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      電子發(fā)燒友網>電子資料下載>IC datasheet pdf>MOSFET的主要參數理解和特點概述

      MOSFET的主要參數理解和特點概述

      2020-07-09 | zip | 0.36 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　下文主要介紹 mosfet 的主要參數，通過此參數來理解設計時候的考量一、場效應管的參數很多，一般 datasheet 都包含如下關鍵參數：

      　　1 極限參數：

      　　ID ：最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過 ID 。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。IDM ：最大脈沖漏源電流。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。PD ：最大耗散功率。是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于 PDSM 并留有一定余量。此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額。

      　　VGS ：最大柵源電壓。

      　　Tj ：最大工作結溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度，并留有一定裕量。

      　　TSTG ：存儲溫度范圍。

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