--- 產品參數 ---
- 服務區(qū)域 全國
- 服務資質 CNAS
- 發(fā)票 可提供
- 報告類型 中英文電子/紙質報告
--- 產品詳情 ---
服務內容
廣電計量功率循環(huán)測試通過負載電流加熱和開關斷動作,來模擬器件工作中的結溫波動,通過一定程度的加速老化,以提前暴露器件封裝的薄弱點,評估封裝材料的熱膨脹系數差異對器件壽命的影響,是考核功率器件封裝可靠性最重要的可靠性測試,也是進行器件壽命模型建立和壽命評估的根本。
服務范圍
車規(guī)級功率器件模塊及基于分立器件的等效特殊設計產品。
檢測標準
● DINENISO/IEC17025:General Requirements for the Competenceof Testing and Calibration Laboratories
● IEC 60747系列:Semiconductor Devices, Discrete Devices
● IEC 60749系列:Semiconductor Devices ? Mechanical and Climatic Test Methods
● DIN EN 60664系列:Insulation Coordination for Equipment Within Low-Voltage Systems
● DIN EN 60069系列:Environmental testing
● JESD22-A119:2009:Low Temperature Storage Life
檢測項目
根據負載電流加熱的時長不同,功率循環(huán)測試分為秒級功率循環(huán)(PCsec), 分鐘級功率循環(huán)(PCmin),如電力電子模塊AQG324測試標準規(guī)定,不同的負載電流加熱時長,考察的封裝體對象也不同。如下表:
測試項目 | 加熱時長 | 考察對象 |
秒級功率循環(huán)(PCsec) | Ton<5s | 靠近芯片附近的互連層 |
分鐘級功率循環(huán)(PCmin) | Ton>15s | 離芯片互連較遠的互連層 |
相關資質
CNAS
測試周期
常規(guī)5-7個工作日
服務背景
功率循環(huán)測試被稱為考核功率器件封裝可靠性最重要的實驗,尤其是 SiC MOSFET 功率器件的快速發(fā)展,是近幾年的研究熱點。與其他可靠性測試不同的是,功率循環(huán)測試原理雖然簡單,但測試技術、測試方法和數據處理卻涉及到半導體物理、電磁學、傳熱學、結構力學和信號分析等多學科交叉,處理不當將得到錯誤的結論。
我們的優(yōu)勢
廣電計量在Si基功率半導體模塊、SiC模塊等相關測試有著豐富的實戰(zhàn)經驗,是SiC領域是國內技術能力最全面、知名度最廣的第三方檢測機構之一,為眾多半導體廠家提供模塊的規(guī)格書參數測試、競品分析、環(huán)境可靠性、壽命耐久和失效分析等一站式測試服務。
在功率循環(huán)測試方向,廣電計量引進多臺西門子功率循環(huán)測試機臺Power Tester1800A/1500A,同時還有部分國產高可靠性功率循環(huán)測試機臺,能提供水冷/水乙二醇混合冷卻/油冷等冷卻方式,并且滿足20℃~125℃的底溫要求,產能充足。
手法,可以協助廠家進行AQG324的認證檢測;擁有經驗豐富的材料及電性能可靠性專家,可以針對功率半導體進行全方位的失效分析及可靠性驗證方案的設計與執(zhí)行。
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