裝晶片之所以被稱為“倒裝”是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（WireBonding）與植球后的工藝而言的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當(dāng)于將前者翻轉(zhuǎn)過來，故稱其為“倒裝晶片”。

　　倒裝芯片的實(shí)質(zhì)是在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上，將芯片的發(fā)光區(qū)與電極區(qū)不設(shè)計(jì)在同一個(gè)平面這時(shí)則由電極區(qū)面朝向燈杯底部進(jìn)行貼裝，可以省掉焊線這一工序，但是對固晶這段工藝的精度要求較高，一般很難達(dá)到較高的良率。

　　倒裝晶片所需具備的條件：

　　①基材材是硅；②電氣面及焊凸在元件下表面；③組裝在基板后需要做底部填充。

　　倒裝芯片與與傳統(tǒng)工藝相比所具備的優(yōu)勢：

　　通過MOCVD技術(shù)在蘭寶石襯底上生長GaN基LED結(jié)構(gòu)層，由P/N結(jié)髮光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導(dǎo)性能不佳，為獲得良好的電流擴(kuò)展，需要通過蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴(kuò)展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會(huì)受到很大影響，通常要同時(shí)兼顧電流擴(kuò)展與出光效率二個(gè)因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會(huì)使透光性能變差。此外，引線焊點(diǎn)的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaNLED倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上面的問題。

　　倒裝LED芯片技術(shù)行業(yè)應(yīng)用分析：

　　近年，世界各國如歐洲各國、美國、日本、韓國和中國等皆有LED照明相關(guān)項(xiàng)目推行。其中，以我國所推廣的“十城萬盞”計(jì)劃最為矚目。路燈是城市照明不可缺少的一部分，傳統(tǒng)路燈通常采用高壓鈉燈或金鹵燈，這兩種光源最大的特點(diǎn)是發(fā)光的電弧管尺寸小，可以產(chǎn)生很大的光輸出，并且具有很高的光效。但這類光源應(yīng)用在道路燈具中，只有約40%的光直接通過玻璃罩到達(dá)路面，60%的光通過燈具反射器反射后再從燈具中射出。