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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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UJ3N120035K3S 超低導(dǎo)通 SiC JFET 晶體管

型號： UJ3N120035K3S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 1,200
  • RDS(on) 35
  • 內(nèi)徑最大值(A) 63
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質(zhì) 是的
  • 包裝類型 TO-247-3L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UJ3N120035K3S

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UJ3N120035K3S 是一款 1200 V、35 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和柵極電荷 (QG)，可實現(xiàn)低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。在 VGS = 0 V 時具有低 RDS(ON) 的器件常開特性也非常適用于無需主動控制的電流保護電路以及 FET 操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 35
內(nèi)徑最大值(A) 63
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-247-3L

 

主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：35 mohm（典型值）
電壓控制
最高工作溫度：175 °C
極快的切換速度不依賴于溫度
低柵極電荷
低本征電容

 

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