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STM32F101xC/STM32F101xD/STM32F101xE中文資料:本文給出了STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型的訂購信息和器件的機械特性。
有關(guān)閃存存儲器的編程、擦除和保護等信息，請參考《STM32F10xxx閃存編程參考手冊》。有關(guān)Cortex?-M3的信息，請參考《Cortex?-M3技術(shù)參考手冊》
2規(guī)格說明
STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列使用高性能的ARM? Cortex?-M3 32位的RISC內(nèi)核，工作頻率為36MHz，內(nèi)置高速存儲器(高達512K字節(jié)的閃存和48K字節(jié)的SRAM)，豐富的增強I/O端口和聯(lián)接到兩條APB總線的外設(shè)。所有型號的器件都包含1個12位的ADC、4個通用16位定時器，還包含標(biāo)準和先進的通信接口：多達2個I2C、3個SPI、5個USART。
STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列工作于-40°C至+85°C的溫度范圍，供電電壓2.0V至3.6V，一系列的省電模式保證低功耗應(yīng)用的要求。
完整的STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列產(chǎn)品包括從64腳至144腳的三種不同封裝形式；根據(jù)不同的封裝形式，器件中的外設(shè)配置不盡相同。下面給出了該系列產(chǎn)品中所有外設(shè)的基本介紹。
有關(guān)閃存存儲器的編程、擦除和保護等信息，請參考《STM32F10xxx閃存編程參考手冊》。有關(guān)Cortex?-M3的信息，請參考《Cortex?-M3技術(shù)參考手冊》
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STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列使用高性能的ARM? Cortex?-M3 32位的RISC內(nèi)核，工作頻率為36MHz，內(nèi)置高速存儲器(高達512K字節(jié)的閃存和48K字節(jié)的SRAM)，豐富的增強I/O端口和聯(lián)接到兩條APB總線的外設(shè)。所有型號的器件都包含1個12位的ADC、4個通用16位定時器，還包含標(biāo)準和先進的通信接口：多達2個I2C、3個SPI、5個USART。
STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列工作于-40°C至+85°C的溫度范圍，供電電壓2.0V至3.6V，一系列的省電模式保證低功耗應(yīng)用的要求。
完整的STM32F101xC、STM32F101xD和STM32F101xE基本型系列產(chǎn)品包括從64腳至144腳的三種不同封裝形式；根據(jù)不同的封裝形式，器件中的外設(shè)配置不盡相同。下面給出了該系列產(chǎn)品中所有外設(shè)的基本介紹。
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