氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中
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作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
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氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心,這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。
德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負責人 David Snook 表示:“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應(yīng)用中電源系統(tǒng)和電源效率的關(guān)鍵一步。在設(shè)計中使用 GaN 的公司數(shù)量正在迅速增長。降低功耗和提高效率至關(guān)重要?!?br />
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在過去 60 多年里,硅一直是半導(dǎo)體電源管理元件的基礎(chǔ),這些元件將交流 (AC) 轉(zhuǎn)換為直流 (DC),然后根據(jù)各種應(yīng)用需求將直流電壓輸入進行轉(zhuǎn)換,從手機到工業(yè)機器人,不一而足。隨著元件的改進和優(yōu)化,硅的物理特性已得到充分應(yīng)用。如今,在不增加尺寸的前提下,硅已無法在所需的頻率下提供更高功率。
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因此,在過去十年間,許多電路設(shè)計人員轉(zhuǎn)向采用 GaN,以便在更小的空間里實現(xiàn)更高功率。許多設(shè)計人員對于該技術(shù)將在未來創(chuàng)新中發(fā)揮的潛能充滿信心,主要歸因于以下三點:
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原因 1:GaN 已取得發(fā)展。
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做為半導(dǎo)體應(yīng)用,盡管 GaN 相對于硅來說較新,但已經(jīng)發(fā)展了多年并具有一定可靠性。德州儀器 GaN 芯片通過了 4,000 萬小時以上的可靠性測試。即使在數(shù)據(jù)中心等要求嚴苛的應(yīng)用中,其有效性也顯而易見。
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David 表示:“隨著消費者和企業(yè)對人工智能、云計算和工業(yè)自動化等應(yīng)用的數(shù)據(jù)量的需求不斷增長,全球范圍內(nèi)需要越來越多的數(shù)據(jù)中心。要使數(shù)據(jù)中心在不會過量增加能耗的前提下上線,需要實現(xiàn)更高效的服務(wù)器電源,而 GaN 是實現(xiàn)這類電源的關(guān)鍵技術(shù)?!?br />
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原因 2:使用 GaN 的系統(tǒng)級設(shè)計可節(jié)省成本。
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盡管現(xiàn)在按芯片級別比較,GaN 比硅昂貴,但 GaN 所帶來的整個系統(tǒng)的成本優(yōu)勢、效率和功率密度的提高超過了初始投資的價值。例如,在 100 兆瓦數(shù)據(jù)中心中,使用基于 GaN 的電源管理系統(tǒng),即使效率增益僅為 0.8%,也能在 10 年間節(jié)約 700 萬美元的能源成本。節(jié)約的能源足夠 80,000 個家庭,也就是大約一個小型城市,使用一年。
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德州儀器電源設(shè)計服務(wù)團隊總經(jīng)理 Robert Taylor 表示:“GaN 技術(shù)可在較高頻率下運行,進而可實現(xiàn)一些具有更低物料清單成本的拓撲和架構(gòu)。得益于較高的運行頻率,工程師還可以在設(shè)計中選擇較小型的其他元件。GaN 提供了硅芯片所不支持的拓撲,使得工程師可以靈活優(yōu)化其電源設(shè)計?!?
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原因 3:通過集成提升了性能和易用性。
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GaN FET 需要專用的柵極驅(qū)動器,這意味著需要額外的設(shè)計時間和工作量。不過,德州儀器通過在芯片中集成柵極驅(qū)動器和一些保護功能,簡化了 GaN 設(shè)計。
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David 表示:“集成驅(qū)動器有助于提高性能并提供更高的功率密度和更高的開關(guān)頻率,從而提升效率并降低整體系統(tǒng)尺寸。集成提供巨大的性能優(yōu)勢并使用 GaN 簡化設(shè)計,可使設(shè)計人員更大程度地利用這項技術(shù)的優(yōu)勢?!?br />
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性能優(yōu)勢
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David 說:“客戶會很高興看到我們的參考設(shè)計,比如適用于數(shù)據(jù)中心的 5 千瓦圖騰柱功率因數(shù)校正設(shè)計所展示的 GaN 的性能優(yōu)勢。他們一旦認識到可以以更小的解決方案尺寸實現(xiàn)更高的效率,或者以同樣的外形尺寸實現(xiàn)更高的功率水平,這會促使他們轉(zhuǎn)向使用 GaN?!?br />
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例如,一些模塊化家用空調(diào)設(shè)備制造公司采用 GaN 進行設(shè)計,將電源效率提高了 5%。
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Robert 表示:“從空調(diào)耗能的角度來看,這個數(shù)字意義重大,提高 5% 的效率可以節(jié)省一大筆資金。能用 GaN 器件實現(xiàn)這點真是太棒了。”
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什么是氮化鎵(GaN)?
的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
系統(tǒng)能做得越小巧,則電動車的電池續(xù)航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地,氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問題
(GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測試難題,下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶,用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產(chǎn)品的電源,因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
如何利用非線性模型幫助GaN PA進行設(shè)計?
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計是當前的熱門話題。出于多種原因,GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去,PA 設(shè)計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通?
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢,但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源?
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現(xiàn)氮化鎵的可靠運行
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
實現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機驅(qū)動器的氮化鎵器件
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
對于手機來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題?
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng),因為頻率越高,氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15
將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機內(nèi)部電路
氮化鎵開關(guān)管來取代,一顆頂四顆,并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過使用氮化鎵開關(guān)管來減少硅MOS管的數(shù)量,還可以減小保護板的面積,使保護板可以集成到主板上,節(jié)省一塊PCB,降低整體成本。儲能電源儲能電源通常
2023-02-21 16:13:41
展嶸電子助力布局氮化鎵適配器方案攜手智融SW351X次級協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護航
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化鎵
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
想要實現(xiàn)高效氮化鎵設(shè)計有哪些步驟?
第 1 步 – 柵極驅(qū)動選擇 驅(qū)動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異?! ◎?qū)動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯誤觀念
開發(fā)基于物理的模型,從而可用準確地預(yù)測到氮化鎵產(chǎn)品在通用操作條件下的安全使用壽命,讓設(shè)計人員可以根據(jù)其設(shè)計要求,對氮化鎵器件進行評估。
“測試器件至失效”的測試報告結(jié)果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢?
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
碳化硅與氮化鎵的發(fā)展
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用
,部分市場將被GaN所取代,而GaAs依賴日益增長的小基站帶來的需求和較高的國防市場等需求,在2025年之前,其市場份額整體相對穩(wěn)定。未來5~10年內(nèi), GaN將逐步取代LDMOS,并逐漸成為3W 及以上
2019-04-13 22:28:48
誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片?
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
高壓氮化鎵的未來分析
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說,當你筆記本電腦的電源變熱時,其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料,它的發(fā)熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
GaN電源管理芯片市場將增長快速
GaN電源管理芯片市場將增長快速
據(jù)iSuppli公司,由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機和有線通訊領(lǐng)域的快速增長,氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場到2013年
2010-03-25 10:12:471143
#氮化鎵 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)
半導(dǎo)體氮化鎵
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22
氮化鎵(GaN)帶來電源管理變革的3大原因
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
2023-04-18 10:14:31567
氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因
來源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN
2023-04-19 16:30:00226
氮化鎵帶來電源管理變革的3大原因
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大
2023-11-18 15:53:35316
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