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1. FRAM 與E2PROM相比有哪些優(yōu)勢(shì):
(
*必填
單選)
A. 有更快的寫入速度
B. 更的低功耗
C. 更多的讀寫次
D. 以上都是
2. FRAM 的主要接口
(
*必填
單選)
A. SPI/IIC/Parallel/QSPI
B. SPI/IIC
C. SPI/IIC/Parallel
D. Parallel/QSPI
3. FRAM的主要存貯介質(zhì)結(jié)構(gòu)
(
*必填
單選)
A. NAND結(jié)構(gòu)
B. PZT晶體結(jié)構(gòu)
C. ETOX結(jié)構(gòu)
D. NOR結(jié)構(gòu)
4. 一般來(lái)說(shuō)FRAM的存儲(chǔ)速度是E2PROM的幾倍?
(
*必填
單選)
A. 100倍
B. 1,000倍
C. 10,000倍
D. 40,000倍
5. FRAM的讀寫次數(shù)最大可達(dá)10萬(wàn)億次,在一個(gè)需每要5ms讀寫一次數(shù)據(jù)的應(yīng)用中,F(xiàn)RAM可以使用多少年?
(
*必填
單選)
A. 20年
B. 500年
C. 1585 年
D. 15,000年
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