD70522GUL”是以IoT市場的關(guān)鍵詞“紐扣電池10年驅(qū)動”為目標(biāo)開發(fā)而成的超低功耗降壓型電源
2019-07-11 04:20:24
China 2006 年度創(chuàng)新獎頒發(fā)優(yōu)勝產(chǎn)品獎給網(wǎng)絡(luò)通信和電源器件與模塊類產(chǎn)品 《電腦世界》榮譽(yù)計劃供應(yīng)鏈管理解決方案杰出成就桂冠 中興通訊“2006年全球最佳合作伙伴”獎 樂山—菲尼克斯半導(dǎo)體
2014-05-21 10:13:17
AOB240LLT8818EFXT代替AOC2804LT4205FNT代替Si7655DN……………………………………………………………………深圳市芯美力科技有限公司吳先生***【微信同步】QQ3557033601
2021-09-03 15:29:29
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 華虹榮獲“積極參與獎”和“產(chǎn)品創(chuàng)新獎”
第七屆中國國際集成電路博覽會暨高峰論壇（IC CHINA 2009）于日前在蘇州國際博覽中心召開。由工業(yè)和信息化部、科學(xué)技術(shù)部
2009-11-13 08:59:28543 瑞昱RTD1073全高清數(shù)位媒體處理器榮獲EDN China 2009年度創(chuàng)新獎
2009年11月19日10:03:15
網(wǎng)路與多媒體晶片大廠瑞昱半導(dǎo)體今天宣布，瑞
2009-11-19 10:03:201181 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 2009年度EDN China頒發(fā)的“工程師最喜愛的技術(shù)服務(wù)分銷商”獎項
2009年度EDN China創(chuàng)新獎特別設(shè)置了“工程師最喜愛的技術(shù)服務(wù)分銷商”獎項，旨在表彰在中國境內(nèi)進(jìn)行元
2009-12-02 11:17:48626 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 北京2010年11月22日電 /美通社亞洲/ -- 安富利電子元件中國榮獲EDN China 2010年度創(chuàng)新獎“工程師最喜愛的技術(shù)服務(wù)分銷商”大獎。EDN China 于11月17日在深圳舉行的創(chuàng)新獎
2010-11-22 12:38:31669 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 ADI在2011年度“EDN China創(chuàng)新獎”的評選中，ADI憑借 ADV7619 、 AD8283 以及 ADSP-BF592 三款性能優(yōu)異、富有創(chuàng)新的產(chǎn)品最終分別獲得“電源器件與模塊”最佳產(chǎn)品獎、“模擬與混合信號”優(yōu)秀產(chǎn)
2011-12-05 11:30:11652 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍爾效應(yīng)傳感器榮獲EDN China 2011創(chuàng)新獎。
2011-12-06 15:51:27719 安捷倫科技公司日前宣布，旗下 Infiniium 2000 和 3000 X 系列示波器榮膺 2011 年度 EDN China 最佳測試與測量類產(chǎn)品創(chuàng)新獎。
2012-01-11 09:27:09605 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布，其面向LTE專向應(yīng)用而開發(fā)的LTE(FDD和TDD)優(yōu)化收發(fā)器---MB86L13A榮獲EDN China 2012年度創(chuàng)新獎“通信與網(wǎng)絡(luò)類手機(jī)組”之最佳產(chǎn)品獎
2012-11-16 14:22:06979 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜
2013-03-22 14:01:44610 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 全球領(lǐng)先的測試、測量和監(jiān)測儀器提供商---泰克公司日前宣布，在EDN China（《電子設(shè)計技術(shù)》）舉辦的“EDN China 2013年度創(chuàng)新獎”頒獎典禮上，泰克公司AWG70000系列任意波形
2013-11-14 10:04:19662 （SoC）現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）器件榮獲《電子設(shè)計技術(shù)》（EDN China）雜志可編程邏輯器件類別創(chuàng)新獎之“優(yōu)秀產(chǎn)品”獎項?！峨娮釉O(shè)計技術(shù)》雜志創(chuàng)新獎為大中華地區(qū)電子設(shè)計行業(yè)中其中一項最廣泛、最受尊重的大獎。
2013-11-14 17:13:43978 2013年11月14日 – 半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計資源與全球授權(quán)分銷商 Mouser Electronics， Inc.，今天宣布獲頒EDN China最大獎項——2013年度最佳分銷商
2013-11-15 10:34:13831 China創(chuàng)新獎中獲得兩項大獎，專為中國智能電表市場而設(shè)計的Si4438 EZRadioPRO? 無線收發(fā)器和Si7005相對溫濕度傳感器分別榮獲網(wǎng)絡(luò)類最佳產(chǎn)品獎以及傳感類優(yōu)秀產(chǎn)品獎。
