型號：FTD2017-VB
絲印：VBC6N2022
品牌：VBsemi

參數(shù)說明：
- 類型：2個N溝道
- 額定電壓：20V
- 最大電流：4.8A (每個通道)
- 靜態(tài)導通電阻（RDS(ON)）：20mΩ @ 4.5V, 22mΩ @ 4.5V (每個通道)
- 閾值電壓（Vth）：0.6 ~ 2V
- 封裝類型：TSSOP8

應用簡介：
FTD2017-VB是一款包含2個N溝道功率MOSFET的器件，適用于多種領域模塊，具有以下應用潛力：

1. 電源開關：這個器件可用于電源開關模塊，提供高效的電源控制，適用于各種應用，包括電源管理和電源逆變器。

2. 電機驅動：在電機控制和驅動應用中，F(xiàn)TD2017-VB可用作電流控制開關，有助于實現(xiàn)電機的高效控制和運行。

3. 電池保護：由于其低閾值電壓，可用于電池保護模塊，確保電池在各種操作條件下得到充分的安全保護。

4. 通信設備：在無線通信設備中，F(xiàn)TD2017-VB可用于功率開關和電源管理，以確保設備的高效運行。

總之，F(xiàn)TD2017-VB適用于多個領域，包括電源開關、電機驅動、電池保護和通信設備等模塊。其性能參數(shù)使其成為各種應用中的理想選擇。