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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子> 氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

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氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心,這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。。 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負責人 David Snook 表示:“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應(yīng)用
2023-06-16 10:51:097122

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2023-06-19 09:28:46

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GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化(GaAs)、磷化(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00

氮化(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

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2023-06-19 12:05:19

氮化: 歷史與未來

的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn),并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54

氮化GaN 來到我們身邊竟如此的快

被譽為第三代半導(dǎo)體材料的氮化GaN。早期的氮化材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進步以及人們的需求,氮化產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術(shù)促進電源管理的發(fā)展

的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19

氮化GaN技術(shù)助力電源管理革新

能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25

氮化GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計方案

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化電源設(shè)計從入門到精通的方法

氮化電源設(shè)計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動氮化價格戰(zhàn)伊始。

技術(shù)迭代。2018 年,氮化技術(shù)走出實驗室,正式運用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當時氮化
2022-06-14 11:11:16

氮化充電器

是什么氮化GaN)是氮和化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點,應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片如何在高頻下實現(xiàn)更高的效率?

氮化為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢

更?。篏aNFast? 功率芯片,可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化發(fā)展評估

晶體管如今已與碳化硅基氮化具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢,針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34

氮化在數(shù)字電源控制中的應(yīng)用

情況下,電源設(shè)計人員使用數(shù)字控制來展示GaN應(yīng)用。這么做的原因也許是考慮到數(shù)字控制的靈活性,使得設(shè)計人員能夠精確地控制開關(guān)波形…
2022-11-18 07:30:50

氮化技術(shù)推動電源管理不斷革新

的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年
2019-03-14 06:45:11

氮化晶體管GaN的概述和優(yōu)勢

和功率密度,這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此,開始了氮化晶體管(GaN)的概念?! D-GIT的概述和優(yōu)勢  松下混合漏極柵極注入晶體管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50

氮化激光器的技術(shù)難點和發(fā)展過程

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2020-11-27 16:32:53

氮化的卓越表現(xiàn):推動主流射頻應(yīng)用實現(xiàn)規(guī)?;?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN
2018-08-17 09:49:42

氮化能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?

GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)?氮化能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?
2021-06-17 10:56:45

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氮化 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18

氮化GaN)技術(shù)電源管理

的未來取決于電源管理創(chuàng)新或者設(shè)想一下:每個簡單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢使用的電力足以灼燒一個60瓦燈泡約17秒?,F(xiàn)在乘上每天發(fā)生的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。更有效地管理能源并占用更小空間,所...
2021-11-15 09:01:39

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理分析

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理
2023-06-19 10:05:37

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2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化GaN)高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00

CGHV96100F2氮化GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

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Cree的CMPA801B025是氮化GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開

,傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限,使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告,該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場和應(yīng)用

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2018-02-12 15:11:38

MACOM:GaN在無線基站中的應(yīng)用

用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化(GaN)撼動,這將對無線
2017-08-30 10:51:37

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢

,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴充產(chǎn)品線與進入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化GaN

多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實測案例——氮化GaN半橋上管測試

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SGN2729-250H-R氮化晶體管

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TGF2977-SM氮化晶體管

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由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20

【技術(shù)干貨】氮化IC如何改變電動汽車市場

Canaccord Genuity預(yù)計,到2025年,電動汽車解決方案中每臺汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化GaN)電子器件,也涉及到一點碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

氮化(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化擁有寬禁帶特性(WBG)。 硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

目前,以碳化硅(SiC)、氮化GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22

什么是GaN透明晶體管?

的模擬揭示了為何ITO不能在氮化晶體管中形成良好的歐姆接觸。模擬結(jié)果表明,ITO和在AlGaN和GaN界面的二維電子氣之間存在著一個高能勢壘(見圖3(a))。這個勢壘阻礙電子在氧化銦錫和氮化三角阱
2020-11-27 16:30:52

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化GaN)?

、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?!喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證,特推出“氮化系列”,告訴大家什么是氮化GaN)?
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化GaN)?

3 倍多,所以說氮化擁有寬禁帶特性(WBG)。 禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化。氮化GaN)、砷化(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

系統(tǒng)能做得越小巧,則電動車的電池續(xù)航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地,氮化組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11

光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化GaN)原廠FAE解決客戶問題

GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因氮化芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測試難題,下游的氮化應(yīng)用工程師往往束手無策。某知名氮化品牌的下游客戶,用氮化半橋方案作為3C消費類產(chǎn)品的電源,因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03

基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設(shè)計

高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化)
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氮化(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計是當前的熱門話題。出于多種原因GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去,PA 設(shè)計以大致的起點開始并運用大量
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如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計從入門到精通?

和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢,但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化、碳化硅、氮化
2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計一個高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23

如何實現(xiàn)氮化的可靠運行

我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23

如何推動電源管理變革?

推動電源管理變革的5個趨勢
2021-03-11 07:50:56

如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

實現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機驅(qū)動器的氮化器件

的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。 氮化器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54

對于手機來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題?

氮化技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng),因為頻率越高,氮化的優(yōu)勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15

將低壓氮化應(yīng)用在了手機內(nèi)部電路

氮化開關(guān)管來取代,一顆頂四顆,并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過使用氮化開關(guān)管來減少硅MOS管的數(shù)量,還可以減小保護板的面積,使保護板可以集成到主板上,節(jié)省一塊PCB,降低整體成本。儲能電源儲能電源通常
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護航

氮化完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

氮化(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28

想要實現(xiàn)高效氮化設(shè)計有哪些步驟?

  第 1 步 – 柵極驅(qū)動選擇  驅(qū)動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異?! ◎?qū)動氮化E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化技術(shù)介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

開發(fā)基于物理的模型,從而可用準確地預(yù)測到氮化產(chǎn)品在通用操作條件下的安全使用壽命,讓設(shè)計人員可以根據(jù)其設(shè)計要求,對氮化器件進行評估。 “測試器件至失效”的測試報告結(jié)果可瀏覽GaN 可靠性。 誤解3
2023-06-25 14:17:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

碳化硅與氮化的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14

第三代半導(dǎo)體材料氮化/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

,部分市場將被GaN所取代,而GaAs依賴日益增長的小基站帶來的需求和較高的國防市場等需求,在2025年之前,其市場份額整體相對穩(wěn)定。未來5~10年內(nèi), GaN將逐步取代LDMOS,并逐漸成為3W 及以上
2019-04-13 22:28:48

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。 首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

高壓氮化的未來分析

就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來是怎么樣的

會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說,當你筆記本電腦的電源變熱時,其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料,它的發(fā)熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50

GaN電源管理芯片市場將增長快速

GaN電源管理芯片市場將增長快速 據(jù)iSuppli公司,由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機和有線通訊領(lǐng)域的快速增長,氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場到2013年
2010-03-25 10:12:471143

氮化測試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

氮化鎵(GaN)帶來電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
2023-04-18 10:14:31567

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

來源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN
2023-04-19 16:30:00226

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中
2023-07-08 10:55:12450

氮化帶來電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。   氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大
2023-11-18 15:53:35316

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