2013-11-21 10:49:01770 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 近日，以“影響未來的創(chuàng)新技術(shù)”為主題EDN China創(chuàng)新獎十周年頒獎典禮在上海浦東假日酒店舉辦。今年創(chuàng)新獎評選特設(shè)“創(chuàng)新獎10周年”系列獎項，用以表彰從2005年到2014年，在歷屆創(chuàng)新獎的各類評選中獲獎次數(shù)最多的企業(yè)。世強(qiáng)獲頒中國本土優(yōu)秀供應(yīng)商獎。
2014-07-08 17:37:28640 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股今天很榮幸的宣布，在2015年度“EDN China 創(chuàng)新獎”的評選中，大聯(lián)大從眾多參選公司中脫穎而出， 榮獲該年度“創(chuàng)新分銷商獎”殊榮。
2015-07-08 15:44:06791 日前，Vishay宣布，其UMB 0207系列高精度薄膜MELF電阻榮獲2015年EDN China創(chuàng)新獎。在6月25日上海舉行的頒獎典禮上，UMB 0207被授予2015年EDN China創(chuàng)新獎之無源器件類優(yōu)秀產(chǎn)品獎，Vishay高級銷售經(jīng)理Dennis Tang代表Vishay領(lǐng)獎。
2015-07-20 10:37:43801 BCcomponents 196 HVC ENYCAP?系列混合ENergY儲能電容器榮獲2015 EDN Hot 100產(chǎn)品獎。
2016-02-24 15:26:23697 WSD20L120DN56 P DFN5X6-8 -20V -120A
2017-07-29 10:30:4515 關(guān)鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:01380 NP3416EMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)
2022-07-18 17:16:07774 
NP3416BEMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)
2022-07-19 09:07:17774 
NP2302MR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)
2022-07-20 09:09:43828 
創(chuàng)新獎 “最佳整合營銷創(chuàng)新獎” 銀獎。? ? ? ? 梅花創(chuàng)新獎創(chuàng)建于2013年，是國內(nèi)第一個以“營銷創(chuàng)新”為定位的獎項，旨在表彰每年在營銷領(lǐng)域內(nèi)創(chuàng)新實(shí)踐的機(jī)構(gòu)和個人，倡導(dǎo)所有基于營銷創(chuàng)新的努力與嘗試。本次也是德力西電氣首次入圍并斬
2022-12-01 18:31:27895 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-山毛櫸4D16-20
2023-02-16 21:03:390 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BSH205G2A
2023-02-17 19:19:450 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK4D38-20P
2023-02-17 19:54:330 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK4D110-20P
2023-02-17 19:56:520 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20XPEA
2023-02-23 18:49:200 20 V、4 A P 溝道溝槽 MOSFET-PMV32UP
2023-02-23 19:24:460 20 V、2 A P 溝道溝槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BSH205G2
2023-02-27 19:07:560 20 V、單 P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20XPE
2023-03-02 22:22:410 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV20XNEA
2023-03-03 19:35:040 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20XNEA
2023-03-03 19:36:250 近日，由中國通信企業(yè)協(xié)會發(fā)起的“ICT中國（2022）案例征集與發(fā)布”年度評選活動結(jié)果正式揭曉，經(jīng)緯恒潤聯(lián)合合作伙伴申報的“5G+順岸開放式集裝箱碼頭”榮獲ICT中國創(chuàng)新獎(2022年度)最佳創(chuàng)新
2023-01-29 14:38:22423 
門模塊、座椅模塊、氛圍燈等領(lǐng)域，橫向覆蓋了極氪電器架構(gòu)2.0平臺、2.5平臺及3.0平臺。此次榮獲“最佳創(chuàng)新獎”，是極氪汽車對經(jīng)緯恒潤研發(fā)實(shí)力和技術(shù)服務(wù)的高度認(rèn)可
2023-05-30 09:32:20384 SiSS23DN P溝道20V(D-S)MOSFET規(guī)格書
特征
? 溝槽場效應(yīng)晶體管?功率場效應(yīng)管
? 低熱阻功率包?
小尺寸和低 0.75 mm 封裝輪廓
? 100
2023-07-25 16:44:160 pt8205 20V增強(qiáng)型雙N溝道MOSFET
2021-11-24 15:51:5812
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